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Microsemi推出RF功率MOSFET產(chǎn)品DRF1400

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2025-11-24 14:27:27203

選型手冊:MOT3136D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT3136D是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借2.4mΩ超低導(dǎo)通電阻、120A超大連續(xù)電流及優(yōu)異散熱封裝,適用于功率開關(guān)應(yīng)用、硬開關(guān)高頻
2025-11-21 10:46:19181

選型手冊:MOT3712G P 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT3712G是一款P溝道增強型功率MOSFET,憑借-30V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力,適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:P溝道
2025-11-21 10:31:06233

選型手冊:MOT8113T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT8113T是一款面向80V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借1.1mΩ超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率
2025-11-19 15:21:04220

選型手冊:MOT4383T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4383T是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借0.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率
2025-11-19 15:15:00183

功率MOSFET管的應(yīng)用問題分析

uA,為什么? 回復(fù):IDSS電流小,表明實際的漏電流小于測試規(guī)范的要求,因此產(chǎn)品合格。 問題24:功率MOSFET管損壞后,阻抗變?yōu)橐粋€中間值,有時工作有時不工作,為什么? 回復(fù):通常功率
2025-11-19 06:35:56

選型手冊:MOT3520J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

選型手冊:MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子(MOT)推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通電阻、高穩(wěn)定性及無鉛封裝特性,適用于
2025-11-18 16:08:14326

選型手冊:MOT5146T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT5146T是一款面向120V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借4.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、250A超大電流承載能力及先進溝槽單元設(shè)計,適用于高功率系統(tǒng)逆變器
2025-11-18 16:04:11277

選型手冊:MOT8120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT8120T是一款面向80V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借1.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、280A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率系統(tǒng)
2025-11-18 15:58:04228

選型手冊:MOT4529J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4529J是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通電阻、無鉛環(huán)保封裝特性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-11-17 11:27:39241

選型手冊:MOT2718J P - 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT2718J是一款P-溝道增強型功率MOSFET,憑借-20V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高效功率處理能力,適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-11-14 16:04:15309

選型手冊:MOT5130T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT5130T是一款面向120V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借2.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、211A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率
2025-11-14 12:03:12167

光頡科技TR50-RF系列TO-220封裝功率電阻器應(yīng)用解析

在開關(guān)電源、UPS系統(tǒng)、工業(yè)自動化控制器等電力電子設(shè)備中,功率電阻器扮演著不可或缺的角色。光頡科技推出的TR50-RF系列厚膜功率電阻,憑借TO-220封裝的優(yōu)良散熱特性和高達50W的功率處理能力
2025-11-11 11:57:54240

選型手冊:MOT50N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、50A大電流承載能力及快速開關(guān)特性,適用于各類開關(guān)應(yīng)用(如DC-DC
2025-11-11 09:18:36254

選型手冊:MOT9166T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT9166T是一款面向200V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借6mΩ超低導(dǎo)通電阻、114A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率系統(tǒng)
2025-11-10 16:01:46413

選型手冊:MOT6120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT6120T是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借1.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、229A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率系統(tǒng)
2025-11-10 15:50:16247

選型手冊:MOT70R380D N 溝道超級結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT70R380D是一款N溝道超級結(jié)功率MOSFET,憑借700V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性,適用于功率因數(shù)校正(PFC)、電源功率級、適配器、電機控制、DC-DC
2025-11-10 15:42:30277

選型手冊:MOT100N03MC N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT100N03MC是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、100A大電流承載能力及優(yōu)異的開關(guān)特性,適用于各類開關(guān)應(yīng)用(如
2025-11-06 15:44:22300

選型手冊:MOT5122T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

選型手冊:MOT5122TN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子(MOT)推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借120V耐壓、2.0mΩ超低導(dǎo)通損耗
2025-11-05 15:53:52207

選型手冊:MOT4111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率系統(tǒng)逆變器
2025-11-05 15:28:39205

傾佳電子基于并聯(lián)1400V SiC MOSFET的高功率交錯并聯(lián)三相四線制工商業(yè)儲能PCS設(shè)計與分析

傾佳電子基于并聯(lián)1400V SiC MOSFET的高功率交錯并聯(lián)三相四線制工商業(yè)儲能變流器PCS設(shè)計與分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要
2025-11-03 09:52:32288

選型手冊:MOT5122T 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借120V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及260A超大電流承載能力,廣泛適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、電池
2025-10-31 17:33:14177

英飛凌推出專為高功率與計算密集型應(yīng)用而設(shè)計的400V和440V MOSFET

及TO-247-3和TO-247-4封裝擴展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外,英飛凌還推出了三款額定電壓為440V(連續(xù))和455V(瞬態(tài))的TOLL封裝新產(chǎn)品
2025-10-31 11:00:59297

傾佳電子1400V碳化硅MOSFET綜合分析:器件特性與在先進電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的應(yīng)用價值

傾佳電子1400V碳化硅MOSFET綜合分析:器件特性與在先進電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的應(yīng)用價值 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-10-26 18:10:21881

傾佳代理的基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析

MOSFET分立器件產(chǎn)品組合具有強大的競爭力和先進的技術(shù)特性,能夠全面滿足高功率密度、高開關(guān)頻率以及高可靠性電源應(yīng)用的需求。該系列產(chǎn)品矩陣涵蓋 650?V、 750?V、 1200?V 和 1400
2025-10-21 10:12:15390

傾佳電子1400V碳化硅(SiC)MOSFET賦能新一代電力電子系統(tǒng)

1000V乃至更高1100V電壓的平臺。這一轉(zhuǎn)變對功率器件提出了前所未有的要求:不僅需要更高的阻斷電壓,還必須具備極致的開關(guān)速度和效率,以實現(xiàn)更高的功率密度和系統(tǒng)可靠性。在此背景下,傾佳電子力推基本半導(dǎo)體(BASiC Semiconductor)的1400V碳化硅(SiC)MOSFET系列產(chǎn)品。該系列以其
2025-10-11 18:28:36707

Nexperia推出功率工業(yè)應(yīng)用專用MOSFET

Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,為旗下不斷擴充的應(yīng)用專用MOSFET (ASFET)產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。ASFET系列的產(chǎn)品特性經(jīng)優(yōu)化調(diào)校,可滿足特定終端應(yīng)用的嚴(yán)苛需求。其中,80 V
2025-10-10 11:22:27700

傾佳電子1400V 碳化硅 (SiC) MOSFET 產(chǎn)品競爭力深度分析報告

傾佳電子1400V 碳化硅 (SiC) MOSFET 產(chǎn)品競爭力深度分析報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力
2025-09-28 09:32:07553

上海貝嶺IGBT與MOSFET高效能功率器件產(chǎn)品介紹

,持續(xù)迭代升級IGBT和MOSFET技術(shù)平臺,通過精密的芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計、優(yōu)化的制造工藝和先進的封裝方案,打造了一系列高性能、高可靠性的功率器件產(chǎn)品。這些產(chǎn)品旨在滿足嚴(yán)苛
2025-09-16 14:56:051645

派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢

1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件,具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性,專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET,SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401034

東芝推出三款最新650V SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:492081

新潔能推出增強型N溝道MOSFET系列產(chǎn)品

新潔能研發(fā)團隊溝槽型工藝平臺推出耐壓30V 1mΩ級別增強型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。
2025-08-22 18:02:351527

圣邦微電子推出單N溝道功率MOSFET SGMNL12330

圣邦微電子推出 SGMNL12330,一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用、電源負(fù)載開關(guān)、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:522287

密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34

MOSFET與IGBT的選擇對比:中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡

功率電子系統(tǒng)中,MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點,適用于不同的應(yīng)用場景。作為FAE,幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場景,能夠有效提高系統(tǒng)
2025-07-07 10:23:192439

用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2025-07-03 18:34:35

揚杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品

揚杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗,同時提升了MOSFET抗沖擊電流能力,非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。
2025-06-27 09:43:531352

新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品

作為國內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一,新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破,其研發(fā)團隊持續(xù)創(chuàng)新,正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET,電壓涵蓋25-150V系列產(chǎn)品
2025-06-11 08:59:592500

初級元器件知識之功率MOSFET

什么是功率 MOSFET? 我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對其進行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號流。此外,二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個信號
2025-06-03 15:39:43

使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點?

CCG8 使用 GPIO 來控制 FET 柵極驅(qū)動器的功率吸收路徑, 我可以使用 P-MOSFET 作為電源接收路徑嗎? 使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點?
2025-05-28 06:51:33

圣邦微電子推出30V單N溝道功率MOSFET SGMNQ36430

圣邦微電子推出 SGMNQ36430,一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負(fù)載開關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。
2025-05-09 16:57:26971

全球首款!英飛凌推出集成SBD的GaN FET產(chǎn)品

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日英飛凌推出全球首款集成SBD(肖特基二極管)的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列CoolGaN G5,該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能,進一步提升整體系統(tǒng)效率
2025-04-28 00:19:003055

Vishay推出第4.5代650V E系列高效能電源MOSFET

VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET,型號為SiHK050N65E。該產(chǎn)品推出旨在提升電信、工業(yè)
2025-03-27 11:49:46945

MOSFET與IGBT的區(qū)別

飛兆半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 (屬于SMPS2系列)和MOSFET器件 FCP11N60(屬于SuperFET 產(chǎn)品族)。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC,代表了功率
2025-03-25 13:43:17

MAX2204 RF功率檢測器技術(shù)手冊

MAX2204 RF功率檢測器設(shè)計為工作在450MHz至2.5GHz頻率范圍。該器件可理想用于寬帶碼分多址(WCDMA)、cdma2000?和高速上行/下行包存取應(yīng)用。MAX2204的輸入端接受RF
2025-03-25 11:16:51822

英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET,助力低地球軌道應(yīng)用

英飛凌(Infineon)近日宣布,擴大其輻射耐受功率MOSFET系列,新增P溝道功率MOSFET,以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品推出,標(biāo)志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736

新潔能推出HO系列MOSFET產(chǎn)品

隨著市場對高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長,新潔能(NCE)產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品,優(yōu)化了SOA工作區(qū)間,可滿足熱插拔、緩啟動、電子保險絲、電機驅(qū)動、BMS
2025-03-04 14:40:341237

瑞薩電子推出全新100V大功率MOSFET

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商瑞薩電子,近日宣布了一項重要技術(shù)創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1,成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET:RBA300N10EANS
2025-01-22 17:04:06991

SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,助力中壓大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域

近日,全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品,專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計。
2025-01-22 11:03:221221

RF3932D寬帶放大器現(xiàn)貨庫存RF-LAMBDA

RF3932D寬帶放大器現(xiàn)貨庫存RF-LAMBDARF3932D專門為商業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)、蜂窩網(wǎng)絡(luò)和WiMAX基礎(chǔ)設(shè)施及其通用型寬帶放大器應(yīng)用需求設(shè)計。使用最先進的高功率密度氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體
2025-01-22 09:03:00

瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET,助力多領(lǐng)域應(yīng)用

近日,瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計,以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點。新型
2025-01-13 11:41:38957

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