刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕資訊

關(guān)于AlN和GaN的刻蝕對(duì)比研究—江蘇華林科納半導(dǎo)體

引言 AlN、GaN及其合金因其寬帶隙和獨(dú)特的性能被廣泛應(yīng)用于光電子領(lǐng)域，例如基于AlGaN的紫外線發(fā)光二極管(UV-LEDs) ，激光二極管(LD)，...

2022-01-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 4.4k 0

碳化硅和二氧化硅之間穩(wěn)定性的刻蝕選擇性

磷酸(H3PO4) -水(H2O)混合物在高溫下已被使用多年來(lái)蝕刻對(duì)二氧化硅(二氧化硅)層有選擇性的氮化硅(Si3N4)。生產(chǎn)需要完全去除Si3N4，同...

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引入空氣間隙以減少前道工序中的寄生電容

作者：泛林集團(tuán)半導(dǎo)體工藝與整合工程師 Sumant Sarkar 使用Coventor SEMulator3D?創(chuàng)建可以預(yù)測(cè)寄生電容的機(jī)器學(xué)習(xí)模型減少...

2023-03-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電容刻蝕 4.3k 0

關(guān)于刻蝕的重要參數(shù)報(bào)告

刻蝕速率是指在刻蝕過(guò)程中去除硅片表面材料的速度通常用?/min表示，刻蝕窗口的深度稱(chēng)為臺(tái)階高度。為了高的產(chǎn)量，希望有高的刻蝕速率。在采用單片工藝...

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基于ICP的金屬鈦深刻蝕，它的實(shí)驗(yàn)流程是怎樣的

摘要：MEMS應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展要求開(kāi)發(fā)硅材料之外其他新型材料的三維微細(xì)加工技術(shù)．為此，對(duì)金屬鈦這一新型MEMS體材料的三維加工進(jìn)行了探索．金屬鈦不僅延展性...

2020-12-29 標(biāo)簽：ICP 刻蝕 4.1k 0

濕法刻蝕工藝操作規(guī)程

通過(guò)化學(xué)反應(yīng)腐蝕掉硅片背面及四周的PN結(jié)以達(dá)到正面與背面絕緣的目的同時(shí)去除正面的磷硅玻璃層。

2022-09-06 標(biāo)簽：工藝硅片刻蝕 4k 0

氧化硅刻蝕速率的提高方法

摘要等離子體蝕刻工藝，特別適用于在具有非氧化物成分的特征上選擇性蝕刻氧化物，例如氮化硅，尤其是當(dāng)該特征具有在氧化物蝕刻期間易于刻面的角部時(shí)。主要的含氟...

2022-02-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 3.9k 0

TMAH溶液對(duì)硅得選擇性刻蝕研究

我們?nèi)A林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時(shí)間和刮刻載荷的影響，通過(guò)對(duì)比試驗(yàn)，評(píng)價(jià)了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機(jī)理，各種表面...

2022-05-20 標(biāo)簽：刻蝕刻蝕機(jī) 3.8k 0

memsstar在MEMS領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，以及近期取得的進(jìn)展

雖然我們提供的產(chǎn)品是MEMS設(shè)備，但那只是我們技術(shù)和工藝的載體。我們的MEMS設(shè)備中包含的先進(jìn)MEMS工藝經(jīng)驗(yàn)和知識(shí)，并且我們團(tuán)隊(duì)還專(zhuān)注于可能在10~1...

2021-05-13 標(biāo)簽：mems 供應(yīng)鏈刻蝕 3.7k 0

泛林集團(tuán)推三款開(kāi)創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品此前宣布季度股息1.5美元每股

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2022-03-22 標(biāo)簽：集成電路晶圓刻蝕 3.6k 0

各種光刻技術(shù)你都了解嗎？

當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)演進(jìn)到5nm時(shí)，DUV和多重曝光技術(shù)的組合也難以滿(mǎn)足量產(chǎn)需求了，EUV光刻機(jī)就成為前道工序的必需品了，沒(méi)有它，很難制造出符合應(yīng)用需求的5nm芯...

2023-10-13 標(biāo)簽：集成電路光刻機(jī)EUV 3.6k 0

泛林發(fā)布半導(dǎo)體刻蝕技術(shù)解決方案

近日，泛林集團(tuán)發(fā)布了革新性的等離子刻蝕技術(shù)及系統(tǒng)解決方案Sense.i? 平臺(tái)，旨在為芯片制造商提供先進(jìn)的功能和可擴(kuò)展性，以滿(mǎn)足未來(lái)的創(chuàng)新需求。

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干法刻蝕工藝的不同參數(shù)

? ? ? 本文介紹了干法刻蝕工藝的不同參數(shù)。干法刻蝕中可以調(diào)節(jié)的工藝參數(shù)有哪些？各有什么作用？ 1，溫度：晶圓表面溫度，溫度梯度晶圓表面溫度：控制...

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一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法

我們?nèi)A林科納研究了一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法，能夠通過(guò)調(diào)整蝕刻參數(shù)，如等離子體強(qiáng)度、溫度和持續(xù)時(shí)間，從邊緣控制蝕刻，蝕刻過(guò)程歸因于碳原子的氫...

2022-05-19 標(biāo)簽：石墨烯刻蝕 3.5k 0

半導(dǎo)體前端工藝：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形

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2023-06-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 3.4k 0

KOH硅濕化學(xué)刻蝕—江蘇華林科納半導(dǎo)體

氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕基底。也就是說(shuō)，它們...

2022-01-11 標(biāo)簽：刻蝕 GBDT 3.4k 0

***產(chǎn)業(yè)鏈廠商分析國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商迎新機(jī)遇

此前，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公布了一項(xiàng)華為新的專(zhuān)利。反射鏡、光刻設(shè)備及其控制方法在極紫外光刻及核心技術(shù)上取得突破性進(jìn)展。 4月，哈工大宣布實(shí)現(xiàn)了“電能轉(zhuǎn)化等離子...

2023-08-09 標(biāo)簽：光刻機(jī)刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備 3.1k 0

PFA管用途之一：供酸系統(tǒng)（CDS）

主要用途：設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能...

2022-11-24 標(biāo)簽：cds 刻蝕 3.1k 0

智程半導(dǎo)體完成股權(quán)融資，專(zhuān)注半導(dǎo)體濕法工藝設(shè)備研發(fā)

智程半導(dǎo)體自2009年起致力于半導(dǎo)體濕法工藝設(shè)備研究、生產(chǎn)與銷(xiāo)售事業(yè)，10余載研發(fā)歷程，使得其已成為全球頂尖的半導(dǎo)體濕法設(shè)備供應(yīng)商。業(yè)務(wù)范圍包括清洗、去...

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泛林集團(tuán)發(fā)布了一項(xiàng)等離子刻蝕技術(shù)及系統(tǒng)解決方案

近日，泛林集團(tuán)發(fā)布了一項(xiàng)革新性的等離子刻蝕技術(shù)及系統(tǒng)解決方案，旨在為芯片制造商提供先進(jìn)的功能和可擴(kuò)展性，以滿(mǎn)足未來(lái)的創(chuàng)新需求。泛林集團(tuán)開(kāi)創(chuàng)性的Sense...

2020-03-10 標(biāo)簽：智能設(shè)備刻蝕泛林集團(tuán) 3k 0

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