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基本半導(dǎo)體

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深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。

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基本半導(dǎo)體資訊

基本半導(dǎo)體發(fā)布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計(jì)，開發(fā)出了短路耐受時(shí)間長，導(dǎo)通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能...

2019-01-17 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體器件碳化硅 1.1萬 0

國內(nèi)碳化硅“先鋒”，基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些？

基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應(yīng)用。在1...

2021-11-29 標(biāo)簽：模塊 MOSFET 碳化硅 9.9k 0

年產(chǎn)100萬！SiC模塊封裝產(chǎn)線正式動工

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日有網(wǎng)友在社交媒體透露，基本半導(dǎo)體（中山）有限公司年產(chǎn)100萬只碳化硅模塊封裝產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目開始動工，進(jìn)入打樁階段。 ? ...

2025-12-03 標(biāo)簽：封裝碳化硅基本半導(dǎo)體 8.9k 0

SiC需求爆發(fā)！賽道正式開啟，國內(nèi)企業(yè)迅速就位

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠）功率器件從硅基向碳化硅的轉(zhuǎn)型，成為了半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域快速發(fā)展的一個(gè)縮影，對整個(gè)電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重大的影響。 ? 碳化...

2021-11-12 標(biāo)簽：SiC二極管 SiC MOSFET 基本半導(dǎo)體 5.3k 0

聞泰12英寸車規(guī)級功率半導(dǎo)體晶圓制造中心投資超300億元

1月4日，深圳基本半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“基本半導(dǎo)體”）通過官方微信宣布，其在2020年12月31日，已完成數(shù)億元人民幣的B輪融資。該輪融資由聞泰科技...

2021-01-05 標(biāo)簽：聞泰基本半導(dǎo)體 4.4k 0

國內(nèi)首條！基本半導(dǎo)體汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線正式通線

12月30日，基本半導(dǎo)體位于無錫市新吳區(qū)的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運(yùn)行，首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國內(nèi)第一條汽車級碳化硅功率模塊專...

2021-12-31 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率模塊 3.5k 0

基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D30120HC可pin to pin替換科銳C4D30120D

碳化硅肖特基二極管是用碳化硅為原料的二極管。該材料是屬于第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，材料本身的性能就優(yōu)于硅材料。該類二極管由于反向恢復(fù)時(shí)間短，可提高系統(tǒng)效率...

2022-08-16 標(biāo)簽：二極管基本半導(dǎo)體 3.2k 0

青銅劍科技發(fā)布全碳化硅器件解決方案，助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展

青銅劍科技、基本半導(dǎo)體聯(lián)合發(fā)布了面向新能源汽車電機(jī)控制器的全碳化硅器件解決方案。

2019-09-27 標(biāo)簽：新能源汽車碳化硅青銅劍科技 3k 0

基本半導(dǎo)體推出汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6

汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6是基本半導(dǎo)體基于廣大汽車廠商對核心牽引驅(qū)動器功率器件的高性能、高效率等需求設(shè)計(jì)并推出的產(chǎn)品。

2022-09-13 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件碳化硅 3k 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體單通道隔離柵極驅(qū)動器BTD5350替代東芝TLP350用于工業(yè)空調(diào)

在工業(yè)空調(diào)變頻的過程中，通過電源濾波整流，把交流轉(zhuǎn)換為直流，通過PFC的功率因子提升給到驅(qū)動電路部分，而由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極IGB...

2022-09-14 標(biāo)簽：東芝柵極驅(qū)動器工業(yè)空調(diào) 2.7k 0

基本半導(dǎo)體與廣電計(jì)量達(dá)成戰(zhàn)略合作，加快推出車規(guī)級碳化硅器件

深圳基本半導(dǎo)體與廣州廣電計(jì)量檢測股份有限公司（簡稱廣電計(jì)量）在廣州舉行戰(zhàn)略合作簽約儀式，雙方宣布將圍繞第三代半導(dǎo)體功率器件開展上下游全產(chǎn)業(yè)鏈的深度合作，...

2019-05-14 標(biāo)簽：新能源汽車碳化硅基本半導(dǎo)體 2.6k 0

一輛搭載了基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二極管的新能源汽車，至今已累計(jì)無故障行駛120天、運(yùn)行里程超過1萬公里！

2019-09-02 標(biāo)簽：新能源汽車肖特基二極管碳化硅 2.4k 0

國產(chǎn)芯片真金質(zhì)！基本半導(dǎo)體挑戰(zhàn)極限高溫測試“火”力全開

國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心（簡稱“國創(chuàng)中心”）邀請基本半導(dǎo)體等13家國內(nèi)整車和半導(dǎo)體企業(yè)的專家，實(shí)地開展“中國車規(guī)半導(dǎo)體首批測試驗(yàn)證項(xiàng)目吐魯番高溫試驗(yàn)”...

2019-08-20 標(biāo)簽：芯片碳化硅MOSFET 碳化硅二極管 2.3k 0

基本半導(dǎo)體碳化硅功率模塊裝車測試發(fā)車儀式在深圳舉行

7月29日，基本半導(dǎo)體碳化硅功率模塊裝車測試發(fā)車儀式在深圳成功舉行，搭載自主研發(fā)碳化硅模塊的測試車輛正式啟程。

2021-07-30 標(biāo)簽：碳化硅基本半導(dǎo)體 2.2k 0

基本半導(dǎo)體研發(fā)汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2

汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2是基本半導(dǎo)體針對新能源商用車等大型車輛客戶對主牽引驅(qū)動器功率器件的高功率密度、長器件壽命等需求而專門開發(fā)的產(chǎn)品。

2022-10-21 標(biāo)簽：模塊 MOSFET 碳化硅 2.2k 0

基本半導(dǎo)體與東芝達(dá)成戰(zhàn)略合作

日前，深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“基本半導(dǎo)體”）與東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝電子元件”）正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。通過將雙方擁...

2025-08-30 標(biāo)簽：MOSFET 東芝 IGBT 2.1k 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D40120HC替代C4D40120D用于儲能雙向變流器，有效提高系統(tǒng)功率密度

儲能變流器（PCS）可控制蓄電池的充電和放電過程，進(jìn)行交直流的變換，在無電網(wǎng)情況下可以直接為交流負(fù)荷供電。PCS由DC/AC雙向變流器、控制單元等構(gòu)成。...

2022-09-29 標(biāo)簽：肖特基二極管基本半導(dǎo)體國芯思辰 2.1k 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體電流模式PWM控制器BTP3844D替代UC3844BD1G用于AC DC電源模塊設(shè)計(jì)，工作頻率500kHz

某工程師在給車輛、無人機(jī)等設(shè)計(jì)ACDC電源模塊時(shí)，內(nèi)部控制使用的脈沖寬度調(diào)制（PWM）采用的是固定的開關(guān)頻率（周期），可變的開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間，對此會用到電流...

2022-09-02 標(biāo)簽：PWM控制器基本半導(dǎo)體國芯思辰 2.1k 0

創(chuàng)新引領(lǐng)發(fā)展、合作共贏未來 2020中歐第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇在深圳成功召開

“2020中歐科技創(chuàng)新合作發(fā)展論壇”分論壇——“2020中歐第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇”在深圳五洲賓館隆重舉行。

2020-11-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)青銅劍科技基本半導(dǎo)體 2k 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1可pin to pin替換科銳C4D30120D

SiC肖特基二極管具有零反向恢復(fù)電流和零正向恢復(fù)電壓，散熱要求低，是高頻和高效率應(yīng)用的理想選擇。目前市場上以選用WOLFSPEED的碳化硅為主，但由于各...

2022-11-25 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體 2k 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺。致立于為中國電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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京瓷株式會社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無線與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱為第六代移動通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門電路，它滿足與非門的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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