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      標(biāo)簽　>　摩爾定律

      摩爾定律

      +關(guān)注4人關(guān)注

      摩爾定律是由英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出來的。其內(nèi)容為：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個(gè)月便會增加一倍，性能也將提升一倍。

      文章：624個(gè) 瀏覽：81105次 帖子：24個(gè)

      摩爾定律資訊

      2D材料工業(yè)化的需求

      盡管如此，當(dāng)今技術(shù)的現(xiàn)實(shí)情況是，2D材料只在實(shí)驗(yàn)室中少量配備，以支持學(xué)術(shù)研究。與其急于發(fā)表另一篇關(guān)于石墨烯驚人潛力的研究論文，不如關(guān)注如何開發(fā)在工業(yè)規(guī)模...

      2022-07-13 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管石墨烯 1.5k 0

      英特爾14nm制程助陣 Altera打造地表最強(qiáng)FPGA

      Altera對第10代元件進(jìn)行了最佳化，支援客戶開發(fā)可高度訂制的解決方案，大幅提高系統(tǒng)性能和系統(tǒng)整合度，同時(shí)降低了營運(yùn)成本。

      2013-06-14 標(biāo)簽：FPGA英特爾ASIC 1.5k 0

      摩爾定律或被打破，全球電晶體體積縮減2021年將停止

      根據(jù)最新國際半導(dǎo)體科技藍(lán)圖(International Technology Roadmap for Semiconductors;ITRS)7月稍早的...

      2016-07-27 標(biāo)簽：摩爾定律晶體 1.5k 0

      比摩爾定律更好的方法來衡量技術(shù)進(jìn)步

      IRDS的路線圖顯示，即將推出的5納米芯片有著48納米的接觸柵距、36納米的金屬間距，且為單層，因此其指標(biāo)為G48M36T1。雖然該命名尚未真正落實(shí)，但...

      2022-08-22 標(biāo)簽：CMOS摩爾定律晶體管 1.5k 0

      NI CEO Dr. T：下一代平臺將把真實(shí)世界做進(jìn)測試流程中

      NI創(chuàng)始人兼CEO Dr.T說：“基于FPGA和PXI帶給我們的差異化系統(tǒng)測試測量能力，我們的下一代測試測量平臺將可以把真實(shí)世界做進(jìn)測試流程中，例如整部...

      2016-08-03 標(biāo)簽：摩爾定律LabVIEWNI 1.5k 0

      當(dāng)摩爾定律逼近極限，這條路，值得大力探索

      毛軍發(fā)院士報(bào)告了射頻異質(zhì)集成技術(shù)的背景與意義、研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢、面臨的科學(xué)技術(shù)問題；鄔江興院士提出借助工藝與體系聯(lián)合迭代創(chuàng)新打造錯(cuò)維競爭優(yōu)勢；

      2023-11-16 標(biāo)簽：mems摩爾定律太赫茲 1.5k 0

      先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢

      雖然芯片設(shè)計(jì)和制程技術(shù)的創(chuàng)新仍然繼續(xù)，但進(jìn)展已明顯趨緩，不管制程技術(shù)下殺到多少微米，芯片尺寸的縮減似乎已到了極限，更遑論同時(shí)要增加密度以提升性能。

      2022-11-17 標(biāo)簽：摩爾定律芯片設(shè)計(jì)封裝技術(shù) 1.5k 0

      AI摩爾定律提出挑戰(zhàn)：計(jì)算力是一切 北京居然排第二

      中國TOP10人工智能計(jì)算力領(lǐng)先城市，杭州、北京、深圳居前三。去年，中國人工智能市場投資規(guī)模約25億美元，其中70%以上為以計(jì)算力為核心的基礎(chǔ)架構(gòu)硬件市場投資。

      2019-03-29 標(biāo)簽：摩爾定律計(jì)算AI 1.5k 0

      摩爾定律行將就木,半導(dǎo)體迎3大機(jī)會

      臺積電董事長張忠謀表示，摩爾定律雖已「茍延殘喘」，不過估計(jì)還有5~6年的壽命。而關(guān)于什么是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的下一個(gè)機(jī)會？他則點(diǎn)名是物聯(lián)網(wǎng)（IoT）相關(guān)商機(jī)，而...

      2014-03-28 標(biāo)簽：傳感器摩爾定律物聯(lián)網(wǎng) 1.5k 0

      后摩爾定律時(shí)代，半導(dǎo)體技術(shù)將走向何方?

      不能否認(rèn)的是，摩爾定律正在逐漸走向極限。業(yè)界對于未來技術(shù)如何發(fā)展，早已有了“More Moore”（繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律）和“More than Moore...

      2016-06-02 標(biāo)簽：摩爾定律IMECEUV 1.5k 0

      應(yīng)用材料：摩爾定律放緩，半導(dǎo)體行業(yè)急需技術(shù)創(chuàng)新

      近日，半導(dǎo)體風(fēng)向球、芯片制造業(yè)舉足輕重的公司應(yīng)用材料(AMAT)公布了截止2018年10月28日的2018Q4財(cái)報(bào)，盡管符合市場預(yù)期，但本季營收卻低于其...

      2018-11-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體摩爾定律應(yīng)用材料 1.5k 0

      摩爾定律被唱衰 IBM 5納米芯片再獲突破

      IBM宣布在晶體管的制造上獲得了巨大的突破，運(yùn)用最新工藝研制出了300億個(gè)5納米晶體管。和10nm芯片對比同等效率下，5納米芯片可以節(jié)省74%電能。

      2017-12-27 標(biāo)簽：ibm摩爾定律5nm工藝 1.4k 0

      超越摩爾定律：封測行業(yè)在集成電路發(fā)展中的關(guān)鍵角色

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      在過去的幾十年中，集成電路（IC）的發(fā)展進(jìn)步近乎神奇，推動(dòng)著科技領(lǐng)域的諸多創(chuàng)新。其中，摩爾定律在這一發(fā)展中起到了重要的推動(dòng)作用，尤其是在半導(dǎo)體行業(yè)。

      2023-07-10 標(biāo)簽：集成電路摩爾定律封測 1.4k 0

      國產(chǎn)EDA芯和半導(dǎo)體再獲國際頭部廠商青睞 推動(dòng)Chiplet設(shè)計(jì)落地

      隨著摩爾定律日趨放緩，Chiplet技術(shù)被業(yè)界寄予厚望，已被公認(rèn)為后摩爾時(shí)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的最優(yōu)解之一。Chiplet技術(shù)兼具設(shè)計(jì)彈性、成本節(jié)省、加速上市等...

      2022-09-28 標(biāo)簽：摩爾定律edachiplet 1.4k 0

      先進(jìn)封裝技術(shù)引領(lǐng)芯片制造新趨勢

      英特爾創(chuàng)始人戈登·摩爾提出集成電路上的晶體管數(shù)量大約每兩年增漲1倍的“摩爾定律”后，芯片制造業(yè)迅猛發(fā)展，然而，縮小芯片體積難度加大，成本提升。

      2023-12-28 標(biāo)簽：集成電路摩爾定律制造業(yè) 1.4k 0

      再次突破摩爾定律，3D IC助力賽靈思保持霸主之尊！

      賽靈思研發(fā)工作已經(jīng)穩(wěn)步邁向第二代3D IC技術(shù)發(fā)展，再次超越摩爾定律，從而可激發(fā)工程師以更少的芯片，更快地開發(fā)更智能、更高集成度的高帶寬系統(tǒng)。

      2013-01-06 標(biāo)簽：摩爾定律賽靈思3dic 1.4k 0

      數(shù)智化與雙碳化的交集，芯片行業(yè)機(jī)遇與挑戰(zhàn)的并集

      數(shù)智化和雙碳化是人類社會和經(jīng)濟(jì)發(fā)展的兩大重要趨勢，數(shù)智化可以理解為“數(shù)字化+智能化”，雙碳化即“碳中和+碳達(dá)峰”。前者為全社會的經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型升級提供動(dòng)力，后...

      2022-11-01 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體摩爾定律 1.4k 0

      3D晶體管 續(xù)寫摩爾定律的輝煌

      3D晶體管 續(xù)寫摩爾定律的輝煌

      為了在硅芯片上擠入更多的元件，英特爾已開始大規(guī)模生產(chǎn)基于3-D晶體管的處理器。這一舉動(dòng)不僅延長了摩爾定律(根據(jù)該定律，每塊芯片上的晶體管數(shù)量每兩年就會翻...

      2012-07-09 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管3D晶體管 1.4k 0

      摩爾定律聲聲喚 CMP制程再精進(jìn)

      半導(dǎo)體元件若要追上摩爾定律速度，微縮制程就需要更新的技術(shù)相挺。化學(xué)材料與電子產(chǎn)品間的關(guān)系密不可分，美商陶氏 化學(xué)旗下分公司陶氏電子材料的最新制程

      2011-09-24 標(biāo)簽：摩爾定律CMP 1.4k 0

      摩爾定律的下一個(gè)十年：硅被代

      加州伯克利大學(xué)教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù)，下一代或下下一代人將不會再使用硅，將會有更好的材料去取代硅。

      2013-07-01 標(biāo)簽：摩爾定律硅基晶體管III-V族化合物 1.4k 0

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        電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立， 是一個(gè)以電子技術(shù)知識為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺。致立于為中國電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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        　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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