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半導(dǎo)體材料

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半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。

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半導(dǎo)體材料資訊

長光華芯出售設(shè)備與惟清半導(dǎo)體共建碳化硅項目

據(jù)悉，此次股權(quán)交易涉及到77臺半導(dǎo)體工藝及制程相關(guān)的機(jī)器設(shè)備，包括半導(dǎo)體材料生長、晶圓制造、芯片解析等多個環(huán)節(jié)所需的生產(chǎn)工具和輔助系統(tǒng)。該批設(shè)備是長光華...

2023-12-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料晶圓制造長光華芯 2.8k 0

研究人員研制出可實現(xiàn)心肌細(xì)胞的實時動態(tài)力成像的壓電光電子學(xué)納米“天線”陣列

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2021-06-09 標(biāo)簽：納米半導(dǎo)體材料陣列 2.8k 0

2018年全球半導(dǎo)體材料銷售額519.4億美元，創(chuàng)歷史新高

全球半導(dǎo)體材料市場在2018年增長10.6％，推動半導(dǎo)體材料銷售額達(dá)到519.4億美元，超過2011年471億美元的歷史高位。

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Micro USB接口應(yīng)避免的使用誤區(qū)

Micro USB接口在使用中應(yīng)避免以下幾個誤區(qū)：一、插拔不當(dāng) 暴力插拔：避免直接用手扯著連接插頭的電線拉扯或用力拔出。這種暴力的插拔方式可能導(dǎo)致M...

2024-11-27 標(biāo)簽：接口 MICRO 短路 2.8k 0

8月1日快訊：光速被“降服”/棱鏡門升級

棱鏡門再次升級，揭秘者斯諾登突然打破沉默再度爆猛料，美國國家安全局(NSA)所開發(fā)的一個互聯(lián)網(wǎng)監(jiān)視系統(tǒng)“Xkeyscore”能夠隨時查看各類隱私信息.我...

2013-08-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料棱鏡門電子快訊 2.7k 0

天津市成像與感知微電子技術(shù)重點實驗室舉辦第一屆第五次學(xué)術(shù)委員會會議

來自中科院半導(dǎo)體研究所、河北工業(yè)大學(xué)和天津理工大學(xué)的三位2019年重點實驗室開放基金負(fù)責(zé)人分別針對項目情況進(jìn)行了成果匯報。隨后，來自天津大學(xué)的三位專家分...

2020-09-26 標(biāo)簽：集成電路圖像傳感器半導(dǎo)體材料 2.7k 0

半導(dǎo)體發(fā)展:半導(dǎo)體材料將走向“納米化”

半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。伴隨著半導(dǎo)體市場的壯大，半導(dǎo)體材料也不斷獲得突破。半導(dǎo)體納米科學(xué)技術(shù)的應(yīng)用，將從原子、分子、納米尺度水平上，控制和制...

2012-02-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 2.7k 0

半導(dǎo)體材料投資困境與破局策略

以半導(dǎo)體上游材料產(chǎn)業(yè)為研究對象，本文聚焦三個問題：國產(chǎn)半導(dǎo)體材料面臨怎樣的發(fā)展時機(jī)？哪些細(xì)分領(lǐng)域值得重點關(guān)注？賽道玩家如何穿越周期獲得持續(xù)增長？

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韓國中小型半導(dǎo)體材料和零部件制造商競爭力有所提高

據(jù)韓媒businesskorea報道，日本去年宣布對韓國企業(yè)實施出口限制，引發(fā)了韓國中小型半導(dǎo)體材料和零部件制造商的擔(dān)憂。

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最新材料碳化硅(SiC) MOSFET已發(fā)布

SiCMOSFET支持高能效、小外形、強(qiáng)固和高性價比的高頻設(shè)計，用于汽車、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng) 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體，推出了兩款新的碳化...

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作為產(chǎn)業(yè)上游關(guān)鍵，國產(chǎn)半導(dǎo)體材料進(jìn)展如何？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2023年中國半導(dǎo)體材料市場規(guī)模為146億元，同比增長12%；2016-2023年復(fù)合增長率為10%，高于同...

2024-10-12 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體設(shè)備 2.6k 0

研究人員開發(fā)出了一種超級半導(dǎo)體材料

研究人員正在探索用于紅外探測器應(yīng)用的鋁和碳納米管。他們知道，在小的貴金屬顆粒（例如，金，銀，鉑）上照射光會引起所謂的等離子體效應(yīng)，其中材料上的電荷以一種...

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霍爾傳感器芯片該如何選型

根據(jù)霍爾效應(yīng)用半導(dǎo)體材料制成的元件叫霍爾元件。它具有對磁場敏感、結(jié)構(gòu)簡單、體積小、頻率響應(yīng)寬、輸出電壓變化大和使用壽命長等優(yōu)點。因此，在測量、自動化、計...

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日本氧化鎵的新進(jìn)展

FLOSFIA 的氧化鎵功率器件使用一種稱為α-Ga2O3的材料。氧化鎵具有不同晶形的β-Ga2O3，結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。然而，由于α型在帶隙等特性方面優(yōu)越（S...

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針對我國重點應(yīng)用領(lǐng)域急需的新材料產(chǎn)業(yè)情況進(jìn)行了研究與分析

半導(dǎo)體和顯示行業(yè)的核心材料、器件、設(shè)備幾乎全部依賴進(jìn)口。對于本土投資者、創(chuàng)業(yè)者來說，這是一次鳳凰涅槃的巨大機(jī)會。數(shù)據(jù)顯示，半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化率普遍偏低，進(jìn)...

2021-03-30 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體材料硅片 2.6k 0

氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù)制造

氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成...

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商務(wù)部和海關(guān)總署發(fā)布公告，對鎵、鍺相關(guān)物限制出口

該公告規(guī)定了涉及金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵，以及金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長襯底、二氧化鍺、四氯化鍺等相關(guān)物...

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不同類型光敏電阻的優(yōu)缺點

光敏電阻概述光敏電阻，也稱為光敏電阻器或光敏元件，是一種光敏元件，其電阻值隨入射光的強(qiáng)度變化而變化。它們通常由半導(dǎo)體材料制成，如硫化鎘（CdS）、硒化...

2025-01-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料光敏電阻光敏元件 2.5k 0

納米銀燒結(jié)技術(shù)：SiC半橋模塊的性能飛躍

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SK海力士公布了其在2020年創(chuàng)造社會價值方面取得的成果

得益于半導(dǎo)體市況較去年有所改善，間接經(jīng)濟(jì)貢獻(xiàn)成果創(chuàng)造的社會價值相比2019年實現(xiàn)同比增長32%（1.3143萬億韓元）。但是，由于溫室氣體排放等環(huán)境因素...

2021-05-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料固態(tài)硬盤 SK海力士 2.5k 0

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3D打?。?DP）即快速成型技術(shù)的一種，它是一種以數(shù)字模型文件為基礎(chǔ)，運用粉末狀金屬或塑料等可粘合材料，通過逐層打印的方式來構(gòu)造物體的技術(shù)。
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半導(dǎo)體芯片

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揭開Nvidia CEO 黃仁勛傳奇人生
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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺積電，后來到三星，現(xiàn)在為中芯國際執(zhí)行長。
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MACOM是一家高性能模擬射頻、微波、毫米波和光電解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，總部位于美國馬薩諸塞州洛厄爾，擁有超過60年的歷史。總部設(shè)在美國洛厄爾，馬薩諸塞州。
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北京時間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動通信大會2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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