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標(biāo)簽 > 功率mosfet
功率MOS場效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場效應(yīng)晶體管。
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探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù):從原理到應(yīng)用
探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù):從原理到應(yīng)用 在電子工程領(lǐng)域,功率MOSFET技術(shù)的不斷創(chuàng)新推動(dòng)著各類電力電子設(shè)備向更高效率、更高功率密...
一款功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成的H橋電流控制驅(qū)動(dòng)器
SS6952T有一路H橋驅(qū)動(dòng),可提供較大峰值電流7A,可驅(qū)動(dòng)一個(gè)刷式直流電機(jī),或者螺線管或者其它感性負(fù)載。
2025-08-13 標(biāo)簽:功率MOSFET控制驅(qū)動(dòng)器 856 0
飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議 全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌...
2010-04-26 標(biāo)簽:功率MOSFET 844 0
飛兆、英飛凌擴(kuò)展功率MOSFET封裝兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologi...
安森德半導(dǎo)體以功率MOSFET賦能無人機(jī)新未來
2024年,“低空經(jīng)濟(jì)”首次被寫入政府工作報(bào)告,標(biāo)志著這一新興產(chǎn)業(yè)正式上升為國家戰(zhàn)略。根據(jù)預(yù)測,2024年中國低空經(jīng)濟(jì)市場規(guī)模將突破6700億元,202...
120V低IQ理想二極管典型應(yīng)用與極限參數(shù)
產(chǎn)品描述: PC2781 是高邊驅(qū)動(dòng)控制器配合 N?溝道功率MOSFET?控制器,?在應(yīng)用時(shí)與外部 N?溝道功率MOSFET、電容儲(chǔ)存器共同使用,實(shí)現(xiàn)二...
深度解析SiC碳化硅功率MOSFET米勒效應(yīng):物理機(jī)制、動(dòng)態(tài)影響與橋式電路中的串?dāng)_抑制
深度解析SiC碳化硅功率MOSFET米勒效應(yīng):物理機(jī)制、動(dòng)態(tài)影響與橋式電路中的串?dāng)_抑制 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級代理商傾佳電...
SMAG1116LX N溝道功率MOSFET | 低導(dǎo)通電阻1.6mΩ
本文詳細(xì)介紹了晟朗微推出的高性能N溝道功率MOSFET——SMAG1116LX。該產(chǎn)品采用先進(jìn)溝槽技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻(1.6mΩ@Vgs=10V)...
MOT1126T 為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
MOT 1126T高壓MOSFET:100V耐壓/2.3mΩ導(dǎo)通電阻/250A大電流,TOLL封裝實(shí)現(xiàn)高效散熱與穩(wěn)定驅(qū)動(dòng),是電動(dòng)摩托車和工業(yè)電源系統(tǒng)的功...
2026-03-12 標(biāo)簽:功率MOSFET 219 0
安森美NVMFS5C612N:高性能N溝道功率MOSFET的卓越之選
安森美NVMFS5C612N:高性能N溝道功率MOSFET的卓越之選 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件,其性能直接影響著電路的效率和...
2026-04-04 標(biāo)簽:安森美功率MOSFETNVMFS5C612N 171 0
深入解析NVTFS6H860NL:高性能N溝道功率MOSFET的卓越之選
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2026-04-02 標(biāo)簽:功率MOSFET電氣特性NVTFS6H860NL 146 0
Onsemi NVMFS5C423NL:高性能單通道N溝道功率MOSFET深度剖析
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2026-04-07 標(biāo)簽:功率MOSFETonsemiNVMFS5C423NL 2 0
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