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標簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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巨霖科技PanosSPICE仿真平臺的核心技術(shù)亮點
Signoff 級器件精度,流片前最后一道真值防線:基于全物理晶體管級建模,在與業(yè)界 Golden 標準工具的系統(tǒng)對比驗證中,電源節(jié)點電壓誤差達到 Go...
開關(guān)電源中光耦合器的正確偏置和補償網(wǎng)絡設計
光耦合器對開關(guān)電源(SMPS)設計至關(guān)重要,它使得信號能夠安全、可靠地跨越電氣隔離邊界傳輸。而光耦合器的性能取決于適當?shù)钠眉霸诜答伩刂骗h(huán)路內(nèi)的正確集成...
2026-03-17 標簽:ADI開關(guān)電源光耦合器 2.1k 0
精確表征有機異質(zhì)界面:解析傳輸長度法TLM中的幾何偏差與接觸電阻物理關(guān)聯(lián)
技術(shù)支持:4009926602在有機電子學研究領(lǐng)域,有機薄膜晶體管的性能優(yōu)化很大程度上取決于金屬電極與有機半導體界面間的載流子注入效率。為了準確量化這一...
先進材料與三維集成技術(shù)的結(jié)合為邊緣計算應用帶來了新的可能性。本文探討研究人員如何通過單片3D集成方式將硒化銦光電探測器與二硫化鉬憶阻晶體管結(jié)合,實現(xiàn)傳感...
芯片可靠性是一門研究芯片如何在規(guī)定的時間和環(huán)境條件下保持正常功能的科學。它關(guān)注的核心不是芯片能否工作,而是能在高溫、高電壓、持續(xù)運行等壓力下穩(wěn)定工作多久...
在功率MOSFET器件的設計與選型中,單脈沖雪崩能量(Single Pulse Avalanche Energy, EAS)是一個至關(guān)重要的參數(shù)。它量化...
2026-01-20 標簽:開關(guān)電路MOSFET電路設計 4.9k 0
選型手冊:AGM6015C N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM6015C是一款面向60V低壓超大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220封裝,適配負載開關(guān)、電池保護等領(lǐng)域。...
選型手冊:AGM40P150C P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM40P150C是一款面向40V低壓超大功率場景的P溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220封裝,適配負載開關(guān)、電池保護等領(lǐng)...
選型手冊:AGMH6018C N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGMH6018C是一款面向60V低壓大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220封裝,適配負載開關(guān)、電池保護等領(lǐng)域。...
選型手冊:AGM65N20AT N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM65N20AT是一款面向200V高壓中功率場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-247封裝,適配高壓電源管理、同步整流...
選型手冊:AGM012N10LL N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM012N10LL是一款面向100V中壓超大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TOLX-8L封裝,適配高壓超大電流電源...
使用KickStart軟件對MOSFET進行脈沖I-V特性表征
在晶體管器件的研發(fā)階段,制造商通常需要對設計原型進行電學特性評估。直流(DC)測試是最常見的方法,但對于許多半導體器件而言,只有脈沖或短時導通(開關(guān))激...
選型手冊:VSP011N10MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VSP011N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配中壓大功率電源管理、DC...
選型手冊:VS1606GS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS1606GS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中壓小型電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)...
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