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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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繼電器驅(qū)動(dòng)電路原理 繼電器是一種通過(guò)電信號(hào)控制電路開(kāi)關(guān)的電器,它可以用來(lái)進(jìn)行遠(yuǎn)程控制、自動(dòng)化控制、保護(hù)控制等方面,廣泛應(yīng)用于電氣控制系統(tǒng)中。 繼電器驅(qū)動(dòng)...
晶體管的三種工作狀態(tài)及其特點(diǎn)? 晶體管是一種半導(dǎo)體器件,常用于電子電路中作為放大器、開(kāi)關(guān)等功能的實(shí)現(xiàn)。晶體管具有三種基本的工作狀態(tài),包括截止?fàn)顟B(tài)、飽和狀...
2024-02-02 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體器件 6.1k 0
集成電路中銅基材料與石墨烯的應(yīng)用現(xiàn)狀
隨著科技的不斷進(jìn)步,集成電路作為信息時(shí)代的核心,歷經(jīng)小規(guī)模、中規(guī)模、大規(guī)模階段,在超大規(guī)模、特大規(guī)模時(shí)代中推動(dòng)電子器件向高質(zhì)量、低功耗、集成化的方向發(fā)展...
集成電路的核心是什么?集成電路有哪些器件? 集成電路的核心是晶體管,這是一種半導(dǎo)體材料制成的器件,可用于控制電流。集成電路是應(yīng)用集成電路制造技術(shù)將大量晶...
新型的鐵電半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管已被成功研制出
據(jù)美國(guó)普渡大學(xué)官網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道,該校工程師將晶體管與鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器結(jié)合成一種新設(shè)備,該設(shè)備集信息處理與存儲(chǔ)功能于一身。
“量子力學(xué)”這一術(shù)語(yǔ)漸漸演變成了“量子科技”
雖然量子力學(xué)艱澀難懂,但眾所周知量子力學(xué)發(fā)端于 1900 年代。那時(shí)有一些實(shí)驗(yàn),觀測(cè)到若干與傳統(tǒng)物理學(xué)不符之處,諸如黑體輻射的波長(zhǎng)是分立而非連續(xù)的、諸如...
HEMT(High Electron Mobility Transistor),高電子遷移率晶體管。這是一種異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,又稱(chēng)為調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體...
晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別? 晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管是電子設(shè)備中常用的兩種元器件,它們都是半導(dǎo)體器件,用于放大和控制電流的流動(dòng)。雖然它們?cè)谀承┓矫婵赡苡幸恍┫嗨浦?..
2023-08-25 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管交換機(jī) 6.1k 0
現(xiàn)在的芯片技術(shù)越來(lái)越先進(jìn),人們常常能夠聽(tīng)到某某公司又研發(fā)出5nm、4nm芯片的消息,而目前全球所研發(fā)出的最先進(jìn)的芯片是IBM公司的2nm芯片,我們都知道...
伴隨著摩爾定律衍生出來(lái)的是,由于較小的晶體管通常比較大的晶體管消耗更少的功率,所以隨著晶體管密度的增加,單位芯片面積的功耗保持恒定。但是,晶體管的功耗降...
臺(tái)積電2020年3月開(kāi)始量產(chǎn)5nm工藝,晶體管密度提升最多80%
7nm+ EUV節(jié)點(diǎn)之后,臺(tái)積電5nm工藝將更深入地應(yīng)用EUV極紫外光刻技術(shù),綜合表現(xiàn)全面提升,官方宣稱(chēng)相比第一代7nm EDV工藝可以帶來(lái)最多80%的...
3nm晶體管!中國(guó)芯片領(lǐng)域研究又有新突破
相當(dāng)于一條人類(lèi)DNA鏈的寬度,在一個(gè)指甲蓋大小的芯片上能安裝數(shù)百億個(gè)這種晶體管。
1. TTL電平簡(jiǎn)介 TTL電平是一種數(shù)字信號(hào)標(biāo)準(zhǔn),它定義了邏輯高(1)和邏輯低(0)的電壓范圍。在TTL電路中,邏輯高通常是指+5V(或接近+5V)的...
2025-01-16 標(biāo)簽:晶體管數(shù)字信號(hào)集電極 6k 0
MOS管漲價(jià)最新消息mosfet價(jià)格走勢(shì)長(zhǎng)紅 Diodes 士蘭微等陸續(xù)發(fā)布漲價(jià)通知
受上游晶圓供應(yīng)緊缺情況的持續(xù)影響,近日,國(guó)內(nèi)外多家金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)廠商發(fā)布漲價(jià)通知,目前已累計(jì)四家MOS管廠商已經(jīng)啟動(dòng)漲價(jià),漲...
每次看到號(hào)稱(chēng)大電流的后級(jí)擴(kuò)大機(jī),并聯(lián)十幾、二十對(duì)功率晶體,都會(huì)暗暗吃驚:這些功率晶體都有配對(duì)嗎?因?yàn)橛袩o(wú)配對(duì)是一回事,配得是否「精確」又是一回事。&nb...
2010-11-02 標(biāo)簽:晶體管 6k 0
美國(guó)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域無(wú)可撼動(dòng)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),是50多年的研發(fā)成果
中國(guó)科技的支持者喜歡指出全球第三大智能手機(jī)廠商華為自主設(shè)計(jì)的麒麟手機(jī)芯片,以此作為中國(guó)公司減少了對(duì)外國(guó)核心技術(shù)依賴(lài)的例子。然而,華為的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手小米和中興...
2018-07-09 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體制造微芯片 6k 0
Vishay推出用于智能家居、工業(yè)和辦公設(shè)備的新反射式光傳感器
器件帶有日光阻擋濾光片,采用小尺寸2.5mm x 2.0mm x 0.8mm SMD封裝,可實(shí)現(xiàn)光學(xué)檢查 Vishay光電子產(chǎn)品部推出可用于智能家居、工...
IGNP0912L1KW是一款用于L波段航空電子系統(tǒng)的50ΩGaN / SiC射頻功率模塊,可在0.960 - 1.215 GHz的瞬時(shí)帶寬內(nèi)工作。該集...
在設(shè)計(jì)這種電路時(shí)要注意肖特基二極管的反向電壓VR的最大額定值(因?yàn)榫w管截止時(shí)電源電壓會(huì)原封不動(dòng)的加在肖特基二極管上)。
2021-02-18 標(biāo)簽:晶體管晶體管開(kāi)關(guān)電路 5.9k 0
英飛凌推出采用新型硅封裝的 CoolGaN? G3晶體管, 推動(dòng)全行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程
【 202 5 年 2 月 27 日 , 德國(guó)慕尼黑訊】 氮化鎵(GaN)技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止,GaN供應(yīng)商...
2025-03-03 標(biāo)簽:晶體管 5.9k 0
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