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      標簽　>　氮化硅

      氮化硅

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      氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點。氮化硅（SI3N4）陶瓷線路板是一種采用氮化硅陶瓷材料作為基板的高性能電子線路板。它具有優(yōu)異的機械和電性能。

      文章：86個 瀏覽：682次 帖子：0個

      氮化硅技術(shù)

      氮化硅是半導體材料嗎 氮化硅的性能及用途

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      Science：石墨烯，再破一個新紀錄！

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      超材料完美吸收器層堆疊提供共振增強，同時充當電接觸，誘導pn摻雜，從而實現(xiàn)高效快速的載流子提取。直接自由空間耦合可實現(xiàn)光功率的分布，導致超過100 mW...

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      氮化硅(Si3N4)的理論熱導率上限

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      綜述高導熱氮化硅陶瓷基板研究現(xiàn)狀

      目前使用較多的燒結(jié)助劑是 Y2O3-MgO，但是仍不可避免地引入了氧雜質(zhì)，因此可以選用非氧化物燒結(jié)助劑來替換氧化物燒結(jié)助劑，如 YF3-MgO、MgF2...

      2022-12-01 標簽：半導體電子器件基板 4.6k 0

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      銅金屬化過程中，氮化硅薄層通常作為金屬層間電介質(zhì)層（IMD）的密封層和刻蝕停止層。而厚的氮化硅則用于作為IC芯片的鈍化保護電介質(zhì)層（Passivatio...

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      在半導體濕法蝕刻中， 熱磷酸廣泛地用于對氮化硅的去除工藝， 實踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā)， 我們...

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      本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點燃等離子體以a形成含氟蝕刻...

      2022-04-24 標簽：多晶硅蝕刻襯底 1.7k 0

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      摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫...

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      引言 精細陶瓷由于其優(yōu)越的機械性能和功能性能，在過去的二十年中得到了發(fā)展。最近，從環(huán)境和經(jīng)濟的角度來看，希望開發(fā)具有較低能量的制造工藝，因為生產(chǎn)精細陶瓷...

      2021-12-23 標簽：溶液掃描電鏡氮化硅 2.3k 0

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