刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕資訊

聊一聊MEMS先生的微機(jī)電系統(tǒng)

1975年，庫(kù)爾特?彼得森（Kurt Petersen）還是一名年輕聰明的研究員，當(dāng)時(shí)他剛拿到麻省理工學(xué)院電氣工程專(zhuān)業(yè)的博士學(xué)位，在位于美國(guó)加州的IBM...

2023-11-22 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器壓力傳感器微機(jī)電系統(tǒng) 1.5k 0

單片濕法刻蝕—《華林科納-半導(dǎo)體工藝》

摘要 ? 絕緣體上硅（SOI）晶片是目前非常重要的材料，它是通過(guò)使用兩個(gè)硅晶片的晶片鍵合技術(shù)制備的。該生產(chǎn)過(guò)程需要在硅晶片表面形成的二氧化硅薄膜非常干凈...

2022-03-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 1.5k 0

中微等離子體刻蝕設(shè)備Primo AD-RIE(TM)運(yùn)抵中芯國(guó)際

中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微”)于 SEMICON China 展會(huì)期間宣布，中微第二代等離子體刻蝕設(shè)備 Primo AD-RIE? 正式裝配...

2012-03-22 標(biāo)簽：中芯國(guó)際中微刻蝕 1.5k 0

降低半導(dǎo)體金屬線電阻的沉積和刻蝕技術(shù)

作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門(mén)軟件應(yīng)用工程師 Timothy Yang 博士 01 介紹銅的電阻率由其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積...

2024-08-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 1.5k 0

降低半導(dǎo)體金屬線電阻的沉積和刻蝕技術(shù)

摘要：使用SEMulator3D?可視性沉積和刻蝕功能研究金屬線制造工藝，實(shí)現(xiàn)電阻的大幅降低作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions ...

2024-08-15 標(biāo)簽：電阻刻蝕沉積 1.5k 0

晶圓濕法刻蝕原理是什么意思

晶圓濕法刻蝕原理是指通過(guò)化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物的過(guò)程。這一過(guò)程主要利用化學(xué)反應(yīng)來(lái)去除材料表面的特定部分，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體材料的精細(xì)加工和圖案...

2024-12-23 標(biāo)簽：晶圓濕法刻蝕 1.5k 0

中微公司ICP雙反應(yīng)臺(tái)刻蝕機(jī)Primo Twin-Star取得新突破

近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微公司”，股票代碼“688012.SH”）宣布通過(guò)不斷提升反應(yīng)臺(tái)之間氣體控制的精度， ICP雙反應(yīng)...

2025-03-27 標(biāo)簽：等離子體刻蝕中微公司 1.5k 0

芯明天P12A壓電納米掃描臺(tái)在飛秒激光刻蝕中的應(yīng)用

飛秒激光是人類(lèi)在實(shí)驗(yàn)室條件下所能獲得最短脈沖的技術(shù)手段，是一種以脈沖形式運(yùn)轉(zhuǎn)的激光，持續(xù)時(shí)間非常短，只有幾個(gè)飛秒（英語(yǔ)為femto second，簡(jiǎn)寫(xiě)為...

2023-12-14 標(biāo)簽：激光壓電刻蝕 1.5k 0

半導(dǎo)體濕法刻蝕殘留物的原理

半導(dǎo)體濕法刻蝕殘留物的原理涉及化學(xué)反應(yīng)、表面反應(yīng)、側(cè)壁保護(hù)等多個(gè)方面。以下是對(duì)半導(dǎo)體濕法刻蝕殘留物原理的詳細(xì)闡述：化學(xué)反應(yīng) 刻蝕劑與材料的化學(xué)反應(yīng)：...

2025-01-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 1.4k 0

電感耦合等離子刻蝕

眾所周知，化合物半導(dǎo)體中不同的原子比對(duì)材料的蝕刻特性有很大的影響。為了對(duì)蝕刻速率和表面形態(tài)的精確控制，通過(guò)使用低至25nm的薄器件阻擋層的，從而增加了制...

2023-12-15 標(biāo)簽：等離子電感耦合刻蝕 1.4k 0

為刻蝕終點(diǎn)探測(cè)進(jìn)行原位測(cè)量

使用SEMulator3D?工藝步驟進(jìn)行刻蝕終點(diǎn)探測(cè) 作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門(mén)軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nan...

2024-01-19 標(biāo)簽：探測(cè)測(cè)量刻蝕 1.4k 0

PDMS濕法刻蝕與軟刻蝕的區(qū)別

PDMS（聚二甲基硅氧烷）是一種常見(jiàn)的彈性體材料，廣泛應(yīng)用于微流控芯片、生物傳感器和柔性電子等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中，刻蝕工藝是實(shí)現(xiàn)微結(jié)構(gòu)加工的關(guān)鍵步驟。濕...

2024-09-27 標(biāo)簽：微流控刻蝕 1.3k 0

白光干涉儀在晶圓濕法刻蝕工藝后的 3D 輪廓測(cè)量

引言晶圓濕法刻蝕工藝通過(guò)化學(xué)溶液對(duì)材料進(jìn)行各向同性或選擇性腐蝕，廣泛應(yīng)用于硅襯底減薄、氧化層開(kāi)窗、淺溝槽隔離等工藝，其刻蝕深度均勻性、表面平整度、側(cè)向...

2025-09-26 標(biāo)簽：晶圓刻蝕白光干涉儀 1.3k 0

LiNbO3選擇性刻蝕的研究

引言隨著制造技術(shù)的不斷進(jìn)步，特別是基于納米或微米結(jié)構(gòu)的制造，已經(jīng)研究出了具有強(qiáng)光學(xué)限制的各種制造工藝.兩種最廣泛使用的基于擴(kuò)散的制造波導(dǎo)的方法已經(jīng)在超...

2021-12-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 1.2k 0

Aston 質(zhì)譜儀對(duì)小開(kāi)口區(qū)域的蝕刻有更高的靈敏度

上海伯東日本 Aston? 質(zhì)譜儀能夠進(jìn)行準(zhǔn)確且可操作的端點(diǎn)檢測(cè), OA% 是傳統(tǒng) OES 計(jì)量解決方案的一個(gè)數(shù)量級(jí)（1/10）. Aston? 質(zhì)譜...

2023-06-20 標(biāo)簽：檢測(cè)蝕刻質(zhì)譜儀 1.2k 0

什么是高選擇性蝕刻

華林科納半導(dǎo)體高選擇性蝕刻是指在半導(dǎo)體制造等精密加工中，通過(guò)化學(xué)或物理手段實(shí)現(xiàn)目標(biāo)材料與非目標(biāo)材料刻蝕速率的顯著差異，從而精準(zhǔn)去除指定材料并保護(hù)其他結(jié)構(gòu)...

2025-03-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 1.1k 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝之濕法腐蝕工藝課堂4（中）

figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/28/pYYBAGLo3...

2022-08-09 標(biāo)簽：腐蝕刻蝕 1.1k 0

ZnO薄膜的濕法刻蝕研究報(bào)告—華林科納

摘要 FeCl3·6h2o用于單晶氧化鋅薄膜的濕法蝕刻。該方法對(duì)抑制用酸蝕刻氧化鋅薄膜時(shí)通常觀察到的“W”形蝕刻輪廓有很大的影響。通過(guò)觸控筆輪廓儀和掃描...

2022-01-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 1.1k 0

半導(dǎo)體濕法刻蝕有多少工藝

都說(shuō)半導(dǎo)體濕法刻蝕工藝復(fù)雜，但是你真的了解過(guò)嗎？雖然復(fù)雜，還是有流程有規(guī)律可循。你知道到底半導(dǎo)體刻蝕有哪些工藝嗎？不知道的話今天就是一個(gè)科普好機(jī)會(huì)，一起...

2025-01-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 975 0

金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離是重要工序。傳統(tǒng)剝離液常對(duì)金屬層產(chǎn)生過(guò)度刻蝕，影響器件性能。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量也是確保制造質(zhì)量的關(guān)鍵。...

2025-06-16 標(biāo)簽：光刻膠刻蝕 908 0

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