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導(dǎo)通電阻

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　　導(dǎo)通電阻是指二極管導(dǎo)通后兩端電壓與導(dǎo)通電流之比，是二極管的重要參數(shù)。

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導(dǎo)通電阻資訊

ROHM100V耐壓雙MOSFET以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻

近年來(lái)，在通信基站和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，為了降低電流值、提高效率，以往的12V和24V系統(tǒng)逐漸被轉(zhuǎn)換為48V系統(tǒng)，電源電壓呈提高趨勢(shì)。此外，用來(lái)冷卻這些設(shè)備的...

2023-09-14 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻 Rohm 1.3k 0

ROHM新增5款100V耐壓雙MOSFET，實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng) 用，開(kāi)發(fā)出將兩枚100V耐壓MOSFET* 1一體化封裝的雙...

2023-08-11 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻 Rohm 2k 0

HNDT-10A接地引下線導(dǎo)通電阻測(cè)試儀

在電力設(shè)備的長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行過(guò)程中，連接處有可能因受潮等因素影響，出現(xiàn)節(jié)點(diǎn)銹蝕、甚至斷裂等現(xiàn)象，導(dǎo)致接地引下線與主接地網(wǎng)連接點(diǎn)電阻增大，從而不能滿足電力規(guī)程的...

2023-06-21 標(biāo)簽：測(cè)試儀 lcd 接地 1.1k 0

ROHM | 開(kāi)發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET

2023-05-03 標(biāo)簽：電源 MOSFET 導(dǎo)通電阻 1.5k 0

EN系列：保持低導(dǎo)通電阻與開(kāi)關(guān)速度，改善噪聲性能

超級(jí)結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級(jí)結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效...

2023-02-10 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)MOSFET 導(dǎo)通電阻 1.9k 0

導(dǎo)通電阻和Qg更低，有助于實(shí)現(xiàn)更低功耗

ROHM在以業(yè)界最快的trr（反向恢復(fù)時(shí)間）著稱的PrestoMOS產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxMNx系列”產(chǎn)品。

2023-02-10 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻功耗 1.6k 0

Vishay推出兩款新型30 V對(duì)稱雙通道n溝道功率MOSFET

SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異導(dǎo)通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 ...

2023-02-06 標(biāo)簽：MOSFET Vishay 導(dǎo)通電阻 969 0

Transphorm發(fā)布240瓦電源適配器參考設(shè)計(jì)

近日，可靠性、高性能氮化鎵（GAN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)商Transphorm宣布推出新的240瓦電源適配器參考設(shè)計(jì)。

2023-02-06 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻 PFC 電源適配器 2.4k 0

意法半導(dǎo)體簡(jiǎn)化SiC逆變器設(shè)計(jì)，發(fā)布兩款電源模塊

第一款模塊A2F12M12W2-F1是一個(gè)四組模塊，可為 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等電路提供方便緊湊的全橋功率變換解決方案。

2022-09-14 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻意法半導(dǎo)體電源模塊 899 0

什么是GAA FET（環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管）？

數(shù)字芯片最基本單元是MOSFET，其工藝發(fā)展到7nm、3nm、2nm，這個(gè)半導(dǎo)體工藝尺寸是MOSFET柵極（溝槽）寬度。早期MOSFET使用平面結(jié)構(gòu)，溝...

2022-08-20 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻場(chǎng)效應(yīng)晶體管 5.9k 0

并聯(lián)MOSFET應(yīng)用中的均流技術(shù)

為了實(shí)現(xiàn)良好的并聯(lián)設(shè)計(jì)，傳統(tǒng)上選擇 MOSFET——通過(guò)篩選——基于它們的閾值電壓相似，以確保它們同時(shí)導(dǎo)通。然而，屏蔽 MOSFET 會(huì)增加成本和復(fù)雜性...

2022-08-04 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻電壓電平 7.3k 0

SiC VJFET的動(dòng)態(tài)電路模型

JFET 是一種單極器件，具有兩個(gè)串聯(lián)的通道——橫向通道和垂直通道。1200V SiC JFET采用SiCED/INFINION（TO220封裝）制造，...

2022-07-29 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻 SCR SiC 1.2k 0

開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)有什么影響

本次也采用同樣的方法展開(kāi)探討。推導(dǎo)出的傳遞函數(shù)同樣為20170711_graf_12和20170711_graf_13，同樣按兩個(gè)步驟來(lái)推導(dǎo)。

2022-04-24 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻傳遞函數(shù) 3.5k 0

Vishay推出PowerPAK? 8x8L封裝60 V和80 V N溝道MOSFET，優(yōu)異的RDS(ON)導(dǎo)通電阻低至0.65 mW

Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 ...

2022-02-07 標(biāo)簽：MOSFET Vishay 導(dǎo)通電阻 1.9k 0

英飛凌OptiMOS? 6 100 V系列通過(guò)技術(shù)革新，為高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用樹(shù)立全新行業(yè)標(biāo)桿

OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設(shè)計(jì)理念，具有更低的導(dǎo)通電阻和同類產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) （FOM）。

2021-12-03 標(biāo)簽：英飛凌導(dǎo)通電阻 1.6k 0

Vishay推出全球領(lǐng)先的汽車級(jí)80V P溝道MOSFET，以提高系統(tǒng)能效和功率密度

汽車級(jí)MOSFET導(dǎo)通電阻比最接近的DPAK封裝競(jìng)品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導(dǎo)通功耗，節(jié)省能源，同時(shí)增...

2021-04-07 標(biāo)簽：MOSFET Vishay 導(dǎo)通電阻 3.8k 0

MOSFET的關(guān)鍵指標(biāo)

在高溫下，溫度系數(shù)會(huì)顯著改變擊穿電壓。例如，一些600V電壓等級(jí)的N溝道MOSFET的溫度系數(shù)是正的，在接近最高結(jié)溫時(shí)，溫度系數(shù)會(huì)讓這些MOSFET變得...

2021-03-11 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻 p溝道 5.3k 0

科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列——“Wolfspeed WolfPACK?

科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列，為電動(dòng)汽車快速充電和太陽(yáng)能市場(chǎng)提供業(yè)界領(lǐng)先的效率。

2021-01-14 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車導(dǎo)通電阻 SiC 2.1k 0

Vishay推出具備優(yōu)異導(dǎo)通性能且經(jīng)過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的100V汽車級(jí)P溝道MOSFET

業(yè)內(nèi)首款采用鷗翼引線結(jié)構(gòu)5 mm x 6 mm 緊湊型PowerPAK? SO-8L封裝器件，導(dǎo)通電阻僅為30 mΩ。

2021-01-11 標(biāo)簽：MOSFET led照明 Vishay 1.4k 0

Vishay推出600V EF系列快速體二極管MOSFET，導(dǎo)通電阻比其前代器件低29%

Vishay提供豐富的MOSFET技術(shù)支持各級(jí)功率轉(zhuǎn)換，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統(tǒng)。

2020-12-24 標(biāo)簽：二極管 MOSFET Vishay 1.2k 0

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Arduino

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)

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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus LogIC

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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
研華

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華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
驍龍

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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
32位單片機(jī)

32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
Mobileye

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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開(kāi)發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
PFM

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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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