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標(biāo)簽 > 晶圓

晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

文章:5248個(gè) 瀏覽:132410 帖子:110個(gè)

晶圓技術(shù)

晶圓是如何變成CPU的

晶圓是非常重要的物件之一,缺少晶圓,目前的大多電子設(shè)備都無法使用。在往期文章中,小編對(duì)晶圓的結(jié)構(gòu)、單晶晶圓等均有所介紹。本文中,為增進(jìn)大家對(duì)晶圓的了解,...

2020-12-26 標(biāo)簽:內(nèi)核CPU晶圓 1.0萬 0

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半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域常常提到WAT,什么是WAT?

2024-12-18 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體測(cè)試季豐電子 10k 0

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2023-04-06 標(biāo)簽:芯片晶圓Wafer 9.7k 0

SiP產(chǎn)品嚴(yán)格而規(guī)范的設(shè)計(jì)流程

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2022-12-07 標(biāo)簽:晶圓TABSiP技術(shù) 9.7k 0

芯片制造流片Corner介紹

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2023-11-01 標(biāo)簽:芯片晶圓制造 9.7k 0

國內(nèi)和國際MEMS晶圓級(jí)測(cè)試技術(shù)對(duì)比分析

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晶圓級(jí)測(cè)試技術(shù)應(yīng)用于MEMS產(chǎn)品開發(fā)全周期的3個(gè)階段:(1)產(chǎn)品研發(fā)(R&D)階段:用以驗(yàn)證器件工作和生產(chǎn)的可行性,獲得早期器件特征。(2)產(chǎn)品試量產(chǎn)階...

2019-01-01 標(biāo)簽:mems晶圓MEMS器件 9.6k 0

車規(guī)芯片的AEC-Q100測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

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AEC其實(shí)是Automotive Electronics Council汽車電子協(xié)會(huì)的簡(jiǎn)稱,并且AECQ標(biāo)準(zhǔn)包括以下幾個(gè)領(lǐng)域,對(duì)于不同領(lǐng)域的電子器件,適...

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Wafer晶圓半導(dǎo)體制造流程圖解

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所謂“半導(dǎo)體”,是一種導(dǎo)電性能介于“導(dǎo)體”和“絕緣體”之間的物質(zhì)總稱。導(dǎo)體能導(dǎo)電,比如鐵銅銀等金屬,絕緣體不導(dǎo)電,比如橡膠。芯片的制作為什么要用半導(dǎo)體?...

2023-05-15 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體制造Wafer 9.5k 0

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芯片的流片方式(Full Mask、MPW) Full Mask和MPW都是集成電路的一種流片(將設(shè)計(jì)結(jié)果交出去進(jìn)行生產(chǎn)制造)方式。Full Mask是...

2023-11-01 標(biāo)簽:芯片集成電路晶圓 9.4k 0

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 DRAM測(cè)試發(fā)生在晶圓探針和封裝測(cè)試。最終組裝的封裝、終端系統(tǒng)要求和成本考慮推動(dòng)了測(cè)試流程,包括ATE要求和相關(guān)測(cè)試內(nèi)容。

2023-11-22 標(biāo)簽:控制器DRAM晶圓 9.3k 0

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半導(dǎo)體爐管設(shè)備是用于半導(dǎo)體材料熱處理的設(shè)備,包括電阻加熱式和感應(yīng)加熱式兩種形式。爐管是核心部件,將半導(dǎo)體材料放入加熱爐中進(jìn)行處理;加熱元件負(fù)責(zé)對(duì)爐管內(nèi)部...

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什么是金屬蝕刻和蝕刻工藝?

金屬蝕刻是一種通過化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過程組成。不同的蝕刻劑對(duì)不同的金屬材料具有...

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什么是CSP封裝,CSP封裝量產(chǎn)測(cè)試的問題及解決方案研究

CSP封裝的芯片測(cè)試,由于其封裝較小,采用普通的機(jī)械手測(cè)試無法實(shí)現(xiàn),目前主要采用類似晶圓測(cè)試的方法,在芯片完成置球封裝后,先不做劃片,而直接用探針卡進(jìn)行...

2017-10-27 標(biāo)簽:晶圓padcsp封裝 9k 0

晶圓測(cè)試設(shè)備的“指尖”——探針卡

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探針卡是半導(dǎo)體晶圓測(cè)試過程中需要使用的重要零部件,被認(rèn)為是測(cè)試設(shè)備的“指尖”。由于每一種芯片的引腳排列、尺寸、間距變化、頻率變化、測(cè)試電流、測(cè)試機(jī)臺(tái)有所...

2023-05-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓自動(dòng)測(cè)試 9k 0

模擬IC無源器件特性

晶圓的層次結(jié)構(gòu)如下圖所示:硅基板P型襯底為摻雜硼原子的Si,N阱(n-well)為摻雜磷原子的Si;其上面為隔離作用的場(chǎng)氧層是SiO2,場(chǎng)氧層上面由多晶...

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芯片制造的6個(gè)關(guān)鍵步驟

盡管芯片已經(jīng)可以被如此大規(guī)模地生產(chǎn)出來,生產(chǎn)芯片卻并非易事。制造芯片的過程十分復(fù)雜,今天我們將會(huì)介紹六個(gè)最為關(guān)鍵的步驟:沉積、光刻膠涂覆、光刻、刻蝕、離...

2022-03-23 標(biāo)簽:芯片晶圓 8.9k 0

重點(diǎn)闡述濕法刻蝕

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光刻工藝后,在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形,下一步就是刻蝕。

2023-06-08 標(biāo)簽:集成電路邏輯電路晶圓 8.9k 0

什么是硅片?為什么硅片表面如此光滑?

拋光液必須現(xiàn)場(chǎng)調(diào)配,立即使用。通過測(cè)量容積或液位實(shí)時(shí)確保各種成分的配比,實(shí)現(xiàn)現(xiàn)配現(xiàn)磨。先進(jìn)的芯片制程采用非接觸式的稱重計(jì)量法來做配比,采用自動(dòng)化的高精密...

2023-02-02 標(biāo)簽:晶圓CMP硅片 8.8k 0

SiC外延工藝基本介紹

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外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上,經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜,襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片,可進(jìn)...

2023-05-31 標(biāo)簽:MOSFET晶圓工藝 8.7k 0

為什么要提升芯片良率?良率為什么難提升?

為什么要提升芯片良率?良率為什么難提升?

提高芯片的良率變得越來越困難,很多新建的晶圓廠通線數(shù)年仍難以量產(chǎn),有的雖勉強(qiáng)量產(chǎn),但是良率始終無法爬坡式的提升,很多朋友會(huì)問:芯片的良率提升真的有那么難...

2023-09-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓芯片制造 8.7k 0

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