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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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LMG3410R070RWHR高性能GaN功率器件產(chǎn)品型號:LMG3410R070RWHR產(chǎn)品品牌:TI/德州儀器產(chǎn)品封裝:VQFN32產(chǎn)品功能:高性能...
應(yīng)用指導(dǎo) | CGAN004: GaN FET loss calculation (Boost converter)
云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN004:GaNFETlosscalculation(Boostconverter)眾所周知,GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無可...
深入解析FDB045AN08A0 N-Channel PowerTrench? MOSFET
深入解析FDB045AN08A0 N-Channel PowerTrench? MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,其性能直接...
2026-03-31 標(biāo)簽:MOSFET功率器件應(yīng)用場景 271 0
半導(dǎo)體集成電路(IC)中的熱特性參數(shù)ΨJT由JEDEC Standard定義,需要測量封裝外面的頂部中央的溫度TT。但是,在分立半導(dǎo)體中不存在這樣的定義...
onsemi NVMTS001N06C N溝道MOSFET:小尺寸大能量的功率利器
onsemi NVMTS001N06C N溝道MOSFET:小尺寸大能量的功率利器 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率MOSFET是至關(guān)重要的元件,廣泛應(yīng)用于各類電源...
CSD17579Q5A 30V N-Channel NexFET? Power MOSFET深度解析
CSD17579Q5A 30V N-Channel NexFET? Power MOSFET深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,其...
2026-03-05 標(biāo)簽:MOSFET功率器件CSD17579Q5A 222 0
SiC MOSFET滿足了電力電子行業(yè)對更高效率、更高功率密度以及在極端溫度下運(yùn)行的要求,其應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋電動(dòng)汽車(EV)牽引逆變器、可再生能源系統(tǒng)和工業(yè)...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(三)—— 結(jié)溫計(jì)算完整流程與工程實(shí)用方法
承接前兩講:(一)穩(wěn)態(tài)熱阻Rth(二)熱容、瞬態(tài)熱阻Zth(t)、脈沖溫升這一講進(jìn)入真正工程化內(nèi)容:從器件datasheet→熱阻網(wǎng)絡(luò)→結(jié)溫計(jì)算→裕量判...
2026-03-01 標(biāo)簽:芯片功率器件熱設(shè)計(jì) 153 0
SGMNM12330 MOSFET:高性能功率器件的卓越之選
SGMNM12330 MOSFET:高性能功率器件的卓越之選 在電子工程師的設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的功率器件至關(guān)重要。SGMICRO 推出的 SGMNM1...
2026-03-20 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SGMNM12330 151 0
變頻器導(dǎo)熱膠 | 高功率器件散熱粘接方案 |鉻銳特實(shí)業(yè)
鉻銳特實(shí)業(yè)|東莞導(dǎo)熱膠廠家|專業(yè)變頻器散熱導(dǎo)熱膠解決方案,兼具高導(dǎo)熱性能與強(qiáng)力粘接,可有效降低IGBT、SiC等高功率器件結(jié)溫10-30℃,提升變頻器散...
探索 onsemi NVBG150N65S3F MOSFET:高性能與可靠性的完美結(jié)合
探索 onsemi NVBG150N65S3F MOSFET:高性能與可靠性的完美結(jié)合 在電子工程領(lǐng)域,功率MOSFET一直是電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)中不可或缺的關(guān)...
2026-03-31 標(biāo)簽:MOSFET功率器件onsemi NVBG150N65S3F 125 0
探索 onsemi NVD260N65S3 MOSFET:高性能與可靠性的完美結(jié)合
探索 onsemi NVD260N65S3 MOSFET:高性能與可靠性的完美結(jié)合 在電子工程領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件,其性能表現(xiàn)直接影響...
2026-03-31 標(biāo)簽:MOSFET功率器件onsemi NVD260N65S3 123 0
Onsemi NVMFWS1D5N08X MOSFET:高性能單通道N溝道功率器件解析
Onsemi NVMFWS1D5N08X MOSFET:高性能單通道N溝道功率器件解析 在電子工程領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,廣泛應(yīng)用于各種電...
2026-04-03 標(biāo)簽:MOSFET功率器件Onsemi NVMFWS1D5N08X 97 0
Onsemi NTD280N60S5Z MOSFET:性能卓越的功率器件
Onsemi NTD280N60S5Z MOSFET:性能卓越的功率器件 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,MOSFET 是不可或缺的功率器件。今天我們來詳...
Onsemi NVMFWS0D6N04XM MOSFET:高效功率解決方案
Onsemi NVMFWS0D6N04XM MOSFET:高效功率解決方案 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,其性能的優(yōu)劣直接影響到整個(gè)系...
Onsemi FQP17N40 N溝道MOSFET:特性與應(yīng)用解析
Onsemi FQP17N40 N溝道MOSFET:特性與應(yīng)用解析 作為一名電子工程師,在電源設(shè)計(jì)、功率轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域,MOSFET是我們常用的功率器件。今...
FCI7N60 - N溝道SuperFET? MOSFET:性能卓越的功率器件
FCI7N60 - N溝道SuperFET? MOSFET:性能卓越的功率器件 一、前言 在電子工程領(lǐng)域,功率器件的性能對于各類電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重...
探索onsemi NVMYS4D1N06CL:高性能N溝道MOSFET的卓越之選
探索onsemi NVMYS4D1N06CL:高性能N溝道MOSFET的卓越之選 在電子工程領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,對電路性能起著至關(guān)重要...
2026-04-02 標(biāo)簽:MOSFET功率器件NVMYS4D1N06CL 78 0
詳解NTHL017N60S5H MOSFET:高性能與多領(lǐng)域應(yīng)用
詳解NTHL017N60S5H MOSFET:高性能與多領(lǐng)域應(yīng)用 在電子工程領(lǐng)域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為關(guān)鍵的功率...
2026-03-30 標(biāo)簽:MOSFET功率器件NTHL017N60S5H 78 0
安森美NVMYS7D0N06C MOSFET:高效緊湊設(shè)計(jì)的理想選擇
安森美NVMYS7D0N06C MOSFET:高效緊湊設(shè)計(jì)的理想選擇 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為一種關(guān)鍵的功率器件,廣泛應(yīng)用于各類電源管理和功率轉(zhuǎn)...
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