羅杰斯公司于近日推出了新款 curamik?系列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基板。由于氮化硅的機(jī)械強(qiáng)度比其它陶瓷高，所以新款curamik? 基板能夠幫助設(shè)計者在嚴(yán)苛的工作環(huán)境以及 HEV/EV 和其它可再生
2012-08-07 11:34:16
3920 離子注入后的快速加熱退火(RTA)工藝是快速加熱步驟 (RTP)中最常使用的一種技術(shù)。當(dāng)離子注入完成后，靠近表面的硅晶體結(jié)構(gòu)會受到高能離子的轟擊而嚴(yán)重?fù)p傷，需要高溫退火消除損傷來恢復(fù)單晶結(jié)構(gòu)并激活
2022-10-24 09:26:4217910 該工藝是指在形成層間介質(zhì)層（ILD）后，插入工序以形成高k介質(zhì)和金屬柵疊層，即在化學(xué)機(jī)械拋光（露出多晶硅柵疊層）后，刻蝕掉硬掩模（氮化硅/氧化硅），利用干法或濕法刻蝕清除多晶硅；然后形成高k介質(zhì)（IL-ox/氧化鉿)，
2023-01-17 11:39:233811 
原理是在高溫真空環(huán)境下，利用含有鈦、鋯、鉿等活性元素的金屬焊料，與氮化鋁（AlN）或氮化硅（Si?N?）陶瓷表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成可被液態(tài)釬料潤濕的穩(wěn)定反應(yīng)層，從而將純銅箔牢固焊接在陶瓷基板上。 ? 相比傳統(tǒng)的DBC（直接鍵合銅）技術(shù)，AMB工藝通過化學(xué)鍵合而非物理共晶實(shí)現(xiàn)連接，結(jié)
2025-12-01 06:12:004600 、 合金化6、 單面光刻（涂膠、對準(zhǔn)、曝光、顯影）7、 雙面光刻8、 LPCVD Si3N4 （氮化硅）9、 LPCVD POLY（多晶硅）10、 a-Si （非晶硅）11、 PECVD SiO2 （氧化硅
2015-01-07 16:15:47
的振動和沖擊力，機(jī)械強(qiáng)度要求高。這就不得不提到我們今天的主角，氮化硅基板了。氮化硅的優(yōu)點(diǎn)1、在高溫下具有高強(qiáng)度和斷裂韌性。2、散熱系數(shù)高，熱膨脹系數(shù)與芯片匹配，同時具有極高的耐熱沖擊性。3、使用氮化硅陶瓷
2021-01-27 11:30:38
適應(yīng)高溫高壓的工作環(huán)境。氮化硅的散熱系數(shù)高，熱膨脹系數(shù)與芯片匹配，同時具有極高的耐熱沖擊性。能在及時散去電源系統(tǒng)中的高熱量，保證各大功率負(fù)載的正常運(yùn)行的同時，保護(hù)芯片正常工作。使用氮化硅陶瓷基板的設(shè)備
2021-01-21 11:45:54
堅固耐用的設(shè)計設(shè)計用于自動拾取和插入聚酰亞胺劃痕保護(hù)快速切換速度：20nSLow Capacitance：50FF氮化硅鈍化MA4FCP305產(chǎn)品詳情MA4FCP305列由硅芯片倒裝PIN二極管
2018-11-16 11:53:06
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
清洗，滿足高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) 4.液溫加熱與自動恒溫系統(tǒng)，溫控范圍為30-110℃ 5.獨(dú)立回收系統(tǒng)，溶劑干凈 四、其他清洗工藝 超聲清洗 1.加熱器、冷卻管 2.溫控系統(tǒng) 3.隔音系統(tǒng) 4.
2021-02-05 15:37:50
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
青睞的刻蝕劑是氟化銨和醋酸1：2的混合水溶液。氮化硅濕法刻蝕對于鈍化層，另外一種受青睞的化合物是氮化硅?？梢杂靡后w化學(xué)的方法來刻蝕，但是不想其他層那樣容易。使用的化學(xué)品是熱磷酸。因酸液在此溫度下會迅速
2018-12-21 13:49:20
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-08-02 08:23:59
%。另外，以上研究結(jié)果都是建立在實(shí)驗(yàn)室基礎(chǔ)之上的，今后仍有很大的發(fā)展空間。圖4：利用“Na Flux（鈉助溶）法”和“Point Seed（點(diǎn)籽晶）法”可制作出高質(zhì)量、大尺寸的氮化硅襯底。利用“Na
2023-02-23 15:46:22
的了解有限，工藝設(shè)計方案漏洞多，很難獲得達(dá)到設(shè)計要求的MEMS器件和系統(tǒng)。因此，加強(qiáng)工藝設(shè)計是當(dāng)前MEMS設(shè)計中要解決的首要問題。 本文所提出的IMEE系統(tǒng)，是一種以一個工藝為主線來貫穿整個
2019-06-25 06:41:25
系統(tǒng)能做得越小巧，則電動車的電池續(xù)航力越高。這是電動車廠商之所以對碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設(shè)備上攻城略地，氮化鎵組件則是在小型化電源應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域逐漸擴(kuò)散，與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
1、 電子、物理、通信、材料等專業(yè)，本科以上學(xué)歷，3年以上的PECVD\LPCVD沉積工作經(jīng)驗(yàn)； 2、 了解半導(dǎo)體工藝、精通PECVD或LPCVD材料生長技術(shù)； 3、 精通PECVD或LPCVD設(shè)備
2012-12-19 22:42:16
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長期
2019-08-20 08:01:20
FPGA在
系統(tǒng)中表現(xiàn)出的特性是由芯片制造的半導(dǎo)體
工藝決定的，當(dāng)然它們之間的關(guān)系比較復(fù)雜。過去，在每一節(jié)點(diǎn)會改進(jìn)
工藝的各個方面，每一新器件的最佳
工藝選擇是尺寸最小的最新
工藝?，F(xiàn)在，情況已不再如此?！ ?/div>
2019-09-17 07:40:28
是基本半導(dǎo)體針對新能源商用車等大型車輛客戶對主牽引驅(qū)動器功率器件的高功率密度、長器件壽命等需求而專門開發(fā)的產(chǎn)品?！ ≡摦a(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)ED3封裝，采用雙面有壓型銀燒結(jié)連接工藝、高密度銅線鍵合技術(shù)、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
氮化鎵(GaN)和射頻(RF)能量應(yīng)用為工業(yè)市場帶來重大變革。以前分享過氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過程，接下來在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化鎵如何用于工業(yè)加熱和干燥。從工業(yè)角度
2018-01-18 10:56:28
新型高頻感應(yīng)加熱設(shè)備工藝比較傳統(tǒng)加熱方式的優(yōu)勢新型高頻感應(yīng)加熱設(shè)備和傳統(tǒng)的加熱方式相比具有以下明顯的優(yōu)勢：①感應(yīng)加熱生產(chǎn)線的線速度、能源消耗費(fèi)用等指標(biāo)要比傳統(tǒng)加熱爐高一個數(shù)量級；②產(chǎn)品規(guī)格范圍寬
2011-06-19 09:16:38
氮化硅層，摻雜磷 (P+5) 離子，形成 N 型阱 9、 退火處理，然后用 HF 去除 SiO2 層 10、干法氧化法生成一層 SiO2 層，然后 LPCVD 沉積一層氮化硅 11、利用光刻技術(shù)和離子
2011-12-01 15:43:10
熱分解（約650 oC）淀積而成。采用選擇氧化進(jìn)行器件隔離時所使用的氮化硅薄膜也是用低壓CVD法，利用氨和SiH4 或Si2H6反應(yīng)面生成的，作為層間絕緣的SiO2薄膜是用SiH4和O2在400
2019-08-16 11:09:49
氣體在加熱基板上反應(yīng)或分解使其生成物淀積到基板上形成薄膜。CVD技術(shù)可以分為常壓、低壓、等離子體增強(qiáng)等不同技術(shù)。采用CVD所能制作的膜有多晶硅、單晶硅、非晶硅等半導(dǎo)體薄膜，氧化硅、氮化硅等絕緣體介質(zhì)
2018-11-05 15:42:42
硅技術(shù)的迅猛發(fā)展使工程師們能夠設(shè)計和創(chuàng)建出新型電路，這些電路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)和PHEMT技術(shù)才能達(dá)到，電路的核心就是鍺化硅(SiGe)工藝
2019-07-30 07:56:50
低熱量化學(xué)氣相工藝制備氮化硅美國Aviza工藝公司開發(fā)出一種低溫化學(xué)氣相沉積工藝(LPCVD)，可在500℃左右進(jìn)行氮化硅沉積。這個工藝使用一
2009-06-12 21:08:291232 PCB工藝流程詳解
2017-01-28 21:32:49
0 CMOS 工藝流程介紹
1.襯底選擇：選擇合適的襯底，或者外延片，本流程是帶外延的襯底；
2. 開始：Pad oxide 氧化，如果直接淀積氮化硅，氮化硅對襯底應(yīng)力過大，容易出問題；
2020-06-02 08:00:000 摘要：在半導(dǎo)體制造工藝的濕法刻蝕中，用熱磷酸刻蝕氮化硅和氮氧化硅是其中一個相對復(fù)雜又難以控制的工藝。在這個工藝中，熱磷酸刻蝕后的去離子水（ＤＩＷ）清洗更是一個非常重要的步驟。主要分析了由于去離子水
2020-12-29 14:36:073584 
瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）基礎(chǔ)科學(xué)學(xué)院的Tobias Kippenberg教授帶領(lǐng)的科學(xué)家團(tuán)隊已經(jīng)開發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造光子集成電路的新技術(shù)，得到了創(chuàng)記錄的低光學(xué)損耗，且芯片尺寸小。
2021-05-06 14:27:393272 近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）教授Tobias Kippenberg團(tuán)隊開發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路（光子芯片）技術(shù)，得到了創(chuàng)紀(jì)錄的低光學(xué)損耗，且芯片尺寸小。相關(guān)研究在《自然—通訊》上發(fā)表。
2021-05-24 10:43:386263 氮化鎵晶片的化學(xué)機(jī)械拋光工藝綜述
2021-07-02 11:23:3646 在中紅外波長下，演示了一種具有大纖芯-包層指數(shù)對比度的鍺基平臺——氮化硅鍺波導(dǎo)。仿真驗(yàn)證了該結(jié)構(gòu)的可行性。這種結(jié)構(gòu)是通過首先將氮化硅沉積的硅上鍺施主晶片鍵合到硅襯底晶片上，然后通過層轉(zhuǎn)移方法獲得氮化硅上鍺結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)的，該結(jié)構(gòu)可擴(kuò)展到所有晶片尺寸。
2021-12-16 17:37:572046 
關(guān)鍵詞:氮化硅，二氧化硅，磷酸，選擇性蝕刻，密度泛函理論，焦磷酸 介紹 信息技術(shù)給我們的現(xiàn)代社會帶來了巨大的轉(zhuǎn)變。為了提高信息技術(shù)器件的存儲密度，我們?nèi)A林科納使用淺溝槽隔離技術(shù)將半導(dǎo)體制造成無漏
2021-12-28 16:38:088494 
從晶圓到芯片，有哪些工藝流程？晶圓制造工藝流程步驟如下： 1.表面清洗 2.初次氧化 3.CVD 4.涂敷光刻膠 5.用干法氧化法將氮化硅去除 6.去除光刻膠 7.用熱磷酸去除氮化硅層 8.退火處理
2021-12-30 11:11:1620885 摘要 本文研究了氮化硅（氮化硅）基底的不同表面預(yù)處理（四種標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)蝕刻和四種金剛石粉末磨刻(CVD)的效率?？瞻?b class="flag-6" style="color: red">氮化硅樣品用膠體二氧化硅(0.25m)拋光。金剛石成核和生長運(yùn)行在微波等離子體化學(xué)氣相
2022-01-21 15:02:041353 
是干法技術(shù)，其中顆粒從干燥的顆粒-氣溶膠流中沉積。晶片老化的程度通過清洗測試來量化。在顆粒沉積后的不同日子，清洗被氮化硅和鎢顆粒污染的晶片，并監(jiān)測清洗效率隨晶片儲存時間的變化。測試表明，與濕浸晶片相比，干沉積晶
2022-03-04 15:03:503354 
本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及(c
2022-04-24 14:58:511655 
評估各種清洗技術(shù)的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖規(guī)定了從硅片上去除顆粒百分比的標(biāo)準(zhǔn)挑戰(zhàn)，該挑戰(zhàn)基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:382023 
硅局部氧化(LOCOS)的隔離效果比整面全區(qū)覆蓋式氧化效果好。LOCOS工藝使用一層很 薄的二氧化硅層200-500A作為襯墊層以緩沖LPCVD氮化硅的強(qiáng)張力。經(jīng)過氮化硅刻蝕、光 刻膠剝除和晶圓清洗后，沒有被氮化硅覆蓋的區(qū)域再生長出一層厚度為3000?5000 A的氧化 層。
2022-08-12 11:18:0510822 在半導(dǎo)體濕法蝕刻中， 熱磷酸廣泛地用于對氮化硅的去除工藝， 實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā)， 我們?nèi)A林科納分析了影響蝕刻率的各個因素， 并通過
2022-08-30 16:41:597112 
材料。而氮化硅陶瓷板在各方面比較均衡，也是綜合性能最好的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。因此，Si3N4氮化硅在電力電子器件陶瓷基板制造領(lǐng)域具有很強(qiáng)的競爭力。 過去，電路基板是由分立元件或集成電路與分立元件組合而成的平面材料，以滿足整
2022-10-07 10:22:002711 
RTCVD過程可以用來沉積多晶硅、氮化硅和二氧化硅，例如在淺溝槽隔離工藝中使用CVD氧化硅填充溝槽。
2022-11-08 09:52:201491 如今高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板因其優(yōu)異的機(jī)械性能和高導(dǎo)熱性而成為下一代大功率電子器件不可缺少的元件，適用于復(fù)雜和極端環(huán)境中的應(yīng)用。在這里，我們概述了制備高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷的最新進(jìn)展。
2022-11-10 10:01:333477 2022年9月，威海圓環(huán)先進(jìn)陶瓷股份有限公司生產(chǎn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板已經(jīng)達(dá)到量產(chǎn)規(guī)模，高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板各項(xiàng)理化指標(biāo)到了國際上行業(yè)領(lǐng)軍的質(zhì)量水平，突破了西方先進(jìn)國家在高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的技術(shù)保護(hù)和應(yīng)用產(chǎn)品對我國“卡脖子”難題。
2022-11-11 16:36:576784 
針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進(jìn)展。對影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素、制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機(jī)械性能和介電性能等方面的最新研究進(jìn)展作了詳細(xì)論述
2022-12-06 09:42:401771 綜合上述研究可發(fā)現(xiàn)，雖然燒結(jié)方式不一樣，但都可以制備出性能優(yōu)異的氮化硅陶瓷。在實(shí)現(xiàn)氮化硅陶瓷大規(guī)模生產(chǎn)時，需要考慮成本、操作難易程度和生產(chǎn)周期等因素，因此找到一種快速、簡便、低成本的燒結(jié)工藝是關(guān)鍵。
2022-12-06 10:30:395497 優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電子器件封裝。 由于具有優(yōu)異的硬度、機(jī)械強(qiáng)度和散熱性，氮化硅陶瓷和氮化鋁陶瓷基板都可以制成用于電子封裝的陶瓷基板，同時它們也具有不同的性能和優(yōu)勢。以下就是區(qū)別。 1、散熱差異 氮化硅陶瓷基板的導(dǎo)熱
2022-12-09 17:18:242741 
存儲單元中，電荷的存儲層可以是浮柵或氮化硅電荷俘獲層(Charge-Trapping Layer, CTL)。三維CTL垂直溝道型NAND 閃存(3D NAND 或 V-NAND)基于無結(jié)型 (Junctionless， JL)薄膜場效應(yīng)晶體管(TFT)，具有更好的可靠性。
2023-02-03 09:16:5717470 現(xiàn)今，氮化硅（SiN）為光子集成提供了更多的途徑，包括新的200mm、高產(chǎn)量、汽車級CMOS生產(chǎn)線。在過去的幾年里，SiN緊隨確立已久的硅光子學(xué)之后，該材料平臺已經(jīng)成熟，并在光子集成電路（PIC）市場上，為那些需要非常低傳播損耗、可見波長或高激光功率的應(yīng)用提供了新的機(jī)會。
2023-02-15 16:37:091407 
國產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項(xiàng)性能優(yōu)勢
2023-03-15 17:22:552353 
氮化硅材料的引入，為人們提供了一個解決方案。氮化硅不僅具有多項(xiàng)優(yōu)異的光學(xué)特性，而且氮化硅片上集成光波導(dǎo)的加工也能完美兼容當(dāng)下標(biāo)準(zhǔn)的CMOS硅芯片制造工藝。目前，世界上僅少數(shù)幾個實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)了0.01 dB每厘米甚至更低的光傳輸損耗。
2023-03-22 09:49:291578 氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點(diǎn)。這使得氮化硅線路板有著廣泛的應(yīng)用前景和市場需求，正因?yàn)槿绱怂估ìF(xiàn)正全力研發(fā)氮化硅作為基材的線路板。
2023-04-11 12:02:402778 
近日，上海玻璃鋼研究院有限公司的高級工程師趙中堅沿著該思路，以純纖維狀α-Si3N4粉為主要原料，通過添加一定比例氧化物燒結(jié)助劑，經(jīng)冷等靜壓成型和氣氛保護(hù)無壓燒結(jié)工藝燒結(jié)制備出了能充分滿足高性能導(dǎo)彈天線罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:463457 新能源電動汽車爆發(fā)式增長的勢頭不可阻擋，氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，對提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、充電速度、輕量化、電池成本等各項(xiàng)性能尤為重要。
2023-05-02 09:28:452666 
詳解半導(dǎo)體封裝測試工藝
2023-05-31 09:42:182317 
的要求，傳統(tǒng)的陶瓷基板如AlN、Al2O3、BeO等的缺點(diǎn)也日益突出，如較低的理論熱導(dǎo)率和較差的力學(xué)性能等，嚴(yán)重阻礙了其發(fā)展。相比于傳統(tǒng)陶瓷基板材料，氮化硅陶瓷由于
2022-12-05 10:57:123349 
氮化硅陶瓷軸承球與鋼質(zhì)球相比具有突出的優(yōu)點(diǎn):密度低、耐高溫、自潤滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質(zhì)球相同。陶瓷球作為高速旋轉(zhuǎn)體產(chǎn)生離心應(yīng)力，氮化硅的低密度降低了高速旋轉(zhuǎn)體外圈上的離心應(yīng)力。
2023-07-05 10:37:064579 
氮化鋁具有較高的熱導(dǎo)性，比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環(huán)境中可以更有效地傳導(dǎo)熱量。
2023-07-06 15:41:232822 氮化硅是一種半導(dǎo)體材料。氮化硅具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過摻雜來調(diào)節(jié)其導(dǎo)電性能，因此被視為一種重要的半導(dǎo)體材料。
2023-07-06 15:44:438300 半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:543038 
PECVD作為太陽能電池生產(chǎn)中的一種工藝，對其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面，從而有效提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測沉積后太陽能電池片
2023-09-27 08:35:497024 
PCB工藝流程詳解
2022-12-30 09:20:2411 PCB工藝流程詳解
2023-03-01 15:37:4423 據(jù)麥姆斯咨詢報道，經(jīng)過兩年、十余次的設(shè)計和工藝迭代，國科光芯（海寧）科技股份有限公司（簡稱：國科光芯）在國內(nèi)首個8英寸低損耗氮化硅硅光量產(chǎn)平臺，實(shí)現(xiàn)了傳輸損耗-0.1 dB/cm（1550 nm波長
2023-11-17 09:04:543703 京瓷株式會社（以下簡稱京瓷）成功研發(fā)用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡稱SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:061243 
在芯片制造中，有一種材料扮演著至關(guān)重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。
2023-12-20 18:16:094881 
TOPCon 電池的制備工序包括清洗制絨、正面硼擴(kuò)散、BSG 去除和背面刻蝕、氧化層鈍化接觸制備、正面氧化鋁沉積、正背面氮化硅沉積、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)和測試分選，約 12 步左右。從技術(shù)路徑角度：LPCVD 方式為目前量產(chǎn)的主流工藝，預(yù)計 PECVD 路線有望成為未來新方向。
2023-12-26 14:59:1117304 
材料的生長和加工難度較大，其特色工藝模塊的研究和應(yīng)用成為了當(dāng)前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個方面： 注入摻雜 在碳化硅中，碳硅鍵能較高，雜質(zhì)原子難以在其中擴(kuò)散。因此，在制備碳化硅器件時
2024-01-11 17:33:141646 
LPCVD是低壓化學(xué)氣相沉積（low-pressurechemical vapor deposition）的縮寫，低壓主要是相對于常壓的APCVD而言，主要區(qū)別點(diǎn)就是工作環(huán)境的壓強(qiáng)，LPCVD的壓強(qiáng)通常只有10~1000Pa，而APCVD壓強(qiáng)約為101.3KPa。
2024-01-22 10:38:353374 
在MEMS工藝中，常用的退火方法，如高溫爐管退火和快速熱退火（RTP）。RTP (Rapid Thermal Processing)是一種在很短的時間內(nèi)將整個硅片加熱到400~1300°C范圍的方法。
2024-03-19 15:21:054528 
、介電常數(shù)高等優(yōu)點(diǎn)，在集成電路制造領(lǐng)域被廣泛用作表面鈍化層、絕緣層、擴(kuò)散阻擋層、刻蝕掩蔽膜等。 LPCVD?和?PECVD?制備氮化硅薄膜特性對比（下表） 低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）氮化硅工藝需要高溫，通常在?700~800°C，而等離子體增強(qiáng)
2024-11-24 09:33:392761 
碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅（SiC）作為一種高性能的半導(dǎo)體材料，其制造工藝涉及多個復(fù)雜步驟，以下是對SiC制造工藝的詳細(xì)介紹： 原材料選擇與預(yù)處理 SiC生產(chǎn)的基礎(chǔ)在于原材料的精選。多用純凈
2024-11-25 16:32:276212 小、化學(xué)穩(wěn)定性好以及介電常數(shù)高等一系列優(yōu)點(diǎn)。本文將主要介紹了氮化硅薄膜的制備方法、特性及其在半導(dǎo)體器件制造中的具體應(yīng)用，重點(diǎn)對比低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）兩種制備工藝，并詳細(xì)解析低應(yīng)
2024-11-29 10:44:513427 
可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應(yīng)溫度較高，氫原子往往從氮化硅薄膜中去除，因此反應(yīng)物中氫的含量較低。氮化硅中主要由硅和氮元素組成。而PECVD反應(yīng)
2025-02-07 09:44:141237 
本文介紹了單晶圓系統(tǒng)：多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨(dú)特的工藝優(yōu)勢，它具備進(jìn)行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一，便是能夠?qū)崿F(xiàn)臨場的多晶硅和鎢硅化物沉積
2025-02-11 09:19:051132 
在芯片制造這一復(fù)雜且精妙的領(lǐng)域中，氮化硅（SiNx）占據(jù)著極為重要的地位，絕大多數(shù)芯片的生產(chǎn)都離不開它的參與。從其構(gòu)成來看，氮化硅屬于無機(jī)化合物，由硅元素與氮元素共同組成。這種看似普通的元素組合，卻蘊(yùn)含著諸多獨(dú)特的性質(zhì)，在芯片制造流程里發(fā)揮著不可替代的作用 。
2025-04-22 15:23:332494 
很多行業(yè)的人都在好奇一個問題，就是spm清洗會把氮化硅去除嗎？為此，我們根據(jù)實(shí)踐與理論，給大家找到一個結(jié)果，感興趣的話可以來看看吧。 SPM清洗通常不會去除氮化硅（Si?N?），但需注意特定條件
2025-04-27 11:31:40867 本文介紹了通過LPCVD制備氮化硅低應(yīng)力膜 氮化硅膜在MEMS中應(yīng)用十分廣泛，可作為支撐層、絕緣層、鈍化層和硬掩膜使用。SiN極耐化學(xué)腐蝕，疏水性使它可以作為MEMS壓力傳感器、MEMS流量
2025-05-09 10:07:121114 
氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。
2025-06-24 09:15:231754 
在現(xiàn)代電子封裝領(lǐng)域，氮化硅（Si?N?） AMB陶瓷覆銅 基板憑借其卓越的熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)以及優(yōu)異的電氣絕緣性能，逐漸成為高端電子設(shè)備的關(guān)鍵材料。然而，銅/陶瓷界面的空洞率問題卻成為了制約其產(chǎn)品
2025-07-05 18:04:002005 氮化硅陶瓷憑借其獨(dú)特的物理化學(xué)性能組合，已成為現(xiàn)代射頻功率器件載體的關(guān)鍵材料。其優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性、機(jī)械強(qiáng)度及熱穩(wěn)定性，為高功率、高頻率電子設(shè)備提供了可靠的解決方案。 氮化硅陶瓷載體 一、氮化硅
2025-07-12 10:17:2014193 
氮化硅陶瓷導(dǎo)熱基片憑借其優(yōu)異的綜合性能，在電子行業(yè)，尤其是在高功率密度、高可靠性要求領(lǐng)域，正扮演著越來越重要的角色。
2025-07-25 17:58:54827 氮化硅(Si?N?)陶瓷以其卓越的綜合性能，成為現(xiàn)代大功率電子器件（如IGBT/SiC模塊）散熱基板的理想候選材料。
2025-07-25 17:59:551453 在新能源汽車快速發(fā)展的今天，電力電子系統(tǒng)的性能提升已成為行業(yè)競爭的關(guān)鍵。作為核心散熱材料的 陶瓷基板 ，其技術(shù)演進(jìn)直接影響著整車的能效和可靠性。在眾多陶瓷材料中，氮化硅(Si?N?)憑借其獨(dú)特的性能
2025-08-02 18:31:094296 氮化硅陶瓷逆變器散熱基板在還原性氣體環(huán)境（H2, CO）中的應(yīng)用分析 在新能源汽車、光伏發(fā)電等領(lǐng)域的功率模塊應(yīng)用中，逆變器散熱基板不僅面臨高熱流密度的挑戰(zhàn)，有時還需耐受如氫氣（H2）、一氧化碳（CO
2025-08-03 11:37:341292 氮化硅陶瓷基片：高頻電磁場封裝的關(guān)鍵材料 氮化硅陶瓷基片在高頻電子封裝領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。其獨(dú)特的高電阻率與低介電損耗特性，有效解決了高頻電磁場環(huán)境下電磁干擾引發(fā)的信號失真、串?dāng)_和成型缺陷
2025-08-05 07:24:00858 化學(xué)氣相淀積（CVD）是借助混合氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在硅片表面沉積一層固體薄膜的核心工藝。在集成電路制造流程中，CVD 工藝除了可用于沉積金屬阻擋層、種子層等結(jié)構(gòu)外，其核心應(yīng)用場景集中在沉積二氧化硅、氮化硅等介質(zhì)薄膜。
2025-11-11 13:50:361412 
熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷晶圓搬運(yùn)臂是半導(dǎo)體潔凈室自動化中的關(guān)鍵部件，其高抗彎強(qiáng)度范圍在600至1000兆帕，確保了在高速、高精度晶圓處理過程中的可靠性和耐久性。本文首先分析氮化硅陶瓷的物理化學(xué)性能，然后
2025-11-23 10:25:252123 
半導(dǎo)體封裝作為集成電路制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對材料性能要求極為苛刻，尤其是在高溫、高應(yīng)力及精密操作環(huán)境中。熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷手指作為一種專用工具，以其獨(dú)特的物理化學(xué)性能，在芯片貼裝、引線鍵合等工藝中發(fā)
2025-12-21 08:46:471581 
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