日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:40
3486 Vishay推出新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 Vishay 宣布，推出2顆通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的透射式光傳感器---TCUT1630X01和TCUT1800X01，可用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域。Vishay Semiconductors
2018-04-20 14:35:498644 Vishay提供PLCC-2和超小尺寸MiniLED封裝版本，器件通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證并具有1400 mcd的發(fā)光強(qiáng)度。
2018-07-25 11:29:0512447 器件適用于小信號(hào)探測(cè)，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，不透明封裝信噪比優(yōu)異，幾乎無(wú)段間公差。
2020-12-18 15:23:291178 Vishay 推出通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證的新系列高功率薄膜環(huán)繞式貼片電阻---PHPA 系列。
2021-09-15 11:48:522206 
Vishay宣布，推出經(jīng)過(guò)AEC-Q200認(rèn)證、業(yè)界先進(jìn)的采用混合繞線技術(shù)、標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸的新型充電電阻--- HRHA。
2022-03-16 11:21:341107 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）可靠性是汽車集成電路產(chǎn)品的關(guān)鍵性能，汽車電子委員會(huì)（AEC）制定了AEC-Q100、AEC-Q101、AEC-Q200等測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，用以確保汽車電子組件質(zhì)量和可靠性
2024-05-13 00:54:004579 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ?近日，英飛凌推出首款符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的 100V CoolGaN?汽車晶體管系列，并已經(jīng)開(kāi)始提供符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的預(yù)生產(chǎn)產(chǎn)品系列樣品，包括高壓
2025-10-24 09:12:119041 ，繼續(xù)朝著成為GaN技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)的目標(biāo)邁進(jìn)，并進(jìn)一步鞏固了其全球汽車半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。 ? ? 英飛凌CoolGaN? 100V G1車規(guī)級(jí)晶體管 ? 英飛凌正式推出CoolGaN? 100V G1
2025-11-05 14:31:0559497 
汽車應(yīng)用中。答案是必須符合 AEC-Q100 認(rèn)證。AEC 代表汽車電子設(shè)備委員會(huì)，是 JEDIC 的一個(gè)附屬機(jī)構(gòu)，主要負(fù)責(zé)設(shè)定汽車級(jí)設(shè)備要求。這里有很多具體規(guī)范需要滿足，盡管無(wú)法進(jìn)行詳細(xì)解讀，但我
2018-09-20 15:16:25
汽車應(yīng)用中。答案是必須符合 AEC-Q100 認(rèn)證。AEC 代表汽車電子設(shè)備委員會(huì)，是 JEDIC 的一個(gè)附屬機(jī)構(gòu)，主要負(fù)責(zé)設(shè)定汽車級(jí)設(shè)備要求。這里有很多具體規(guī)范需要滿足，盡管無(wú)法進(jìn)行詳細(xì)解讀，但我
2022-11-23 06:32:18
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
汽車級(jí)電阻，節(jié)省電路板空間，工作電壓為450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，擴(kuò)充其TNPV e3系列汽車級(jí)高壓薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
要進(jìn)入車輛領(lǐng)域，打入各一級(jí)(Tier1)車電大廠供應(yīng)鏈，必須取得兩張門票，第一張是由北美汽車產(chǎn)業(yè)所推的AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED
2018-11-20 15:47:25
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
大家好如題，i.MX RT1170車規(guī)級(jí)產(chǎn)品有AEC-Q100認(rèn)證嗎？如果是，能否提供相關(guān)文件？
2023-03-15 08:24:23
），AEC-Q101，AEC-Q200為最常見(jiàn)。其中AEC-Q100是AEC的第一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，AEC-Q100于1994年6月首次發(fā)表，現(xiàn)經(jīng)過(guò)了十多年的發(fā)展，AEC-Q100已經(jīng)成為汽車電子系統(tǒng)的通用標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)于車
2019-07-18 13:19:45
AEC-Q101認(rèn)證的車規(guī)級(jí)TVS管SM8ZXXA/CA系列，產(chǎn)品系列齊全，以滿足不同標(biāo)準(zhǔn)要求的客戶需求。特性：[size=14.0000pt]1、高可靠性、符合汽車標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101認(rèn)證；[size
2019-03-28 10:45:32
Bourns CDSOT23-T24CAN-Q CANbus保護(hù)器是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)器，適用于汽車應(yīng)用的CAN接口。CDSOT23-T24CAN-Q采用SOT23-3封裝，設(shè)有雙路
2021-01-27 10:11:12
日前，Vishay Intertechnology, Inc.）宣布，推出通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的TCPT1300X01和TCUT1300X01表面貼裝透射式(斷續(xù)式)光電傳感器，可用于汽車
2019-09-02 07:02:22
MIL-STD為主，另外加入特殊規(guī)格，例如電磁兼容性(EMC)驗(yàn)證。要進(jìn)入車輛領(lǐng)域，打入各一級(jí)(Tier1)車電大廠供應(yīng)鏈，必須取得兩張門票，第一張是由北美汽車產(chǎn)業(yè)所推的AEC-Q100(集成電路IC
2018-09-06 17:05:17
，產(chǎn)品質(zhì)量水平及可靠性達(dá)到國(guó)際水平。此次通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證同時(shí)也標(biāo)志著重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司順利取得進(jìn)入汽車供應(yīng)鏈的“金鑰匙”，公司未來(lái)將進(jìn)一步在車載產(chǎn)品領(lǐng)域深耕細(xì)作，加快車規(guī)級(jí)產(chǎn)品的導(dǎo)入。隨著
2022-12-08 15:25:00
AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)廣電計(jì)量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù)，同時(shí)，我們也開(kāi)展了間歇工作壽命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)Pow
2009-11-23 17:10:23930 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:521012 安森美新增100V N溝道MOSFET系列：NTP641x/NTB641x/NTD641x
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)完備測(cè)試的N溝道功率MOSF
2010-02-05 08:37:092023 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:131025 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴(kuò)展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:051119 賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證
2013-12-13 15:07:131158 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，其光電子產(chǎn)品部發(fā)布通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的，工作溫度可達(dá)+105℃的新款全集成距離和環(huán)境光傳感器--- VCNL4020X01。
2014-06-17 15:23:59930 賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出三款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證
2015-02-11 11:59:291340 賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 4 月13 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩顆用于汽車和工業(yè)應(yīng)用的經(jīng)AEC-Q101認(rèn)證的表面貼裝光傳感器---TCPT1600X01和TCUT1600X01。
2016-04-13 14:20:02935 Vishay宣布，推出業(yè)內(nèi)首批通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對(duì)稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車應(yīng)用的高效同步降壓
2016-07-11 14:33:171295 系列現(xiàn)已符合AEC-Q101資格，證明這些電子組件符合用于汽車市場(chǎng)的主要標(biāo)準(zhǔn)。美高森美的DQ二極管取得AEC-Q101資格，意味著汽車原始設(shè)備制造商（OEM）以及一級(jí)和其他供應(yīng)商能夠在各種車載應(yīng)用中使用這款產(chǎn)品。
2017-06-19 10:20:29979 新型AEC-Q101認(rèn)證的器件，采用SOP-4微型扁平封裝傳輸5mA正向電流Vishay推出首款汽車級(jí)光電三極管耦合器---VOMA617A。全新的器件在緊湊型SOP-4微型扁平封裝中，集成了高電流傳輸比（CTR）和5 mA的低正向電流。與DIP-4封裝相比，節(jié)省了30%的PCB空間。
2018-05-30 14:07:001862 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是AEC-Q101基于離散半導(dǎo)體元件應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證的失效機(jī)理中文標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
2018-10-25 08:00:00
39 最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:011015 ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-13 18:30:571897 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:505922 AECQ101主要對(duì)汽車分立器件，元器件標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求，AECQ101認(rèn)證將會(huì)是汽車級(jí)半導(dǎo)體企業(yè)的首選。AEC-Q101認(rèn)證包含了離散半導(dǎo)體元件（如晶體管，二極管等）最低應(yīng)力測(cè)試要求的定義和參考測(cè)試條件，目的是要確定一種器件在應(yīng)用中能夠通過(guò)應(yīng)力測(cè)試以及被認(rèn)為能夠提供某種級(jí)別的品質(zhì)和可靠性。
2021-05-20 11:50:386819 – 現(xiàn)已通過(guò)AEC-Q101汽車級(jí)認(rèn)證。Qspeed硅二極管采用混合PIN技術(shù)，可在軟開(kāi)關(guān)和低反向恢復(fù)電荷（Qrr）之間提供獨(dú)特的平衡。該特性有助于降低EMI和輸出噪聲，這對(duì)于車載音響系統(tǒng)特別重要。
2019-09-16 10:23:003615 日前發(fā)布的器件經(jīng)過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，適用于汽車、消費(fèi)電子、智能家居、工業(yè)、辦公和玩具產(chǎn)品，與前代傳感器相比，提高了分辨率并降低成本。
2020-11-16 17:53:32990 AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)： AEC-Q200:stress test qualification for passive components--被動(dòng)元件汽車級(jí)品質(zhì)認(rèn)證。汽車電子的過(guò)電壓保護(hù)存在更為嚴(yán)苛
2021-09-22 18:03:011779 Vishay DFN1006-2A 封裝二極管 40 V 和 100 V 器件通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證 與傳統(tǒng) SOD/T 封裝二極管相比節(jié)省空間并提高了散熱性能 Vishay 推出超小型可潤(rùn)濕
2021-10-19 16:57:522958 
的能力主要通過(guò)實(shí)踐培養(yǎng)起來(lái)的。 近日，東芝針對(duì)汽車應(yīng)用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)充了產(chǎn)品線。這些產(chǎn)品符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用于汽車設(shè)計(jì)中，有助于縮小汽車設(shè)備體積，滿足當(dāng)前市
2021-10-25 14:16:292312 
的能力主要通過(guò)實(shí)踐培養(yǎng)起來(lái)的。 新品 近日，東芝針對(duì)汽車應(yīng)用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)充了產(chǎn)品線。這些產(chǎn)品符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用于汽車設(shè)計(jì)中，有助于縮小汽車設(shè)備體積，滿足當(dāng)
2021-11-26 15:22:502814 
NP30P10G(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFE)
2022-07-14 09:53:461832 
NP16P10G(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-18 09:06:003102 
NP2P10MR(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-18 09:14:572243 
9月20日，廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司（簡(jiǎn)稱：廣電計(jì)量）聯(lián)袂上海陸芯電子科技有限公司（簡(jiǎn)稱：上海陸芯），于廣州順利舉行“廣電計(jì)量與上海陸芯合作交流會(huì)暨上海陸芯IGBT汽車級(jí)AEC-Q101驗(yàn)證報(bào)告頒發(fā)儀式”。
2022-09-22 14:54:252251 (Automotive Electronics Council，簡(jiǎn)稱AEC)作為車規(guī)驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)，包括AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED
2023-01-29 11:04:434122 ROHM新開(kāi)發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號(hào)，傳導(dǎo)損耗非常低，非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:231199 
ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET，該系列產(chǎn)品“支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101”，而且共有13款型號(hào)，擁有業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容。
2023-02-09 10:19:241521 
100 V，P 溝道溝槽 MOSFET-PMV240SP
2023-02-17 19:41:560 白皮書：GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性 – 中文（650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率，以及 AEC-Q101 認(rèn)證所需的耐久性）-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:033 白皮書：GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:503 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190 2022年11月，上海瞻芯電子開(kāi)發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101)，該產(chǎn)品為TO247-4封裝，最大電流(Ids)可達(dá)111A。
2023-03-22 16:47:333849 
℃ AEC-Q101認(rèn)證對(duì)象： 晶體管：BJT、MOSFET、IGBT、二極管、Diodes、Rectifier、Zeners、PIN、Varactors 光器件：LEDs、Optocoupler
2023-05-16 15:17:012333 
Semiconductors，基于分立半導(dǎo)體應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證的失效機(jī)理，名字有點(diǎn)長(zhǎng)，所以一般就叫“分立半導(dǎo)體的應(yīng)力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)”?，F(xiàn)在的Rev E版本是2021.03.01剛發(fā)布的最新版。 AEC-Q101認(rèn)證包含了分立半導(dǎo)體
2023-05-31 17:09:086304 
Semiware推出符合AEC-Q101認(rèn)證的車規(guī)級(jí)TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列，防護(hù)產(chǎn)品系列齊全，以滿足高標(biāo)準(zhǔn)的客戶需求.
2021-12-08 11:41:131463 
級(jí)IGBT產(chǎn)品在2019年后再次獲得TV萊茵頒發(fā)的AEC-Q101認(rèn)證證書。AEC-Q101認(rèn)證是半導(dǎo)體分立器件的汽車級(jí)測(cè)試，包括各類環(huán)境應(yīng)力，可靠性，耐久性，壽
2022-06-21 09:18:392221 
FU6832N1獲車規(guī)認(rèn)證FU6832N1是峰岹科技針對(duì)車用市場(chǎng)研發(fā)設(shè)計(jì)的專用IC，主要應(yīng)用于汽車相關(guān)電機(jī)控制領(lǐng)域。近期，該顆芯片通過(guò)了AEC-Q100認(rèn)證，峰岹科技正式向市場(chǎng)推出車規(guī)級(jí)BLDC電機(jī)
2022-06-24 09:59:192353 
AEC-Q100、AEC-Q101和AEC-Q200這三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)是最早制訂的、也最常被引用的AEC-Q標(biāo)準(zhǔn)。在AEC網(wǎng)站上的“文檔”頁(yè)面列出了37個(gè)標(biāo)準(zhǔn)和子標(biāo)準(zhǔn)，其中七個(gè)被列為“新New”或“初始版本Initial release”
2022-07-01 09:27:552775 
是FAILUREMECHANISMBASEDSTRESSTESTQUALIFICATIONFORDISCRETESEMICONDUCTORSINAUTOMOTIVEAPPLICATIONS翻譯過(guò)來(lái)是基于失效機(jī)制對(duì)汽車領(lǐng)域應(yīng)用中分立半導(dǎo)體器件的認(rèn)證測(cè)試AEC-Q101最新的版本是Rev_E，發(fā)布于2021年3月
2023-01-13 10:00:294638 
USAEC-Q101認(rèn)證的概念AEC-Q101：車用分立半導(dǎo)體元器件的基于失效機(jī)理的應(yīng)力測(cè)試驗(yàn)證。半導(dǎo)體分立器件被廣泛應(yīng)用到消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)及外設(shè)、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子、LED顯示屏等領(lǐng)域，而汽車領(lǐng)域
2023-01-13 10:02:032195 AEC其實(shí)是Automotive Electronics Council汽車電子協(xié)會(huì)的簡(jiǎn)稱，并且AECQ標(biāo)準(zhǔn)包括以下幾個(gè)領(lǐng)域，對(duì)于不同領(lǐng)域的電子器件，適用于不同的標(biāo)準(zhǔn)。目前見(jiàn)到的比較多的是AEC-Q100、AEC-Q101、AEC-Q200。
2023-07-05 11:30:169220 
通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證且可承受的接面溫度高達(dá)175°C，強(qiáng)茂P溝道MOSFET是汽車設(shè)計(jì)工程師理想的選擇，可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化電路而又不犧牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多種封裝。
2023-07-20 15:57:451311 進(jìn)入汽車領(lǐng)域，打入各一級(jí)(Tier1)汽車電子大廠供應(yīng)鏈，必須取得兩張門票，一張是由北美汽車產(chǎn)業(yè)所推的AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(分立半導(dǎo)
2023-08-25 08:28:091726 AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)之TC解讀TC(TemperatureCycling)高溫循環(huán)測(cè)試意義在于證實(shí)極高溫度，極低溫度和高溫與低溫交替作用時(shí)，機(jī)械應(yīng)力對(duì)于器件焊接性能的作用，標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101-E中
2023-08-30 08:27:504157 安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的全部測(cè)試。
2023-09-06 17:48:451376 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn) 采用小型有引腳和無(wú)引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 15:36:081 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證后，近日，國(guó)星光電開(kāi)發(fā)的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-場(chǎng)效應(yīng)管）器件也成功獲得了
2023-10-24 15:52:321851 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證后
2023-10-25 18:28:101483 
經(jīng)過(guò)10 多年的發(fā)展，AEC-Q-100 已經(jīng)成為汽車電子系統(tǒng)的通用標(biāo)準(zhǔn)。在AEC-Q-100 之后又陸續(xù)制定了針對(duì)離散組件的AEC-Q-101 和針對(duì)被動(dòng)組件的AEC-Q-200 等規(guī)范，以及AEC-Q001/Q002/Q003/Q004 等指導(dǎo)性原則。
2023-11-13 16:16:542760 
11月27日，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω，
2023-11-30 09:39:183074 
英諾賽科宣布推出100V車規(guī)級(jí)氮化鎵器件INN100W135A-Q，該器件已通過(guò)AEC-Q101 認(rèn)證，適用于自動(dòng)駕駛及其他先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)應(yīng)用中的車規(guī)級(jí)激光雷達(dá)、高功率密度DC-DC變換器、D類音頻。
2023-12-29 16:00:341856 
近日，芯進(jìn)電子推出的高性能電流傳感器CC6922，順利通過(guò)廣電計(jì)量平臺(tái)AEC-Q100車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。AEC-Q100認(rèn)證AEC-Q100認(rèn)證由國(guó)際汽車電子協(xié)會(huì)
2024-03-06 08:28:321239 
3月8日，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:381469 
蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核，同時(shí)通過(guò)了新能源行業(yè)頭部廠商的導(dǎo)入測(cè)試并量產(chǎn)交付。
2024-03-12 17:18:212547 
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:131664 2024年3月22日， 國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢測(cè)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS為安芯電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“安芯電子”）及其子公司安徽安美半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“安美半導(dǎo)體”）頒發(fā)了AEC-Q101認(rèn)證證書。
2024-03-22 18:21:552150 近日，國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS（以下簡(jiǎn)稱為“SGS”）為吉林華微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱為“華微電子”）頒發(fā)AEC-Q101認(rèn)證證書。
2024-03-22 18:25:561834 強(qiáng)茂推出最新的60V、100V和150V車規(guī)級(jí)MOSFET，此系列專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供優(yōu)異性能和效率。
2024-05-23 11:42:492164 
雷卯解析AEC-Q101與AEC-Q200
2024-06-12 08:02:582253 
近日，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者——基本半導(dǎo)體公司，再次在科技領(lǐng)域邁出堅(jiān)實(shí)步伐。該公司自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H成功通過(guò)了AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證
2024-06-26 17:58:541640 近日，基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環(huán)境下的嚴(yán)苛要求，至此公司獲車規(guī)級(jí)認(rèn)證的碳化硅功率器件產(chǎn)品家族再添一員。
2024-09-13 10:20:191572 
C-Q101-2021標(biāo)準(zhǔn)在汽車行業(yè)中，電子器件的可靠性直接關(guān)系到車輛的性能和乘客的安全。隨著汽車電子化程度的不斷提高，對(duì)電子器件的質(zhì)量和可靠性要求也越來(lái)越高。AEC-Q101-2021標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)運(yùn)而生
2025-01-09 11:04:301467 
近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，以其卓越的高電流開(kāi)關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場(chǎng)焦點(diǎn)。新型
2025-01-13 11:41:38957 
近日，士模微電子高性能ADC芯片CM1103、CM1106成功通過(guò)AEC-Q100車規(guī)級(jí)認(rèn)證，芯片性能及可靠性等指標(biāo)符合國(guó)際車規(guī)芯片標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)品質(zhì)量獲得權(quán)威認(rèn)證機(jī)構(gòu)的認(rèn)可和肯定。關(guān)于
2025-03-11 15:04:431239 
。通過(guò) AEC-Q100 認(rèn)證的器件都經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試，能夠承受汽車應(yīng)用中的極端條件。PolarFire SoC FPGA已通過(guò)汽車行業(yè)1級(jí)溫度認(rèn)證，支持-40°C至125°C工作范圍。 PolarFire SoC FPGA 采用嵌入式64位四核 RISC
2025-03-31 19:26:562181 指標(biāo)(FoM)上處于行業(yè)領(lǐng)先水平，之前僅提供工業(yè)級(jí)版本。隨著獲得AEC-Q101汽車標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，這些MOSFET現(xiàn)已適合用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，包括車載充電器(OBC)、電動(dòng)車
2025-05-08 11:09:50620 
Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通電
2025-09-18 18:19:141110 Vishay SiRS5700DP N溝道150V（D-S）MOSFET是一款TrenchFET?第五代功率MOSFET，具有非常低的R~DS~ x Q~g~ 品質(zhì)因數(shù)（FOM）。Vishay
2025-11-13 11:21:53433 
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