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基本半導(dǎo)體

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深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。

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基本半導(dǎo)體資訊

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。

2025-08-01 標(biāo)簽：MOSFET 封裝功率模塊 1.6k 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器BTD3011(替代SI8273DB-IS1R)用于10KW光伏逆變器

光伏逆變器是整個(gè)光伏發(fā)電體系的系統(tǒng)中最重要的一個(gè)部分，逆變器的效率決定著光伏發(fā)電的效率，所以需要實(shí)現(xiàn)高可靠性是一個(gè)逆變器的重要指標(biāo)。本文講述采用基本半導(dǎo)...

2022-09-08 標(biāo)簽：光伏逆變器基本半導(dǎo)體國芯思辰 1.6k 0

基本半導(dǎo)體榮獲中國電驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)SiC模塊TOP企業(yè)獎(jiǎng)

6月19-20日，2024第四屆全球xEV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)技術(shù)暨產(chǎn)業(yè)大會(huì)在上海隆重舉辦。在同期舉辦的2024中國優(yōu)秀電驅(qū)動(dòng)企業(yè)&優(yōu)秀產(chǎn)品頒獎(jiǎng)盛典上，基本...

2024-06-21 標(biāo)簽：功率器件 SiC 基本半導(dǎo)體 1.6k 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氫能源發(fā)電機(jī)，工作結(jié)溫-55~175℃

氫能發(fā)電機(jī)特指以氫氣為原料的發(fā)電機(jī)，原理類似傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)，經(jīng)過吸氣、壓縮、爆炸、排氣過程，帶動(dòng)電機(jī)產(chǎn)生電流輸出。氫能發(fā)電機(jī)是一種環(huán)保型的發(fā)電設(shè)備，具有無噪...

2022-11-09 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體氫能源發(fā)電機(jī) 1.6k 0

深圳基本半導(dǎo)體公司成功研發(fā)溝槽型碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)及制備技術(shù)

具體來說，該結(jié)構(gòu)由以下幾部分組成：首先是n+型碳化硅襯底，接著是n-型漂移層和n型電流傳輸層，這三者自下而上依次排列。在n型電流傳輸層的頂部，從外部向內(nèi)...

2024-04-19 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅基本半導(dǎo)體 1.5k 0

基本半導(dǎo)體榮獲麥田能源2024年度最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)

近日，基本半導(dǎo)體憑借出色的產(chǎn)品質(zhì)量和優(yōu)質(zhì)的客戶服務(wù)，再次獲得客戶的高度認(rèn)可，榮獲由麥田能源頒發(fā)的2024年度“最佳供應(yīng)商”獎(jiǎng)項(xiàng)。這一榮譽(yù)不僅是對(duì)基本半導(dǎo)...

2025-01-21 標(biāo)簽：逆變器儲(chǔ)能系統(tǒng)基本半導(dǎo)體 1.5k 0

東芝亮相2025上海國際電力元件和可再生能源管理展覽會(huì)

2025年9月24日 — 9月26日，作為電力電子和能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的國際盛會(huì)，2025 PCIM Asia（上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)）于9月...

2025-09-28 標(biāo)簽：東芝電力能源基本半導(dǎo)體 1.5k 0

中歐“大咖”齊聚深圳，共話第三代半導(dǎo)體發(fā)展

第三屆“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。

2019-09-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體青銅劍科技基本半導(dǎo)體 1.5k 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體?650V碳化硅肖特基二極管B2D20065HC1替代C3D20065D助力1.3kW服務(wù)器電源

如圖為1.3kW服務(wù)器電源電路框圖，主功率框架包括EMI濾波、單相整流、PFC、半橋LLC以及同步整流等組成，輸出12V電壓；在PFC功率因數(shù)校正部分，...

2022-11-23 標(biāo)簽：二極管基本半導(dǎo)體國芯思辰 1.5k 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體SiC肖特基二極管助力OBC發(fā)展，650V B1D系列可P2P替代Wolfspeed的C3D系列?

采用SiC功率器件可有效提高電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，獲得更高的擊穿電壓、更低的開啟電阻、更大的熱導(dǎo)率；并且能保證在更高溫度下可以穩(wěn)定工作，使電動(dòng)汽車或混合動(dòng)力...

2022-10-26 標(biāo)簽：二極管基本半導(dǎo)體國芯思辰 1.4k 0

基本半導(dǎo)體攜碳化硅MOSFET新品亮相SNEC國際光伏展

? 5月， SNEC第十六屆（2023）國際太陽能光伏與智慧能源大會(huì) 在上海新國際博覽中心重磅舉行。基本半導(dǎo)體攜旗下第二代碳化硅MOSFET系列新品 ...

2023-05-30 標(biāo)簽：光伏碳化硅基本半導(dǎo)體 1.4k 0

國芯思辰｜可替換C3D10065A的碳化硅肖特基二極管：基本半導(dǎo)體650V/10AB2D10065K1助力1KW PFC電源設(shè)計(jì)

在1KWPFC電源設(shè)計(jì)中，功率因數(shù)校正部分市場(chǎng)上主流的器件方案為SiMOS管：Q1\Q2、續(xù)流二極管D1/D2、升壓電感L1/L2組成，為后級(jí)提供穩(wěn)定的...

2022-11-15 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體 1.4k 0

基本半導(dǎo)體在NEPCON JAPAN展示碳化硅功率器件領(lǐng)先技術(shù)

近日，第38屆日本國際電子科技博覽會(huì)（NEPCON JAPAN）在東京有明國際展覽中心（TOKYO BIG SIGHT）盛大舉行。此次盛會(huì)，作為亞洲電子...

2024-03-04 標(biāo)簽：功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 1.4k 0

基本半導(dǎo)體獲博世戰(zhàn)略投資

博世集團(tuán)是全球領(lǐng)先的技術(shù)和服務(wù)供應(yīng)商，業(yè)務(wù)涵蓋汽車與智能交通技術(shù)、工業(yè)技術(shù)、消費(fèi)品以及能源與建筑技術(shù)領(lǐng)域。

2021-03-05 標(biāo)簽：智能交通碳化硅博世 1.4k 0

基本半導(dǎo)體（BASiC Semiconductor）碳化硅MOSFET跨導(dǎo)特性及其與英飛凌主流同規(guī)格產(chǎn)品對(duì)比的深度研究報(bào)告

基本半導(dǎo)體（BASiC Semiconductor）碳化硅MOSFET跨導(dǎo)特性及其與英飛凌主流同規(guī)格產(chǎn)品對(duì)比的深度研究報(bào)告傾佳電子（Changer T...

2025-11-22 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅基本半導(dǎo)體 1.4k 0

基本半導(dǎo)體與中汽芯達(dá)成戰(zhàn)略合作

8月23日，深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱“基本半導(dǎo)體”）與中汽芯（深圳）科技有限公司（簡稱“中汽芯”）簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。

2025-08-26 標(biāo)簽：功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 1.4k 0

基本半導(dǎo)體登上央視財(cái)經(jīng)《中國經(jīng)濟(jì)大講堂》

5月19日，央視財(cái)經(jīng)頻道《中國經(jīng)濟(jì)大講堂》特別策劃《產(chǎn)業(yè)鏈中堅(jiān)話強(qiáng)鏈》系列節(jié)目，特邀國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“新能源汽車”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組專家、比亞迪集團(tuán)首席...

2024-05-21 標(biāo)簽：新能源汽車電機(jī)控制功率器件 1.4k 0

基本半導(dǎo)體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

近日，全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會(huì)展中心盛大開幕。基本半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動(dòng)解決方案...

2025-05-09 標(biāo)簽：功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 1.4k 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體650V碳化硅肖特基二極管B2D30065HC1可替代C3D30065D用于5G微基站電源

第5代通信技術(shù)5G頻率越高，穿透和繞射能力會(huì)相對(duì)下降，信號(hào)智能直射傳播，很多偏僻地方就會(huì)收不到信號(hào)，微基站很好彌補(bǔ)了這項(xiàng)缺陷。微基站是一種從產(chǎn)品形態(tài)、發(fā)...

2022-11-03 標(biāo)簽：微基站基本半導(dǎo)體 1.3k 0

基本半導(dǎo)體攜汽車級(jí)碳化硅功率模塊產(chǎn)品亮相TMC 2024

7月4-5日，由中國汽車工程學(xué)會(huì)主辦的第十六屆汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)年會(huì)（TMC 2024）在青島盛大舉行?；景雽?dǎo)體攜旗下全系汽車級(jí)碳化硅功率模塊等產(chǎn)品亮相...

2024-07-08 標(biāo)簽：碳化硅汽車動(dòng)力系統(tǒng)基本半導(dǎo)體 1.3k 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過來的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬伏的高頻電壓。
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電路過電流過電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過電流和過電壓均進(jìn)行保護(hù)。
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74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門電路，它滿足與非門的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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