Onsemi FQP17N40 N溝道MOSFET：特性與應(yīng)用解析

作為一名電子工程師，在電源設(shè)計(jì)、功率轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，MOSFET是我們常用的功率器件。今天就來深入解析Onsemi的FQP17N40這款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。

文件下載：FQP17N40-D.pdf

1. 產(chǎn)品概述

FQP17N40采用了Onsemi專有的平面條紋和DMOS技術(shù)。這種先進(jìn)的MOSFET技術(shù)經(jīng)過特別設(shè)計(jì)，能夠有效降低導(dǎo)通電阻，提供出色的開關(guān)性能和高雪崩能量強(qiáng)度。它適用于開關(guān)模式電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）以及電子燈鎮(zhèn)流器等應(yīng)用場景。

2. 產(chǎn)品特性

2.1 電氣參數(shù)

• 電流與電壓：可承受16A的連續(xù)漏極電流（(TC = 25^{circ}C)），400V的漏源電壓（(V{DSS})）。在脈沖情況下，漏極電流脈沖（(I_{DM})）可達(dá)64A。
• 導(dǎo)通電阻：在(V{GS}=10V)、(I{D}=8.0A)時(shí)，(R_{DS(on)})最大為270mΩ，典型值為0.21Ω，低導(dǎo)通電阻能減少功率損耗。
• 柵極電荷：柵極總電荷（(Q_g)）典型值為45nC，較低的柵極電荷有助于實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)，降低開關(guān)損耗。
• 電容特性：反向傳輸電容（(C{rss})）典型值為30pF，輸入電容（(C{iss})）在(V{DS}=25V)、(V{GS}=0V)、(f = 1.0MHz)時(shí)，典型值為1800 - 2300pF，輸出電容（(C_{oss})）典型值為270 - 350pF。

2.2 其他特性

• 雪崩測試：經(jīng)過100%雪崩測試，單脈沖雪崩能量（(E{AS})）可達(dá)1000mJ，重復(fù)雪崩能量（(E{AR})）為17mJ，具有良好的雪崩耐量。
• 環(huán)保特性：該器件為無鉛產(chǎn)品，符合環(huán)保要求。

3. 絕對最大額定值

需要注意的是，超過這些最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。

4. 熱特性

熱特性對于功率器件的性能和可靠性至關(guān)重要。FQP17N40的熱阻參數(shù)如下：

• 結(jié)到外殼的熱阻（(R_{theta JC})）最大為0.74°C/W。
• 結(jié)到環(huán)境的熱阻（(R_{theta JA})）最大為62.5°C/W。

在設(shè)計(jì)散熱方案時(shí)，需要根據(jù)實(shí)際的功率耗散和工作環(huán)境溫度，合理選擇散熱片等散熱措施，以確保器件工作在安全的溫度范圍內(nèi)。

5. 電氣特性

5.1 關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓（(BV_{DSS})）：在(V{GS}=0V)、(I{D}=250mu A)時(shí)，有相應(yīng)的擊穿電壓值。
• 擊穿電壓溫度系數(shù)（(Delta T_J)）：在(I_{D}=250mu A)、參考溫度為(25^{circ}C)時(shí)，為0.44V/°C。
• 零柵壓漏極電流（(I_{DSS})）：在(V{DS}=400V)、(V{GS}=0V)時(shí)，典型值為1μA；在(V_{DS}=320V)、(T_C = 125^{circ}C)時(shí)，典型值為10μA。
• 柵體泄漏電流：正向柵體泄漏電流（(I{GSSF})）在(V{GS}=30V)、(V{DS}=0V)時(shí)，典型值為100nA；反向柵體泄漏電流（(I{GSSR})）在(V{GS}=-30V)、(V{DS}=0V)時(shí)，典型值為 - 100nA。

5.2 導(dǎo)通特性

• 柵源閾值電壓（(V_{GS(th)})）：在(V{DS}=V{GS})、(I_{D}=250mu A)時(shí)，范圍為3.0 - 5.0V。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻（(R_{DS(on)})）：在(V{GS}=10V)、(I{D}=8.0A)時(shí)，典型值為0.21Ω，最大值為0.27Ω。
• 正向跨導(dǎo)（(g_{fs})）：在(V{DS}=50V)、(I{D}=8.0A)時(shí)，典型值為13。

5.3 動(dòng)態(tài)特性

• 輸入電容（(C_{iss})）：在(V{DS}=25V)、(V{GS}=0V)、(f = 1.0MHz)時(shí)，范圍為1800 - 2300pF。
• 輸出電容（(C_{oss})）：典型值為270 - 350pF。
• 反向傳輸電容（(C_{rss})）：典型值為30 - 40pF。

5.4 開關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時(shí)間（(t_{d(on)})）：在(RG = 25Ω)、(V{DD}=200V)、(I_{D}=17.2A)時(shí)，范圍為40 - 90ns。
• 導(dǎo)通上升時(shí)間（(t_r)）：范圍為185 - 380ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間（(t_{d(off)})）：范圍為90 - 190ns。
• 關(guān)斷下降時(shí)間（(t_f)）：范圍為105 - 220ns。
• 柵極總電荷（(Q_g)）：在(V{DS}=320V)、(I{D}=17.2A)、(V_{GS}=10V)時(shí)，范圍為45 - 60nC。
• 柵源電荷（(Q_{gs})）：為11.4nC。
• 柵漏電荷（(Q_{gd})）：為21.7nC。

5.5 漏源二極管特性

• 最大脈沖漏源二極管正向電流（(I{S})）為16A，脈沖峰值電流（(I{SM})）為64A，正向電壓（(V_{SD})）為1.5V。

6. 典型特性曲線

文檔中提供了多個(gè)典型特性曲線，這些曲線直觀地展示了器件在不同條件下的性能表現(xiàn)，例如：

• 導(dǎo)通區(qū)域特性曲線：展示了不同柵源電壓下，漏極電流與漏源電壓的關(guān)系。
• 傳輸特性曲線：體現(xiàn)了在不同溫度下，漏極電流與柵源電壓的關(guān)系。
• 導(dǎo)通電阻變化曲線：顯示了導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵源電壓的變化情況。

通過分析這些曲線，我們可以更好地了解器件的性能，為電路設(shè)計(jì)提供依據(jù)。

7. 封裝與訂購信息

FQP17N40采用TO - 220 - 3封裝，1000個(gè)/管（無鉛）。對于卷帶包裝規(guī)格，可參考Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。

8. 總結(jié)

Onsemi的FQP17N40 N溝道MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、良好的開關(guān)性能和高雪崩能量強(qiáng)度等特性，在開關(guān)模式電源、PFC等應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，合理選擇器件，并注意其絕對最大額定值和熱特性，以確保電路的性能和可靠性。大家在使用這款器件時(shí)，有沒有遇到過什么問題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)兀繗g迎在評論區(qū)分享。