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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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機(jī)載雷達(dá)的數(shù)據(jù)處理技術(shù)難在哪?
來(lái)源:雷達(dá)通信電子戰(zhàn) 對(duì)于機(jī)載雷達(dá)來(lái)說(shuō),傳統(tǒng)任務(wù)對(duì)處理能力的需求將持續(xù)增加。 這些需求將來(lái)自廣域長(zhǎng)時(shí)間監(jiān)視、寬帶處理、傳感器融合、平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)、感知、自主和...
2020-09-11 標(biāo)簽:晶體管數(shù)據(jù)處理機(jī)載雷達(dá) 2.4k 0
臺(tái)積電2nm工藝的研發(fā)已取得重大進(jìn)展,爭(zhēng)取目標(biāo)良品率達(dá)90%
9月25日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,今年一季度順利量產(chǎn)5nm工藝的臺(tái)積電,正在研發(fā)更先進(jìn)的3nm和2nm芯片制程工藝,3nm工藝是計(jì)劃在明年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),202...
基于全新的GAA晶體管結(jié)構(gòu),3nm工藝將三星性能提升35%
當(dāng)前,最先進(jìn)的芯片已經(jīng)采用了5nm工藝(蘋(píng)果A14),這在另一方面也意味著,晶圓代工廠商們需要更加馬不停蹄地推進(jìn)制程技術(shù)的迭代。
AI加速器通常以比PC處理器低的時(shí)鐘速度運(yùn)行,其設(shè)計(jì)師更關(guān)心吞吐量而不是延遲。此外,CPU通常具有隨機(jī)存取模式,但CNN產(chǎn)生的則是順序存儲(chǔ)器存取,其處理...
英國(guó)政府資助Bizen晶體管技術(shù)發(fā)展,有望取代占主導(dǎo)地位的雙極工藝
去年10月,英國(guó)初創(chuàng)公司Search For The Next (SFN) 開(kāi)發(fā)的一種名為Bizen晶體管設(shè)計(jì)被媒體曝光。根據(jù)SFN的說(shuō)法,同傳統(tǒng)的CM...
斯特科技晶體管點(diǎn)焊機(jī)焊接是利用儲(chǔ)存在電容中的電能放電由高頻FE開(kāi)關(guān)進(jìn)行控制電流變換獲得能量釋放速度迅速而且可控并且集中的焊接電流實(shí)現(xiàn)焊接的一種高效的電阻...
2021-06-17 標(biāo)簽:晶體管焊接點(diǎn)焊機(jī) 2.4k 1
IGBT是現(xiàn)代電力電子器件中的主導(dǎo)型器件,被譽(yù)為電力電子行業(yè)的 “CPU”。IGBT代表絕緣柵雙極型晶體管,是國(guó)際公認(rèn)的電力電子技術(shù)的第三次革命最具代表...
我們開(kāi)發(fā)了LFPAK,以滿足計(jì)算行業(yè)在為最新處理器供電時(shí)對(duì)極高電流的需求。隨著每個(gè)新的硅技術(shù)節(jié)點(diǎn)在片上帶來(lái)指數(shù)級(jí)的晶體管,同時(shí)降低電源電壓,峰值電流開(kāi)始...
石墨烯傳感器當(dāng)真可以把現(xiàn)今所有其他材料傳感器秒殺?石墨烯到底是什么?
目前,大多數(shù)的晶體管制造都采用硅信道以及基于硅氧化物的電介質(zhì)。然而,這些晶體管通常不是缺乏透明度就是不夠靈活,因而可能成為制造高整合的壓力傳感器數(shù)組與透...
在數(shù)字電子學(xué)中,信號(hào)的傳輸和處理依賴于電壓水平來(lái)表示邏輯狀態(tài)。TTL電平和低電平信號(hào)是兩種常見(jiàn)的電壓水平,它們?cè)跀?shù)字電路中扮演著重要的角色。 TTL電平...
意法半導(dǎo)體新系列超級(jí)結(jié)晶體管改進(jìn)多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)
2021年10月26日,中國(guó)——STPOWER MDmeshK6 新系列超級(jí)結(jié)晶體管改進(jìn)多個(gè)關(guān)鍵參數(shù),最大限度減少系統(tǒng)功率損耗,特別適合基于反激式拓?fù)涞?..
2021-10-28 標(biāo)簽:芯片意法半導(dǎo)體晶體管 2.4k 0
華為推出完備折疊開(kāi)發(fā)框架和設(shè)計(jì)規(guī)范
華為Mate X2搭載的麒麟9000處理器,采用了先進(jìn)的5nm制程工藝,集成多達(dá)153億個(gè)晶體管采用1個(gè)超大核+3個(gè)大核+4個(gè)小核的三檔能效架構(gòu),最高主...
蘋(píng)果明年預(yù)計(jì)會(huì)推出四款iPhone機(jī)型
該報(bào)道還援引了三星顯示器內(nèi)部消息人士的說(shuō)法,稱蘋(píng)果明年使用OLED面板的iPhone出貨量預(yù)計(jì)在1.6億至1.8億臺(tái)之間,這一數(shù)字包含了iPhone 1...
大聯(lián)大推出基于安森美GS-065-011-1-L功率晶體管的65W PD電源方案
為進(jìn)一步優(yōu)化實(shí)際應(yīng)用的靈活性及快速針對(duì)不同客戶和市場(chǎng)需求,該方案采用了電源模組(AC to DC)+PD模組(PD IC + DC to DC buck...
李國(guó)杰:國(guó)家強(qiáng)盛的基礎(chǔ)是企業(yè)
導(dǎo)讀 10月22日,由中國(guó)計(jì)算機(jī)學(xué)會(huì)(CCF)主辦的2020中國(guó)計(jì)算機(jī)大會(huì)(CNCC2020)在北京開(kāi)幕。 在當(dāng)天下午舉行的首屆CCF 2020 CTO...
2020-11-03 標(biāo)簽:集成電路計(jì)算機(jī)晶體管 2.4k 0
基于專用晶體管的非對(duì)稱Doherty技術(shù)
飛思卡爾半導(dǎo)體針對(duì)2.11GHz~2.17GHz頻段的3G市場(chǎng)推出的方案是,提供包含兩個(gè)專用LDMOS器件的芯片集,用于非對(duì)稱Doherty拓?fù)洹?/p>
英特爾王銳:半導(dǎo)體是推動(dòng)萬(wàn)物數(shù)字化的支撐性技術(shù)
英特爾公司高級(jí)副總裁、英特爾中國(guó)區(qū)董事長(zhǎng)王銳,以“堅(jiān)持硬核創(chuàng)新 驅(qū)動(dòng)數(shù)字經(jīng)濟(jì)”為主題,在36氪WISE 2021新經(jīng)濟(jì)之王峰會(huì)上發(fā)表視頻演講。王銳表示,...
復(fù)旦教授成功實(shí)現(xiàn)3nm/5nmGAA晶體管
來(lái)自復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院的消息,該校周鵬團(tuán)隊(duì)針對(duì)具有重大需求的3-5納米節(jié)點(diǎn)晶體管技術(shù),驗(yàn)證了雙層溝道厚度分別為0.6 /1.2納米的圍柵多橋溝道晶體管(...
面向1200V功率應(yīng)用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢(shì)
近年來(lái),SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入速度加快,但與硅相比成本較高的問(wèn)題依然存在。
2023-12-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器晶體管 2.4k 0
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