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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N一層...
晶體管和芯片的關(guān)系介紹 晶體管和芯片是現(xiàn)代電子技術(shù)中最重要的兩個(gè)概念,二者有密不可分的關(guān)系。晶體管是一種半導(dǎo)體材料制造的電子器件,而芯片則是晶體管等電子...
2023-08-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器晶體管編解碼 5.9k 0
硅谷初代傳奇,連Intel和KPCB都曾是其門(mén)徒!
1948年6月26日,貝爾實(shí)驗(yàn)室申請(qǐng)了肖克利發(fā)明的雙極型晶體管的專(zhuān)利,這是他一次在會(huì)議上感到無(wú)聊時(shí)偶然迸發(fā)的非凡設(shè)想。1949年4月7日,貝爾實(shí)驗(yàn)室的G...
電力MOSFET輸出特性曲線分為哪三個(gè)區(qū)?? 電力MOSFET是一種晶體管,用于控制電壓和電流。它們被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、電機(jī)控制、照明系統(tǒng)和各種其他工...
英特爾上個(gè)月月底公布了公司有史以來(lái)最詳細(xì)的制程技術(shù)路線圖之一,展示了從現(xiàn)在到2025年乃至更遠(yuǎn)的未來(lái),驅(qū)動(dòng)新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的突破性技術(shù)。本資料介紹了實(shí)現(xiàn)此路線...
2nm意味著什么?2nm何時(shí)到來(lái)?它與3nm有何不同?
3nm工藝剛量產(chǎn),業(yè)界就已經(jīng)在討論2nm了,并且在調(diào)整相關(guān)的時(shí)間表。2nm工藝不僅對(duì)晶圓廠來(lái)說(shuō)是一個(gè)重大挑戰(zhàn),同樣也考驗(yàn)著EDA公司,以及在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)...
未來(lái)10年來(lái)CPU/GPU的性能將翻倍增長(zhǎng)
具體來(lái)說(shuō),過(guò)去十年中芯片的性能提升中,40%的因素歸功于處理工藝,8%來(lái)源于提高了的TDP,12%來(lái)源于額外的核心面積,17%來(lái)自架構(gòu)改進(jìn),15%來(lái)自功...
有源晶振不需要 DSP 的內(nèi)部振蕩器,信號(hào)質(zhì)量好,比較穩(wěn)定,而且連接方式相對(duì)簡(jiǎn)單(主要是做好電源濾波,通常使用一個(gè)電容和電感構(gòu)成的 PI 型濾波網(wǎng)絡(luò),輸...
關(guān)于C型雙極晶體管LNA和射頻電路設(shè)計(jì)的研究分析
緊接著是BFx840x系列,這是英飛凌科技的最新分立HBT晶體管系列,專(zhuān)為追求高性能而設(shè)計(jì) 5GHz頻帶,具有低噪聲的特點(diǎn)。BFx840x系列在 5GH...
制備基于鈣鈦礦的場(chǎng)效應(yīng)晶體管方面取得新進(jìn)展
制備了基于MAPbX3(X=Cl,Br和I)雜化鈣鈦礦單晶的高性能FET器件,包括底柵頂接觸(BGTC)和底柵底接觸(BGBC)兩種器件構(gòu)型。在實(shí)驗(yàn)中發(fā)...
如何改變逆變電路的輸出頻率 逆變電路是一種能夠?qū)⒅绷麟娹D(zhuǎn)換成交流電的電路,在實(shí)際應(yīng)用中廣泛使用。其輸出頻率是由電路中的元器件參數(shù)所決定的。如果要改變逆變...
pcb電路板維修口訣 作為電子整機(jī)的核心部件,PCB電路板的設(shè)計(jì)、制造,一旦經(jīng)過(guò)一定時(shí)間的使用,就會(huì)不可避免地出現(xiàn)一些問(wèn)題,需要進(jìn)行維修。而要想成功地進(jìn)...
放大器大都工作在閉環(huán)狀態(tài),所以要求閉環(huán)后不能自激 。 而比較器大都工作在開(kāi)環(huán)狀態(tài)更追求速度 。 對(duì)于頻率比較低的情況放大器完全可以代替比較器(要主意輸出...
IGCT器件帶來(lái)顯著的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益
功率半導(dǎo)體器件家族中的重要成員——IGCT 器件能夠安全、可靠、經(jīng)濟(jì)、高效地實(shí)現(xiàn)高壓大容量的能量轉(zhuǎn)換,在柔性直流輸電中展現(xiàn)出非常大的應(yīng)用優(yōu)勢(shì),有望成為直...
2020-06-29 標(biāo)簽:晶體管IGCT半導(dǎo)體器件 5.8k 0
三星電子研發(fā)出比半導(dǎo)體快100倍的石墨烯芯片元件
北京時(shí)間5月21日消息,三星電子成功開(kāi)發(fā)出可生產(chǎn)比原有半導(dǎo)體芯片速度快百倍以上的芯片的新型基礎(chǔ)元件。
【摘 要】 伴隨功率金氧半場(chǎng)效晶體管(mosfet)電流和工作電壓的大幅度增加,以及芯片尺寸的逐漸減小,從而導(dǎo)致器件芯片內(nèi)部電場(chǎng)也相應(yīng)增大。這些現(xiàn)象都嚴(yán)...
85億晶體管!高通驍龍1000強(qiáng)勢(shì)反擊
當(dāng)然,晶體管數(shù)量的激增帶來(lái)的缺點(diǎn)也很明顯,就是芯片尺寸將會(huì)更大,達(dá)到20mm×15mm,這個(gè)尺寸比用于移動(dòng)版本的驍龍855要大得多。驍龍1000仍采用臺(tái)...
解析株洲中車(chē)的汽車(chē)IGBT模塊專(zhuān)利
株洲中車(chē)的“汽車(chē)用IGBT模塊”專(zhuān)利針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題,提供了一種能同時(shí)滿(mǎn)足極端高低溫狀況下的汽車(chē)級(jí)IGBT模塊雙脈沖測(cè)試方法和系統(tǒng),具有測(cè)試操作簡(jiǎn)...
2020-11-16 標(biāo)簽:集成電路新能源汽車(chē)IGBT 5.8k 0
iPhone 12系列的5nm A14芯片超125億顆晶體管
今年的iPhone 12系列依然有不少看點(diǎn),比如首次支持5G網(wǎng)絡(luò)、后置四攝(加入ToF)、搭載5nm A14處理器等。
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