深入探索：晶圓級封裝Bump工藝的關鍵點

隨著半導體技術的飛速發(fā)展，晶圓級封裝（WLP）作為先進封裝技術的重要組成部分，正逐漸成為集成電路封裝的主流趨勢。在晶圓級封裝過程中，Bump工藝扮演著至...

2025-03-04 標簽：晶圓封裝wlp 6k 0

基于STM32U5片內溫度傳感器正確測算溫度實戰(zhàn)經驗分享

STM32 在內部都集成了一個溫度傳感器，STM32U5 也不例外。這個位于晶圓上的溫度傳感器雖然不太適合用來測量外部環(huán)境的溫度，但是用于監(jiān)控晶圓上的溫...

2024-02-22 標簽：溫度傳感器存儲器晶圓 6k 0

半導體制造工序中CMP后的晶圓清洗工序

CMP裝置被應用于納米級晶圓表面平坦化的拋光工藝。拋光顆粒以各種狀態(tài)粘附到拋光后的晶片表面。必須確實去除可能成為產品缺陷原因的晶圓表面附著物，CMP后的...

2022-04-18 標簽：半導體晶圓CMP 6k 0

芯片測試有哪些 芯片測試介紹

本文就芯片測試做一個詳細介紹。芯片的測試大致可以分成兩大部分。CP(chipprobering)和FT(finaltest)。某些芯片還會進行SLT（s...

2024-07-26 標簽：晶圓芯片測試可靠性測試 5.9k 0

先進封裝之TSV及TGV技術初探

隨著晶圓代工制程不斷縮小，摩爾定律逼近極限，先進封裝是后摩爾時代的必然選擇。其中，利用高端封裝融合最新和成熟節(jié)點，采用系統(tǒng)封裝(SiP)和基于小芯片的方...

2023-05-23 標簽：晶圓SiP封裝 5.9k 0

物理氣相傳輸法生長SiC晶圓中的缺陷和測試

和Si晶體拉晶工藝類似，PVT法制備SiC單晶和切片形成晶圓過程中也會引入多種缺陷。這些缺陷主要包括：表面缺陷；引入深能級的點缺陷；位錯；堆垛層錯；以及...

2023-12-26 標簽：半導體晶圓SiC 5.9k 0

差動放大器支持低功耗、高性能絕對值電路

本文介紹如何配置雙通道差動放大器（無需外部元件），以提供精密絕對值輸出。與傳統(tǒng)方法相比，這種創(chuàng)新方法可以實現更好的精度、更低的成本和更低的功耗。

2023-02-01 標簽：整流器運算放大器晶圓 5.9k 0

半導體制造三要素：晶圓、晶粒、芯片的傳奇故事

在半導體制造領域，晶圓、晶粒與芯片是三個至關重要的概念，它們各自扮演著不同的角色，卻又緊密相連，共同構成了現代電子設備的基石。本文將深入探討這三者之間的...

2024-12-05 標簽：芯片半導體晶圓 5.8k 0

半導體晶圓制造工藝流程

半導體晶圓制造是現代電子產業(yè)中不可或缺的一環(huán)，它是整個電子行業(yè)的基礎。這項工藝的流程非常復雜，包含了很多步驟和技術，下面將詳細介紹其主要的制造工藝流程。...

2024-12-24 標簽：半導體晶圓晶圓制造 5.7k 0

抓出半導體工藝中的魔鬼－晶圓表面金屬污染分析

早先對于晶圓表面金屬的濃度檢測需求為1010atoms/cm2，隨著工藝演進，偵測極限已降至108 atoms/cm2，可以滿足此分析需求的技術以全反射...

2023-05-24 標簽：晶圓反應器半導體工藝 5.7k 0

ARIMA時間序列模型的建立及在半導體行業(yè)領域的應用

當今半導體產業(yè)面臨全球化的巨大挑戰(zhàn)，不但存在行業(yè)內部企業(yè)之間的競爭，行業(yè)與行業(yè)之間的競爭也日益激烈，直接導致市場需求不確定因素急劇增加;另外，近年來半導...

2021-03-24 標簽：半導體晶圓 5.7k 0

流片Corner Wafer介紹

芯片制造是一個物理過程，存在著工藝偏差（包括摻雜濃度、擴散深度、刻蝕程度等），導致不同批次之間，同一批次不同晶圓之間，同一晶圓不同芯片之間情況都是不相同...

2023-12-01 標簽：晶圓NMOS芯片制造 5.6k 0