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      電子發(fā)燒友網>新品快訊>最小導通電阻！瑞薩發(fā)售封裝為2mm見方的功率MOSFET

      最小導通電阻！瑞薩發(fā)售封裝為2mm見方的功率MOSFET

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      2025-11-07 10:54:01164

      選型手冊：MOT4111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

      仁懋電子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器
      2025-11-05 15:28:39205

      選型手冊：MOT1793G P 溝道功率 MOSFET 晶體管

      仁懋電子（MOT）推出的MOT1793G是一款面向-100V低壓大電流場景的P溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、18A大電流承載能力及PDFN小型化封裝，廣泛適用于DC/DC轉換器等高
      2025-11-05 12:01:34245

      參展圓滿落幕｜江西薩瑞微電子亮相2025深圳電子元器件展，綻放芯力量！

      展會盛況規(guī)模空前，精英匯聚NEWS”功率半導體全系列解決方案薩瑞微電子重點展示了其新一代SGTMOSFET系列產品，覆蓋40V-150V全電壓范圍，其優(yōu)化的導通電阻表現(xiàn)引發(fā)了專業(yè)觀眾的濃厚興趣。同時
      2025-10-31 14:14:12357

      ?STP80N1K1K6：基于MDmesh K6技術的超高效功率MOSFET解析

      STMicroelectronics STP80N1K1K6 N溝道功率MOSFET采用MDmesh K6技術，利用了20年的超級結技術經驗。STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET具有出色的每面積導通電阻和柵極電荷。該器件非常適用于高功率密度和高效應用。
      2025-10-23 15:08:58415

      體積更小且支持大功率！ROHM開始量產TOLL封裝的SiC MOSFET

      全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）宣布，已開始量產TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產品
      2025-10-23 11:25:48335

      高分子固態(tài)電容的封裝革新：薄型設計（厚度＜2mm），適配緊湊電路

      隨著電子設備向輕薄化、高性能化方向發(fā)展，電路板空間日益成為稀缺資源。在這一背景下，高分子固態(tài)電容的封裝技術迎來了革命性突破——厚度小于2mm的薄型設計正成為行業(yè)新趨勢。這種革新不僅重新定義了電容器
      2025-09-22 14:03:46451

      合科泰MOSFET SI2301的核心優(yōu)勢和應用場景

      合科泰SI2301是一款采用SOT-23封裝的P-CHANNEL MOSFET，專為DC-DC轉換器與負載開關設計。2.8-3.0mm×1.2-1.4mm的超小尺寸適合高密度PCB布局，通過超低導通電阻、快速開關特性與高可靠性設計，為電子設備提供高效能功率控制解決方案。
      2025-09-03 10:06:551048

      TPS22995低導通電阻負載開關技術解析與應用指南

      Texas Instruments TPS22995導通電阻負載開關支持可配置上升時間，以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負載開關包含一個可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內運行的N溝道MOSFET，并且支持3.8A的最大連續(xù)電流。
      2025-09-02 14:57:49637

      CoolSiC? MOSFET G2導通特性深度解析：高效選型指南

      邏輯與應用價值。在MOSFET設計選型過程中，工程師往往會以MOSFET常溫下漏源極導通電阻RDS(on)作為第一評價要素。RDS(on)往往會體現(xiàn)在產品型號中，比
      2025-09-01 20:02:00922

      一文探究SiC MOSFET的短路魯棒性

      SiC MOSFET具有導通電阻低、反向阻斷特性好、熱導率高、開關速度快等優(yōu)勢，在高功率、高頻率應用領域中占有重要地位。然而，SiC MOSFET面臨的一個關鍵挑戰(zhàn)是降低特征導通電阻（RON,SP）與提升短路耐受時間(tSC)之間的權衡。
      2025-08-04 16:31:123053

      基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

      基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術，在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
      2025-08-01 10:25:141293

      中低壓MOS管MDD80N03D數據手冊

      ● 溝槽式功率低壓MOSFET技術?● 卓越的散熱封裝設計?● 低導通電阻的高密度單元結構?● 無鹵素環(huán)保工藝
      2025-07-09 16:20:220

      中低壓MOS管MDD50N03D數據手冊

      ● 溝槽式功率低壓MOSFET技術?● 卓越的散熱封裝設計?● 高密度單元結構實現(xiàn)低導通電阻?● 無鹵素環(huán)保工藝
      2025-07-09 16:04:330

      傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊

      傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關鍵詞：1200V/540A、2.5mΩ超低導通電阻、175℃高溫
      2025-06-24 07:58:29460

      CoolSiC? MOSFET G2導通特性解析

      問題。今天的文章將會主要聚集在G2的導通特性上。在MOSFET設計選型過程中，工程師往往會以MOSFET常溫下漏源極導通電阻RDS(on)作為第一評價要素。RDS(o
      2025-06-16 17:34:51710

      LMR43620-Q1 具有低 IQ 的汽車類 3V 至 36V、2A 低 EMI 同步降壓穩(wěn)壓器數據手冊

      LMR436x0-Q1 是業(yè)界最小的 36V、2A 和 1A 同步降壓直流/直流轉換器，采用 2mm × 2mm HotRod 封裝。這款易于使用的轉換器支持 3.0V 至 36V 的寬輸入電壓范圍
      2025-06-09 11:03:24692

      LMR43610-Q1 具有低 IQ 的汽車類 3V 至 36V、1A、低 EMI 同步降壓穩(wěn)壓器數據手冊

      LMR436x0-Q1 是業(yè)界最小的 36V、2A 和 1A 同步降壓直流/直流轉換器，采用 2mm × 2mm HotRod 封裝。這款易于使用的轉換器支持 3.0V 至 36V 的寬輸入電壓范圍
      2025-06-08 15:18:29778

      MOSFET導通電阻參數解讀

      導通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測試條件下，使MOSFET處于完全導通狀態(tài)時（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導通狀態(tài)下對電流通過的阻礙程度。
      2025-05-26 15:09:343805

      【KUU重磅發(fā)布】2款100V耐壓雙MOSFET以5mm×6mm和3mm×3mm尺寸及超低導通電阻，助力通信基站高效節(jié)能

      隨著通信基站和工業(yè)設備電源系統(tǒng)向48V升級，高效、節(jié)能的元器件需求日益迫切。KUU憑借先進工藝與封裝技術，全新推出2款100V耐壓雙MOSFET，以超低導通電阻和緊湊尺寸，為風扇電機驅動提供高性能
      2025-04-30 18:33:29877

      2N7002KDW SOT363：小封裝、高ESD保護的N溝道MOSFET規(guī)格書

      2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護功能，兼具低導通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其成為便攜式設備、信號開關和ESD敏感電路的理想選擇。
      2025-04-29 18:14:340

      【RA-Eco-RA4M2開發(fā)板評測】初學瑞薩-使用瑞薩flash programmer燒錄程序

      本人剛入坑不久，對單片機的熱情很高，于是也加入了瑞薩的板子申請隊伍，很榮幸也成為了試用者之一，此前對于瑞薩的板子從未接觸過，包括對于使用e2studio編寫程序燒錄等工作也是從小白開始，跟著官方給
      2025-04-29 17:28:12

      【RA-Eco-RA4M2開發(fā)板評測】試用瑞薩flash programmer燒錄

      本人剛入坑不久，對單片機的熱情很高，于是也加入了瑞薩的板子申請隊伍，很榮幸也成為了試用者之一，此前對于瑞薩的板子從未接觸過，包括對于使用e2studio編寫程序燒錄等工作也是從小白開始，跟著官方給
      2025-04-28 19:12:27

      2N7002KDW SOT363：小封裝、高ESD保護的N溝道MOSFET，助力精密電路設計

      2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護功能，兼具低導通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其
      2025-04-27 16:59:26

      ROHM 30V耐壓Nch MOSFET概述

      AW2K21是一款同時實現(xiàn)了超小型封裝和超低導通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET電路源極的共源電路，不僅能以一體化封裝實現(xiàn)雙向電路保護，還可以通過改變引腳連接來作為單MOSFET使用。
      2025-04-17 14:55:11615

      CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊

      方框圖 1. 產品概述 ? 型號 ?：CSD17581Q3A ? 類型 ?：30V N溝道 NexFET? 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 ? 特點 ?：低柵極電荷（Q_g）、低導通電阻（R_DS(on)）、低熱阻、雪崩額定、無鉛、
      2025-04-16 11:25:34775

      CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數據手冊

      mm 塑料封裝 參數 方框圖 1. 產品概述 ? 型號 ?：CSD18513Q5A ? 類型 ?：40V N溝道 NexFET 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點 ?：低導通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無鉛端
      2025-04-16 10:54:00755

      CSD18511Q5A 40V、N通道 NexFET? 功率 MOSFET，單 SON 5mm x 6mm，2.3mOhm技術手冊

      ） 低熱阻 雪崩評級 邏輯電平 無鉛端子電鍍 符合 RoHS 標準 無鹵素 SON 5 mm × 6 mm 塑料封裝 參數 方框圖 1. 產品特性 ? 低導通電阻 ?：RDS(on)在VGS=10V
      2025-04-16 10:45:52677

      CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數據手冊

      3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 參數 方框圖 1. 產品特性 ? 超低柵極電荷（Q_g 和 Q_gd） ?：有助于減少開關損耗。 ? 低導通電阻（R_DS(on)） ?：在V_GS = 10V時，導通電阻為8.1 mΩ，有助于降低功耗。 ? 低熱阻 ?：結到殼熱阻
      2025-04-16 10:35:32787

      CSD18512Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET數據手冊

      產品概述 ? 型號 ?：CSD18512Q5B ? 類型 ?：40V N溝道 NexFET? 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點 ?：低導通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無鉛端子鍍
      2025-04-16 10:20:33784

      CSD18510Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊

      塑料封裝 參數 方框圖 1. 產品特性 ? 低導通電阻（R_DS(on)） ?：在V_GS = 10V時，導通電阻僅為0.79 mΩ，有助于減少功率損耗。 ? 低熱阻 ?：結到殼熱阻（R_θJC）僅為0.8°C/W，有助于散熱。 ? 邏輯電平兼容
      2025-04-16 10:05:07663

      CSD87313DMS 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、雙共漏 SON 3mm x 3mm、5.5mOhm數據手冊

      CSD87313DMS 是一款 30V 共漏極、雙 N 通道器件，專為 USB Type-C/PD 和電池保護而設計。這款 SON 3.3mm × 3.3mm 器件具有低源極到源導通電阻，可最大限度地減少損耗，并為空間受限的應用提供低元件數量。
      2025-04-16 09:55:06835

      CSD22206W -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單通道 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、5.7 mOhm、柵極ESD保護數據手冊

      這款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導通電阻和柵極電荷，并在超薄外形中具有出色的熱特性。低導通電阻、小尺寸和扁平外形使該器件成為電池供電空間受限應用的理想選擇。
      2025-04-16 09:32:28634

      CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護數據手冊

      這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 （LGA） NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導通電阻和柵極電荷，并在超扁平中具有出色的熱特性?；鍠鸥耜嚵?（LGA） 封裝是一種硅芯片級封裝，采用金屬焊盤而不是焊球。
      2025-04-16 09:18:13614

      CSD17318Q2 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊

      這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉換應用中的損耗，并針對 5V 柵極驅動應用進行了優(yōu)化。2mm × 2mm SON 為封裝尺寸提供出色的熱性能。
      2025-04-15 17:08:38699

      CSD18511KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊

      CSD18511KCS 是一款40V、2.1mΩ的N溝道NexFET?功率MOSFET，設計用于最小化功率轉換應用中的損耗。它采用TO-220塑料封裝，具有低柵極電荷（Qg）和低導通電阻（RDS(ON)），適用于次級側同步整流和電機控
      2025-04-15 16:23:11772

      【瑞薩RA2L1入門學習】+PWM呼吸燈

      、通信到功率控制與變換的許多領域中。 在瑞薩RA系列MCU中有兩種定時器，一種是通用PWM定時器GPT，另外一種是異步通用定時器AGT 3.配置LED1
      2025-03-30 22:28:47

      【瑞薩RA2L1入門學習】+e2_studio軟件安裝及使用

      一、e2_studio軟件安裝及使用 注冊e2 studio | Renesas 瑞薩電子 下載軟件 安裝 4.創(chuàng)建工程 更改工程位置 新建 新建成功
      2025-03-27 13:25:20

      MOSFET開關損耗計算

      損耗對溫度關系圖 圖 2 為 Power MOSFET 之安全工作區(qū)示意圖，其安全區(qū)主要由四個條件所決定：導通電阻 RDSON、最大脈波電流 IDpulse、最大功率損耗 PD 及最大耐壓 VBR
      2025-03-24 15:03:44

      ROHM推出超低導通電阻和超寬SOA范圍的Nch功率MOSFET

      全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級高性能服務器和AI服務器電源，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
      2025-03-13 15:08:041206

      Banana Pi 與瑞薩電子攜手共同推動開源創(chuàng)新：BPI-AI2N

      與嵌入式系統(tǒng)的優(yōu)勢，該聯(lián)合解決方案旨在打造更開放、更靈活的軟硬件平臺。 “此次合作將提升瑞薩在開源社區(qū)的知名度?；?RZ/V2N 的突破性 BPI-AI2N SOM 有望對多個行業(yè)產生重大影響，為工程師
      2025-03-12 09:43:50

      一文帶你讀懂MOSFET開關損耗計算?。。夥e分）

      最大功率損耗對溫度關系圖 圖 2 為 Power MOSFET 之安全工作區(qū)示意圖，其安全區(qū)主要由四個條件所決定：導通電阻 RDSON、最大脈波電流 IDpulse、最大功率損耗 PD 及最大耐壓
      2025-03-06 15:59:14

      MOSFET開關損耗和主導參數

      開關過程中柵極電荷特性 開通過程中，從t0時刻起，柵源極間電容開始充電，柵電壓開始上升，柵極電壓為 其中：，VGS為PWM柵極驅動器的輸出電壓，Ron為PWM柵極驅動器內部串聯(lián)導通電阻，Ciss為
      2025-02-26 14:41:53

      導通電阻驟降21%！Wolfspeed第4代SiC技術平臺解析

      ，Wolfspeed第4代技術專為簡化大功率設計中常見的開關行為和設計挑戰(zhàn)而設計，并為 Wolfspeed 的各類產品（包括功率模塊、分立元件和裸芯片產品）制定了長遠的發(fā)展規(guī)劃路線圖。 ? 導通電阻大幅下降，開關損耗降低，安全冗余更高 ? Wolfspeed的第4代SiC MOSFET技術主要的提升在于三個部分，首
      2025-02-13 00:21:001523

      瑞薩電子推出全新100V大功率MOSFET

      全球領先的半導體解決方案提供商瑞薩電子，近日宣布了一項重要技術創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1，成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET：RBA300N10EANS
      2025-01-22 17:04:06991

      SGT MOSFET的優(yōu)勢解析

      SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進的功率半導體器件。這種技術改變了MOSFET內部電場的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場進一步的變更為類似壓縮的梯形電場，可以進一步減小EPI層的厚度，降低導通電阻Rds(on)。
      2025-01-22 13:55:545890

      瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多領域應用

      MOSFET的核心亮點在于采用了瑞薩電子創(chuàng)新的晶圓制造工藝——REXFET-1。這項技術有效降低了MOSFET的導通電阻(Rdson)高達30%，從而顯著減少了功率損耗，為
      2025-01-13 11:41:38957

      圣邦微電子推出超小封裝MOSFET器件SGMNQ32430

      圣邦微電子推出 SGMNQ32430，一款 30V，功率型，3.1mΩ 超低導通電阻，單通道 N 型，采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封裝的 MOSFET 器件。該器件可應用于 VBUS 過電壓保護開關，電池充放電開關和直流-直流轉換器。
      2025-01-08 16:34:241182

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