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基本半導(dǎo)體

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深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。

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基本半導(dǎo)體資訊

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體大電流高壓碳化硅MOS B1M032120HK助力UPS電源高效化，導(dǎo)通電阻32mΩ

UPS電源作為日常生活中的應(yīng)急備用電源，其效率要求也逐漸提高。UPS電源內(nèi)部主電路拓?fù)涠嗖捎肔LC諧振變換器，然而傳統(tǒng)的功率MOS（超級結(jié)MOS和COO...

2022-10-31 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體國芯思辰 1.9k 0

傾佳電子行業(yè)洞察：基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計(jì)

傾佳電子行業(yè)洞察：基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計(jì) 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的...

2025-09-21 標(biāo)簽：MOSFET 電源設(shè)計(jì)碳化硅 1.9k 0

基本半導(dǎo)體應(yīng)用于高壓快充的E2B碳化硅功率模塊方案解析

充電樁采用碳化硅模塊可以增加近30%的輸出功率，減少50%的損耗。目前在充電樁領(lǐng)域，碳化硅應(yīng)用處于快速增長階段，預(yù)計(jì)到2025年將提升至35%，市場規(guī)模...

2024-07-04 標(biāo)簽：功率模塊碳化硅基本半導(dǎo)體 1.9k 0

國芯思辰｜1200V/44A高性能碳化硅MOS在5-6KW車載OBC上的應(yīng)用，可替代C2M0080120D

車載OBC又稱車載交流充電機(jī)，安裝于電動汽車上，通過插座和電纜與交流插座連接，以三相或者單相交流電源向汽車提供電源；車載OBC的優(yōu)點(diǎn)是不管車載電池在任何...

2022-11-17 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體 1.9k 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體雙通道隔離柵極驅(qū)動器BTD21520替換UCC21320-Q1用于UPS電源，驅(qū)動峰值電流4.5/6A

國芯思辰接觸的某工程師在做一款50KVA高頻在線式UPS設(shè)計(jì)，需要在控制器的驅(qū)動信號與功率開關(guān)管之間做隔離，這里提一下國產(chǎn)基本半導(dǎo)體的雙通道隔離柵極驅(qū)動...

2022-09-20 標(biāo)簽：德州儀器 UPS電源柵極驅(qū)動器 1.8k 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D10120E替代C4D10120E用于IGBT鉗位，反向電壓1200V

在許多工業(yè)設(shè)備中通常都會采用IGBT來作為主功率器件，能夠有效的減少開關(guān)損耗，提高逆變器的效率，因此為了保護(hù)IGBT能夠正常穩(wěn)定的工作，設(shè)計(jì)師們會給IG...

2022-10-12 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體 1.8k 0

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過車規(guī)級認(rèn)證，為汽車電子注入新動力

近日，中國半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者——基本半導(dǎo)體公司，再次在科技領(lǐng)域邁出堅(jiān)實(shí)步伐。該公司自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120...

2024-06-26 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅基本半導(dǎo)體 1.8k 0

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證

近日，基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證，產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車...

2024-09-13 標(biāo)簽：MOSFET 汽車電子碳化硅 1.8k 0

基本半導(dǎo)體為客戶開發(fā)具有兼容性汽車級碳化硅功率模塊

為提升新能源汽車整體性能，全球各大車企紛紛將目光鎖定在碳化硅功率半導(dǎo)體。相較傳統(tǒng)硅基模塊，碳化硅功率模塊可大幅提升電機(jī)控制器的功率密度和效率，在降低電池...

2022-08-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅基本半導(dǎo)體 1.8k 0

基本半導(dǎo)體榮獲中國電源學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎

11月4-7日，2022中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會暨中國電源學(xué)會第二十五屆學(xué)術(shù)年會及展覽會在廈門成功召開。在同期舉行的第八屆中國電源學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎頒獎儀...

2022-11-09 標(biāo)簽：DTS 功率器件碳化硅 1.8k 0

基本半導(dǎo)體亮相2025上海國際電力元件和可再生能源展覽會

9月24日至26日，PCIM Asia Shanghai 2025上海國際電力元件、可再生能源展覽會在上海新國際博覽中心隆重開幕?；景雽?dǎo)體與合作伙伴東...

2025-09-28 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件基本半導(dǎo)體 1.8k 0

第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)基本半導(dǎo)體榮獲銳湃科技2023年度優(yōu)秀合作獎

近日，在銳湃科技舉辦的第一屆供應(yīng)鏈合作伙伴大會上，基本半導(dǎo)體憑借在客戶端的優(yōu)異表現(xiàn)，榮獲銳湃科技頒發(fā)的“2023年度優(yōu)秀合作獎”。基本半導(dǎo)體副總經(jīng)理蔡雄...

2024-04-02 標(biāo)簽：功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 1.8k 0

基本半導(dǎo)體獲多家車企和電機(jī)控制器Tier1客戶的定點(diǎn)

近日，深圳基本半導(dǎo)體有限公司獲得合肥巨一動力系統(tǒng)有限公司的碳化硅電驅(qū)動項(xiàng)目開發(fā)定點(diǎn)。該項(xiàng)目將采用基本半導(dǎo)體汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcor...

2022-09-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電機(jī)控制器基本半導(dǎo)體 1.7k 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M080120HC可替代C2M0080120D降低電機(jī)驅(qū)動功率損耗，導(dǎo)通延遲20ns

據(jù)評估，世界上超過一半的電能消耗用于各種電動機(jī)。因此，降低電動機(jī)的功率損耗并提高電力轉(zhuǎn)換的效率顯得尤為重要。電動機(jī)驅(qū)動電路一般原理圖本文主要講到基本半導(dǎo)...

2022-09-30 標(biāo)簽：電動機(jī)基本半導(dǎo)體國產(chǎn)替代 1.7k 0

基本半導(dǎo)體榮獲2024年深圳市充電設(shè)施十大先鋒應(yīng)用

近日，由國家能源局主辦、深圳市發(fā)展改革委承辦的2024年推進(jìn)高質(zhì)量充電基礎(chǔ)設(shè)施體系建設(shè)座談會在深圳隆重召開。其中，基本半導(dǎo)體“高壓快充的碳化硅功率器件應(yīng)...

2024-12-26 標(biāo)簽：功率器件碳化硅充電設(shè)施 1.7k 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B2D06065E在主體為BOOST電路的PFC電路應(yīng)用方案

計(jì)算機(jī)開關(guān)電源是一種電容輸入型電路，其電流和電壓之間的相位差會造成交換功率的損失，此時(shí)便需要PFC電路提高功率因數(shù)。目前的PFC有兩種，一種為被動式PF...

2022-11-07 標(biāo)簽：PFC電路基本半導(dǎo)體 1.6k 0

國芯思辰｜耐壓1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊上，Rds為32mΩ

隨著新能源汽車的普及，充電樁也成了日常配套的生活設(shè)施。目前市面上充電樁電源模塊的轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)可以做到99%，對于車輛快速且高效的充電有很大的意義。然而這...

2022-12-05 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體國產(chǎn)替代國芯思辰 1.6k 0

第三代半導(dǎo)體頭部企業(yè)基本半導(dǎo)體完成C1輪融資

針對即將迎來爆發(fā)的新能源汽車高壓電控系統(tǒng)，基本半導(dǎo)體已提前進(jìn)行布局，推出了多款車規(guī)級全碳化硅功率模塊，滿足不同車企、不同平臺的需求，現(xiàn)已在多家車企進(jìn)行測...

2021-09-18 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體基本半導(dǎo)體 1.6k 0

基本半導(dǎo)體榮獲禾望電氣“最佳合作獎”

近日，基本半導(dǎo)體憑借卓越的產(chǎn)品性能和出色的服務(wù)能力，成功榮獲深圳市禾望電氣股份有限公司（股票代碼：603063）頒發(fā)的2023年度“最佳合作獎”。這一榮...

2024-11-13 標(biāo)簽：光伏碳化硅基本半導(dǎo)體 1.6k 0

基本半導(dǎo)體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國際光伏展

? 6月13-15日，SNEC第十七屆(2024)國際太陽能光伏與智慧能源大會暨展覽會在國家會展中心(上海)隆重舉辦。本屆展會匯聚了超過3500家全球光...

2024-06-15 標(biāo)簽：MOSFET 光伏功率器件 1.6k 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺。致立于為中國電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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京瓷株式會社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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eMMC （Embedded Multi Media Card）是MMC協(xié)會訂立、主要針對手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無線與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱為第六代移動通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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過零檢測指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測?？勺鏖_關(guān)電路或者頻率檢測。漏電開關(guān)的漏電檢測是檢測零序電流。
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AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲于云端、邊緣端，再通過大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬物數(shù)據(jù)化、萬物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問題。
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