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磁控濺射(Magnetron Sputtering)是一種廣泛應(yīng)用的物理氣相沉積(PVD)工藝,是制造半導(dǎo)體、磁盤驅(qū)動器和光學(xué)膜層的主要薄膜沉積方法。其...
2026-02-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝磁控濺射系統(tǒng) 716 0
利用Solido Design Environment準(zhǔn)確預(yù)測SRAM晶圓良率
晶圓級 SRAM 實(shí)測數(shù)據(jù)表明:由存取干擾導(dǎo)致的位失效數(shù)量,與單純基于本征器件波動的預(yù)測結(jié)果存在顯著偏差。失效分析表明,SRAM 位單元 NFET 存在...
集成電路濕法工藝是指在集成電路制造過程中,通過化學(xué)藥液對硅片表面進(jìn)行處理的一類關(guān)鍵技術(shù),主要包括濕法清洗、化學(xué)機(jī)械拋光、無應(yīng)力拋光和電鍍四大類。這些工藝...
半導(dǎo)體封裝框架的外部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
封裝框架的外部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),核心包含聯(lián)筋(Dambar)與假腳(False leads)兩大關(guān)鍵部分,以下將針對各設(shè)計(jì)要素及技術(shù)要求展開詳細(xì)說明。
從鋁到銅,再到釕與銠,半導(dǎo)體布線技術(shù)的每一次革新,都是芯片性能躍升的關(guān)鍵引擎。隨著制程進(jìn)入2nm時代,傳統(tǒng)銅布線正面臨電阻與可靠性的極限挑戰(zhàn),而鑲嵌(大...
在超高純度晶圓制造過程中,盡管晶圓本身需達(dá)到11個9(99.999999999%)以上的純度標(biāo)準(zhǔn)以維持基礎(chǔ)半導(dǎo)體特性,但為實(shí)現(xiàn)集成電路的功能化構(gòu)建,必須...
芯片設(shè)計(jì)中Guard Ring的構(gòu)成和作用
在芯片設(shè)計(jì)中,Guard Ring(保護(hù)環(huán)) 是一種環(huán)繞在敏感電路或器件(如模擬電路、高精度器件、存儲器單元、I/O驅(qū)動器等)周圍的版圖結(jié)構(gòu),形成關(guān)鍵的...
2025-10-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝芯片設(shè)計(jì) 1.8k 0
類別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2023-08-18 標(biāo)簽:pcb工藝 665 0
研發(fā)工藝設(shè)計(jì)規(guī)范立即下載
類別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2022-07-27 標(biāo)簽:pcb工藝 600 0
新思科技近期宣布,其LPDDR6 IP已在臺積公司 N2P 工藝成功流片,并完成初步功能驗(yàn)證。這一成果不僅鞏固并強(qiáng)化了新思科技在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn) IP 領(lǐng)域...
上海立芯亮相IDAS 2025設(shè)計(jì)自動化產(chǎn)業(yè)峰會
9月15-16日,第三屆設(shè)計(jì)自動化產(chǎn)業(yè)峰會IDAS 2025在杭州國際博覽中心盛大舉行。
2025-09-18 標(biāo)簽:工藝芯片設(shè)計(jì)eda 1.2k 0
當(dāng)客戶問為什么產(chǎn)品效率難以突破,答案往往藏在工藝細(xì)節(jié)里。新能源汽車?yán)m(xù)航提升5%、65W快充體積縮小40%,這些突破的核心在于MOS管工藝選型。
在微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)領(lǐng)域,金屬鉻(Cr)因其獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)和工藝兼容性而被廣泛應(yīng)用。其物理化學(xué)性質(zhì)表現(xiàn)為:具有較高的熔點(diǎn)約1907°C,良好的機(jī)...
2025-08-25 標(biāo)簽:mems工藝微機(jī)電系統(tǒng) 1.5k 0
新潔能推出增強(qiáng)型N溝道MOSFET系列產(chǎn)品
新潔能研發(fā)團(tuán)隊(duì)溝槽型工藝平臺推出耐壓30V 1mΩ級別增強(qiáng)型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。
新思科技與三星深化合作加速AI和Multi-Die設(shè)計(jì)
新思科技近日宣布,正與三星代工廠持續(xù)緊密合作,為先進(jìn)邊緣AI、HPC和AI應(yīng)用的下一代設(shè)計(jì)提供強(qiáng)大支持。雙方合作助力共同客戶實(shí)現(xiàn)復(fù)雜設(shè)計(jì)的成功流片,并縮...
Inphi借助Cadence技術(shù)完成7nm全芯片扁平化設(shè)計(jì)流片
Inphi 是高速數(shù)據(jù)移動互連領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,致力于在全球范圍內(nèi)、數(shù)據(jù)中心之間以及數(shù)據(jù)中心內(nèi)部快速傳輸大數(shù)據(jù)。
創(chuàng)飛芯55nm BCD工藝OTP IP實(shí)現(xiàn)上架
近日,珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司宣布,其自主研發(fā)的 55BCD ( 55nm Bipolar-CMOS-DMOS Generic Process) 工藝 O...
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