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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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選型手冊:VSD007N06MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSD007N06MS是一款面向60V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配低壓大功率電源管理、DC...
2025-12-29 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 313 0
選型手冊:VSF013N10MS3-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSF013N10MS3-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220SF封裝,適配中壓中功率電源管理、...
2025-12-29 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 895 0
隨著智能手機(jī)、電腦等電子設(shè)備不斷追求輕薄化,芯片中的晶體管尺寸已縮小至納米級(如3nm、2nm)。但尺寸縮小的同時(shí),一個(gè)名為“漏致勢壘降低效應(yīng)(DIBL...
半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)與核心摻雜工藝詳解
本文將聚焦半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)、核心摻雜工藝,以及半導(dǎo)體二極管的工作原理——這些是理解復(fù)雜半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。
Ft(電流增益截止頻率) 和 Fmax(最高振蕩頻率) 是兩個(gè)關(guān)鍵的頻率品質(zhì)因數(shù),用于衡量晶體管處理高頻信號的能力。今天我們來聊聊這兩個(gè)參數(shù)。
選型手冊:VSP020P06MS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP020P06MS是一款面向-40V中壓場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配中壓電源的高側(cè)開關(guān)、負(fù)載控制...
2025-12-26 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 321 0
選型手冊:VS6880AT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS6880AT是一款面向68V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中壓大功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域...
2025-12-26 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 266 0
選型手冊:VSP004N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5060X封裝,適配中壓大功率電源管理、...
2025-12-26 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 811 0
選型手冊:VSD004N03MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSD004N03MS是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配低壓超大電流電源管理、D...
2025-12-26 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 315 0
選型手冊:VS8068AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS8068AD是一款面向80V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-262封裝,適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一...
2025-12-26 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 317 0
新潔能NCE07TD60BF:一款高效可靠的600V IGBT,賦能高性能功率系統(tǒng)
在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為核心開關(guān)器件,其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的效率、可靠性與成本。南山電子代理的NCE07TD60BF是...
選型手冊:VSO012N06MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSO012N06MS是一款面向60V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配低壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一...
2025-12-25 標(biāo)簽:MOSFET晶體管威兆半導(dǎo)體 290 0
選型手冊:VS5810AS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS5810AS是一款面向58V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品...
2025-12-25 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 273 0
選型手冊:VSB012N03MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSB012N03MS是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TDFN3x3.3封裝,適配低壓超大電流電源管...
2025-12-25 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 311 0
選型手冊:VSD011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSD011N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開...
2025-12-25 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 648 0
選型手冊:VSD090N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSD090N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等...
2025-12-25 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 314 0
選型手冊:VS6016HS-A N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS6016HS-A是一款面向60V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配低壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、...
2025-12-24 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 410 0
選型手冊:VS6412ASL N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS6412ASL是一款面向60V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配低壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)...
2025-12-24 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 539 0
選型手冊:VST012N06MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VST012N06MS是一款面向60V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配低壓大功率電源管理、負(fù)載開關(guān)...
2025-12-24 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 287 0
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