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      標(biāo)簽　>　晶體管

      晶體管

      晶體管

      +關(guān)注78人關(guān)注

      晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非?？?，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

      文章：6377個(gè) 瀏覽：148321次 帖子：853個(gè)

      晶體管資訊

      臺(tái)積電3nm工廠已竣工，將在2022年規(guī)模量產(chǎn)

      在率先量產(chǎn)7nm、5nm工藝之后，臺(tái)積電的3nm工藝越來越近了，11月25日臺(tái)積電在臺(tái)南科學(xué)工業(yè)園舉行了竣工儀式，基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)已經(jīng)完成。

      2020-11-26 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電晶體管 2.5k 0

      硬創(chuàng)早報(bào)：三星全球首秀3nm！電壓只需0.23V

      硬創(chuàng)早報(bào)：三星全球首秀3nm！電壓只需0.23V

      GAAFET技術(shù)又分為兩種類型，一是常規(guī)GAAFET，使用納米線(nanowire)作為晶體管的鰭(fin)，二是MBCFET(多橋通道場效應(yīng)晶體管)，...

      2021-03-23 標(biāo)簽：芯片晶體管半導(dǎo)體行業(yè) 2.5k 0

      晶體管溫度補(bǔ)償電路圖

      晶體管溫度補(bǔ)償電路圖

      溫度升高，電流增大，NTC熱敏電阻阻值下降，Ub下降，Ib減小，穩(wěn)定晶體管靜態(tài)工作點(diǎn)。

      2008-03-12 標(biāo)簽：晶體管溫度補(bǔ)償 2.5k 0

      臺(tái)積電2nm芯片怎么樣

      除了需要依靠尖端的EUV光刻機(jī)之外，芯片廠商本身也需要很深的技術(shù)底蘊(yùn)，臺(tái)積電對于技術(shù)的研發(fā)向來肯砸錢，無數(shù)的資金和資源涌入，也讓臺(tái)積電持續(xù)站在了巔峰，在...

      2022-06-29 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶體管2nm 2.5k 0

      臺(tái)積電有望2025年量產(chǎn)2nm芯片

      ? ? ? ?在臺(tái)積電的法人說明會(huì)上據(jù)臺(tái)積電總裁魏哲家透露臺(tái)積電有望2025年量產(chǎn)2nm芯片。 目前，臺(tái)積電已經(jīng)開始量產(chǎn)3nm工藝; 臺(tái)灣新竹寶山、高雄...

      2023-10-20 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶體管FinFET 2.5k 0

      LGD將擴(kuò)充低溫多晶氧化物薄膜晶體管工藝設(shè)備

      目前，LGD在優(yōu)先搬入5K規(guī)模的LTPO設(shè)備進(jìn)行安裝，到明年5月將再次搬入10K規(guī)模的LTPO設(shè)備。在完成10K規(guī)模的LTPO設(shè)備追加訂單后，計(jì)劃的全部...

      2020-11-10 標(biāo)簽：智能手機(jī)蘋果晶體管 2.5k 0

      無恒定偏置下實(shí)現(xiàn)晶體管的非揮發(fā)性和可重構(gòu)性

      無恒定偏置下實(shí)現(xiàn)晶體管的非揮發(fā)性和可重構(gòu)性

      西電劉艷團(tuán)隊(duì)于IEEE EDL四月刊發(fā)布了基于靜電摻雜的鐵電晶體管器件，相比化學(xué)摻雜工藝，其具有非揮發(fā)、可重構(gòu)、輕摻雜漏極、高源漏摻雜濃度、低源漏電阻等...

      2021-04-15 標(biāo)簽：電阻晶體管 2.5k 0

      臺(tái)積電能造出2納米芯片嗎

      臺(tái)積電在美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間16舉辦的2022年北美技術(shù)論壇上表示，將推出采用納米晶體管下一下代先進(jìn)2納米制程技術(shù)，外界也推測臺(tái)積電或?qū)⒊蔀槿虻谝患衣氏韧瞥龅?..

      2022-06-30 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電晶體管 2.5k 0

      石墨烯+C60+六方氮化硼=未來的晶體管=不會(huì)碎屏幕的智能設(shè)備

      材料由一種名叫C60的微粒制成，C60是半導(dǎo)體，上面涂有其它材料，比如石墨烯和六方氮化硼。為什么這種獨(dú)特的結(jié)合行得通？因?yàn)榱降鹱尣牧细€(wěn)定、具備電...

      2017-06-03 標(biāo)簽：晶體管石墨烯 2.5k 0

      2nm芯片帶來的突破及對商業(yè)的影響

      ibm宣布研制出全球首個(gè)制程為2納米的芯片，2nm芯片不僅僅是制造業(yè)的進(jìn)步，也給芯片制造業(yè)提供了一個(gè)更高的業(yè)界標(biāo)桿，此次，IBM高調(diào)宣稱推出的2nm芯片...

      2022-06-27 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶體管 2.5k 0

      Ampleon為HF、VHF和ISM應(yīng)用提供LDMOS RF功率晶體管

      Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產(chǎn)品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)。

      2016-01-13 標(biāo)簽：晶體管LDMOSAmpleon 2.5k 0

      第一款旨在持續(xù)監(jiān)測一天中的壓力水平的傳感器

      第一款旨在持續(xù)監(jiān)測一天中的壓力水平的傳感器

      這項(xiàng)新研究的重點(diǎn)是荷爾蒙皮質(zhì)醇，它可以在應(yīng)對壓力事件時(shí)飆升，但也會(huì)根據(jù)我們的晝夜節(jié)律在一天中自然分泌。皮質(zhì)醇的水平在早上6點(diǎn)到8點(diǎn)之間達(dá)到峰值，并在一天...

      2021-02-23 標(biāo)簽：傳感器晶體管石墨烯 2.5k 0

      開關(guān)電源的工作原理 開關(guān)電源和線性電源的區(qū)別

      開關(guān)電源的工作原理 開關(guān)電源是一種交直流電轉(zhuǎn)換的電源裝置，其工作原理是通過開關(guān)管的開關(guān)動(dòng)作，以高頻率將輸入電壓切換為脈沖信號，然后通過整流濾波電路將其轉(zhuǎn)...

      2024-11-20 標(biāo)簽：開關(guān)電源濾波電路晶體管 2.5k 0

      智能手機(jī)主宰CMOS興衰？！

      電子發(fā)燒友網(wǎng)訊： 本文主要闡述了以下內(nèi)容：2012年 半導(dǎo)體 國際研討會(huì)開展的非常成功，雖說百家爭鳴，但不難看出一點(diǎn)：未來CMOS的發(fā)展將取決于智能手機(jī)...

      2012-07-01 標(biāo)簽：CMOS智能手機(jī)半導(dǎo)體 2.5k 1

      FinFET是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管

      IEEE獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃分為三種類型：IEEE Medals（獎(jiǎng)?wù)拢?Technical Field Awards（技術(shù)領(lǐng)域獎(jiǎng)勵(lì)）， Recognitions...

      2020-06-16 標(biāo)簽：IEEE半導(dǎo)體晶體管 2.5k 0

      TTL電路在數(shù)字電路中的角色

      在數(shù)字電子學(xué)中，TTL電路以其簡單、可靠和成本效益高而聞名。TTL電路是晶體管-晶體管邏輯的縮寫，它是一種基于雙極型晶體管（BJT）的數(shù)字邏輯門的實(shí)現(xiàn)方...

      2024-11-18 標(biāo)簽：TTL電路邏輯門晶體管 2.4k 0

      中廣芯源新推SC3987：一款降壓型 PWM 轉(zhuǎn)換器

      中廣芯源新推出的SC3987 是一款降壓型 PWM 轉(zhuǎn)換器，典型輸出驅(qū)動(dòng)電流為 3.8A 無需外加晶體管。設(shè)計(jì)允許它可在 8V～30V 的寬輸入電壓下工...

      2022-04-25 標(biāo)簽：單片機(jī)晶體管 2.4k 0

      NVIDIA官方公布 RTX 30系列核心渲染圖

      芯片顯微拍照大神Fritzchens Fritz終于對NVIDIA RTX 30系列下手了，拆開一塊RTX 3090，拍下了GA102核心的內(nèi)核圖，而芯...

      2020-12-15 標(biāo)簽：NVIDIA晶體管RTX 2.4k 0

      東芝TTC502雙極晶體管的功能特性及應(yīng)用實(shí)例

      雙極晶體管的一種電流控制器件，它由兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成，以獲得電壓、電流或信號增益。雙極晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu)：PNP型和NPN型。它們體積小、重量輕、耗...

      2022-10-09 標(biāo)簽：led東芝晶體管 2.4k 0

      M3芯片功耗是多少

      M3芯片的功耗相對較低，這主要得益于其先進(jìn)的制程工藝和高效的設(shè)計(jì)。

      2024-03-11 標(biāo)簽：芯片晶體管 2.4k 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        海思
        +關(guān)注
      • STM32F103C8T6
        STM32F103C8T6
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        STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲(chǔ)器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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        數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中，尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號和開關(guān)量信號的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件（或人）免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn)，選型及應(yīng)用，各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
        光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號，通過光纖傳送后，接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
      • Nexperia
        Nexperia
        +關(guān)注
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        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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        STM32單片機(jī)
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        COMSOL
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        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • 基站測試
        基站測試
        +關(guān)注
        802.11ac與11基站測試（base station tests） 在基站設(shè)備安裝完畢后，對基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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      jf_06730664 鬼不愁 jf_78150839 首金田SJT jf_67310868 jf_33630924 海水一滴 efans_80e021 jf_77234663 愛笑的y jf_80780083 jf_29010282

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