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標(biāo)簽 > 功率mosfet
功率MOS場效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場效應(yīng)晶體管。
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新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiH
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,...
2010-11-09 標(biāo)簽:功率MOSFET 2.2k 0
Vishay推出新款n溝道功率MOSFET 60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布, Vishay Siliconix推出新款n溝道功率M...
Vishay推出30V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET
全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Silic...
Vishay發(fā)布TrenchFET功率MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率...
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB
Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
最小導(dǎo)通電阻!瑞薩發(fā)售封裝為2mm見方的功率MOSFET
瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見方的產(chǎn)品中,實現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導(dǎo)通電阻”。
威世科技發(fā)布創(chuàng)新PowerPAK 8 x 8LR封裝功率MOSFET
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一項重大技術(shù)突破,推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封裝的第...
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA427DJ
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器...
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA923EDJ
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923ED...
TI推出業(yè)內(nèi)電阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET
德州儀器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管,電阻實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低,比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開關(guān)低90%,同時,使終端系統(tǒng)功耗得以降...
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST) 推出首款完全符合衛(wèi)星和運載火箭電子子系統(tǒng)質(zhì)量要求的功率系列產(chǎn)品。全新抗輻射功率MOSFET...
2011-06-15 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體晶體管功率MOSFET 1.8k 0
功率MOSFET是專門針對解決高功率電流和電壓的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),同樣是功率半導(dǎo)體中的一種。與其它功率半導(dǎo)體相比較,功率MO...
BD9B500MUV 功率MOSFET的同步整流降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器文檔介紹
BD9B500MUV是內(nèi)置低導(dǎo)通電阻的功率MOSFET的同步整流降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器。最大可輸出5A的電流。采用輕負(fù)載時進(jìn)行低消耗動作的獨有恒定時間控制方式...
2025-10-05 標(biāo)簽:功率MOSFET同步整流降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 1.7k 0
Microsemi推出RF功率MOSFET產(chǎn)品DRF1400
美高森美公司(MicrosemiCorporation) 宣布擴(kuò)展其RF功率產(chǎn)品線,推出了DRF1400功率MOSFET。
基于功率MOSFET設(shè)計考量 用作功率開關(guān)的MOSFET 隨著數(shù)十年來器件設(shè)計的不斷優(yōu)化,功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?..
2010-04-24 標(biāo)簽:功率MOSFET 1.6k 0
超越期望,引領(lǐng)控制革新——ASDM65N18S功率MOSFET
引言: 在現(xiàn)代高效能系統(tǒng)中,功率MOSFET扮演著至關(guān)重要的角色,它們是實現(xiàn)低功耗、高效率和精確控制的關(guān)鍵元件。為滿足不斷發(fā)展的市場需求,我們推出了全新...
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)開發(fā)出耐壓40V的功率MOSFET ,最適合用于以工業(yè)設(shè)備和車載領(lǐng)域為中心的、輸入電壓24V的DC/DC轉(zhuǎn)換器。
Mouser開始供應(yīng)Vishay Siliconix Si8802 TrenchFET功率MOSFET
Mouser Electronics開始供應(yīng)Vishay Siliconix第一款採用業(yè)界最小的晶片級封裝,并將導(dǎo)通電阻降至 1.2V 的 MOSFET。
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