羅杰斯公司于近日推出了新款 curamik?系列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基板。由于氮化硅的機械強度比其它陶瓷高，所以新款curamik? 基板能夠幫助設(shè)計者在嚴苛的工作環(huán)境以及 HEV/EV 和其它可再生
2012-08-07 11:34:16
3920 引言 橢偏光譜(SE)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線光電子能譜(XPS)、潤濕性和光致發(fā)光(PL)測量研究了HF水 溶液中化學(xué)清洗的GaP(OOl)表面。SE數(shù)據(jù)清楚地表明，溶液在浸入樣品后(W1
2021-12-22 17:30:402639 
保持該技術(shù)的高對比度。討論了氟化氫在水溶液中的分解，并應(yīng)用氟化氫蝕刻二氧化硅的反應(yīng)動力學(xué)獲得了蝕刻機理的信息。因此，分析了蝕刻速率的濃度依賴性，發(fā)現(xiàn)蝕刻過程可以描述為HF或HF 2的侵蝕，其由H+離子的存在催化支持。 我們將系統(tǒng)地研
2021-12-23 16:36:592054 集成電路制造的一個基本步驟。Mat和Looney~研究了二氧化硅在高頻溶液中的蝕刻速率作為濃度、溫度、氧化物生長過程和溶液攪拌的函數(shù)。 ? 介紹 稀釋度高頻解中的平衡點 ?在稀高頻溶液中，高頻=H++F([3]HF+F-=；對于平衡常數(shù)(反應(yīng)r~和r2的1和K2，其值分別為6.8510 4 工具
2021-12-31 11:08:015943 
引言 人們對用于器件應(yīng)用的碳化硅(SiC)重新產(chǎn)生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，可以作為第三族氮化物外延生長的襯底。在許多應(yīng)用領(lǐng)域，例如與航空航天、汽車和石油工業(yè)相關(guān)的領(lǐng)域，需要
2022-01-10 15:28:062861 
本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結(jié)構(gòu)和減少的蝕刻時間將提高制造過程的生產(chǎn)率，該方法從圖案化氮化硅開始，以研究在BOE工藝之后形成的框架結(jié)構(gòu)
2022-05-05 14:00:502014 
原理是在高溫真空環(huán)境下，利用含有鈦、鋯、鉿等活性元素的金屬焊料，與氮化鋁（AlN）或氮化硅（Si?N?）陶瓷表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成可被液態(tài)釬料潤濕的穩(wěn)定反應(yīng)層，從而將純銅箔牢固焊接在陶瓷基板上。 ? 相比傳統(tǒng)的DBC（直接鍵合銅）技術(shù)，AMB工藝通過化學(xué)鍵合而非物理共晶實現(xiàn)連接，結(jié)
2025-12-01 06:12:004598 設(shè)備載荷，但同時對散熱要求就更高。這也意味著需要更加先進，更匹配，更環(huán)保的PCB板———
氮化硅陶瓷基板。為什么說
氮化硅陶瓷基板是最適合新能源汽車的PCB板呢？
氮化硅在高溫下具有高強度和斷裂韌性?？梢?/div>
2021-01-21 11:45:54
的振動和沖擊力，機械強度要求高。這就不得不提到我們今天的主角，氮化硅基板了。氮化硅的優(yōu)點1、在高溫下具有高強度和斷裂韌性。2、散熱系數(shù)高，熱膨脹系數(shù)與芯片匹配，同時具有極高的耐熱沖擊性。3、使用氮化硅陶瓷
2021-01-27 11:30:38
。常用的陶瓷基材料包括氧化鋁、氮化鋁、氧化鋯、ZTA、氮化硅、碳化硅等。FR線路板是指以環(huán)氧玻璃纖維布作為主要材料的線路。那么，陶瓷線路板與普通PCB板材區(qū)別在哪？
一、陶瓷基板與pcb板的區(qū)別
1、材料
2023-06-06 14:41:30
的能量，可以割穿各種金屬板材，如銅板、鋁板、鐵板、鋼板、鈦板、鍍鋅板、冷軋板、熱軋板等。還可以切割海綿板、泡沫板、有機玻璃、纖維板、玻璃、軟膠板、硬膠板、陶瓷、大理石、花崗巖等非金屬材料。水切割
2018-07-18 11:01:13
和Kelvin-Drain連接：有利于溫度控制和精確控制，同時減少了系統(tǒng)中的諧波電流電感。氮化硅陶瓷基板和銅基板：提供良好的熱導(dǎo)率性能和機械強度。功率密集的足跡：促使系統(tǒng)更加緊湊，適用于空間不足的應(yīng)用領(lǐng)域。偏移終端布局：優(yōu)化
2025-06-25 09:13:14
主要優(yōu)點。主要種類有：A: 96/99氧化鋁陶瓷基片：應(yīng)用范圍最廣，價格低廉。B:氮化鋁陶瓷基片：導(dǎo)熱系數(shù)高，無毒，可代替BeO陶瓷基片。C:氮化硅陶瓷基片：強度高，雖導(dǎo)熱系數(shù)比不上氮化鋁陶瓷，但可以
2016-09-21 13:51:43
等主要優(yōu)點。主要種類有：A: 96/99氧化鋁陶瓷基片：應(yīng)用范圍最廣，價格低廉。B:氮化鋁陶瓷基片：導(dǎo)熱系數(shù)高，無毒，可代替BeO陶瓷基片。C:氮化硅陶瓷基片：強度高，雖導(dǎo)熱系數(shù)比不上氮化鋁陶瓷
2017-05-18 16:20:14
重要材料的濕法腐蝕，即氧化鋅、氮化鎵和碳化硅。雖然氧化鋅很容易在許多酸溶液中蝕刻，包括硝酸/鹽酸和氫氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很難濕法蝕刻，通常使用干法蝕刻。已經(jīng)研究了用于氮化
2021-10-14 11:48:31
問題，因為涉及的損害很低。此外，它們比干法蝕刻方法更便宜且不復(fù)雜。另一個重要的優(yōu)點是濕法蝕刻可以選擇性地去除不同的材料。本文介紹了n型氮化鎵在幾種電解質(zhì)水溶液中(光)電化學(xué)行為的基礎(chǔ)研究結(jié)果，以及在
2021-10-13 14:43:35
典型的硅刻蝕是用含氮的物質(zhì)與氫氟酸的混合水溶液。這一配比規(guī)則在控制刻蝕中成為一個重要的因素。在一些比率上，刻蝕硅會有放熱反應(yīng)。加熱反應(yīng)所產(chǎn)生的熱可加速刻蝕反應(yīng)，接下來又產(chǎn)生更多的熱，這樣進行下去會
2018-12-21 13:49:20
公司介紹：上海施邁爾精密陶瓷有限公司自1992 年成立至今已近20 年。公司本著可持續(xù)發(fā)展的原則致力于研發(fā)、設(shè)計、制造、銷售以氧化鋯、氧化鋁、碳化硅、氮化硅、石英 為主要原料的產(chǎn)品。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用
2012-03-26 11:02:31
、汽車電子、深海鉆探等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。目前，常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(S13N4)、氧化鈹(BeO)碳化硅(SiC)等。陶瓷基板產(chǎn)品問世，開啟散熱
2021-04-19 11:28:29
次，與之相反，因此它具有更低的功耗（工作效率）。那么，為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用？原因是，在 MOS場效應(yīng)管的制造中，碳化硅更容易形成SiO2 (SiO2)，「氮化鎵晶片面臨三大難題」（森
2023-02-23 15:46:22
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
（Al2O3），氮化硅（Si3N4）和氮化鋁（AlN）?！ 〗裉斓臉藴适茄趸X，在熱/機械行為和成本之間提供了良好的權(quán)衡。AlN的導(dǎo)熱系數(shù)是Al2O3的9倍，但機械穩(wěn)定性較差。這一弱點必須通過增加厚度來抵消
2023-02-20 16:29:54
是基本半導(dǎo)體針對新能源商用車等大型車輛客戶對主牽引驅(qū)動器功率器件的高功率密度、長器件壽命等需求而專門開發(fā)的產(chǎn)品?！ ≡摦a(chǎn)品采用標準ED3封裝，采用雙面有壓型銀燒結(jié)連接工藝、高密度銅線鍵合技術(shù)、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
怎么用LABVIEW索引出對應(yīng)溫度（列）和體積濃度（行，百分比）下的乙二醇水溶液的密度（中間的數(shù)值）
2017-08-12 20:41:36
這些產(chǎn)品芯片材料都是硅，芯片和氮化鋁陶瓷的熱膨脹系數(shù)更加接近，兩者結(jié)合在熱變形中，不會異變或者脫落，可以讓芯片更好的使用。未來氮化鋁的應(yīng)用會越來越多，產(chǎn)品在越做越小的同時，功能越來越強大，對此基板
2021-04-25 14:11:12
刻蝕技術(shù)，保留下柵隔離層上面的氮化硅層 12、濕法氧化，生長未有氮化硅保護的 SiO2 層，形成 PN 之間的隔離區(qū) 13、熱磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除柵隔離層位置的 SiO2 ，并重
2011-12-01 15:43:10
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下，碳化硅的機械強度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
氣體在加熱基板上反應(yīng)或分解使其生成物淀積到基板上形成薄膜。CVD技術(shù)可以分為常壓、低壓、等離子體增強等不同技術(shù)。采用CVD所能制作的膜有多晶硅、單晶硅、非晶硅等半導(dǎo)體薄膜，氧化硅、氮化硅等絕緣體介質(zhì)
2018-11-05 15:42:42
低熱量化學(xué)氣相工藝制備氮化硅美國Aviza工藝公司開發(fā)出一種低溫化學(xué)氣相沉積工藝(LPCVD)，可在500℃左右進行氮化硅沉積。這個工藝使用一
2009-06-12 21:08:291232 對于我們常用的不可充電的原電池，國際標準IEC 60086-5“原電池—-第5部分：水溶液電解質(zhì)電池的安全”中就對其安全使用提出了諸多建議。
2012-05-30 15:39:241618 針對目前氮化硅陶瓷球材料性能評價體系不完善，以及各個廠家生產(chǎn)的陶瓷球質(zhì)量參差不齊的問題，對3個較著名廠家（記為A、B、C）的陶瓷球的密度、顯氣孔率、硬度、斷裂韌性及壓碎載荷等主要性能參數(shù)進行了研究
2018-03-20 15:53:13
1 本文主要介紹了配比鹽霧試驗所用鹽水溶液的三種方法。
2018-06-21 12:00:000 記者從中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉，該校俞書宏院士團隊與合作者合作，首次利用氧化石墨烯的液晶行為和凝膠化能力，獲得具有環(huán)形極向結(jié)構(gòu)的凝膠，根據(jù)凝膠的微觀結(jié)構(gòu)來揭示水熱合成中的流體行為。
2020-03-23 15:52:342344 內(nèi)部，正極和負極兩個電極浸在液體電解質(zhì)中。電池充放電時，液體電解質(zhì)就會傳導(dǎo)離子。水溶液電解質(zhì)因不可燃性而備受關(guān)注。而且，在制造過程中，與非水電解質(zhì)不同，水溶液電解質(zhì)不易受水分影響，更方便操作，成本更低。對于這種材料來說，最大的挑戰(zhàn)在于如何保持性能。
2020-10-29 22:27:001472 摘要：在半導(dǎo)體制造工藝的濕法刻蝕中，用熱磷酸刻蝕氮化硅和氮氧化硅是其中一個相對復(fù)雜又難以控制的工藝。在這個工藝中，熱磷酸刻蝕后的去離子水（ＤＩＷ）清洗更是一個非常重要的步驟。主要分析了由于去離子水
2020-12-29 14:36:073584 
瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）基礎(chǔ)科學(xué)學(xué)院的Tobias Kippenberg教授帶領(lǐng)的科學(xué)家團隊已經(jīng)開發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造光子集成電路的新技術(shù)，得到了創(chuàng)記錄的低光學(xué)損耗，且芯片尺寸小。
2021-05-06 14:27:393272 近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）教授Tobias Kippenberg團隊開發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路（光子芯片）技術(shù)，得到了創(chuàng)紀錄的低光學(xué)損耗，且芯片尺寸小。相關(guān)研究在《自然—通訊》上發(fā)表。
2021-05-24 10:43:386262 在中紅外波長下，演示了一種具有大纖芯-包層指數(shù)對比度的鍺基平臺——氮化硅鍺波導(dǎo)。仿真驗證了該結(jié)構(gòu)的可行性。這種結(jié)構(gòu)是通過首先將氮化硅沉積的硅上鍺施主晶片鍵合到硅襯底晶片上，然后通過層轉(zhuǎn)移方法獲得氮化硅上鍺結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)的，該結(jié)構(gòu)可擴展到所有晶片尺寸。
2021-12-16 17:37:572046 
引言 我們研究了四種硅在高頻水溶液中的陽極電流-電勢特性。根據(jù)不同電位陽極氧化的樣品的表面條件，電流-電位曲線上通常有三個區(qū)域：電流隨電位指數(shù)變化區(qū)域的多孔硅形成，恒流區(qū)域的硅的電泳拋光，以及
2021-12-28 16:40:161563 
電流的極端規(guī)模集成。在這個過程中，固相氮化硅(Si3N4)層在部分二氧化硅(SiO2)沉積中起到掩模的作用。通過這種沉積，形成了由數(shù)百個交替堆疊的Si3N4和二氧化硅原子層組成的垂直堆疊結(jié)構(gòu).Si3N4掩模必須在程序結(jié)束時去除，通常通過熱化學(xué)蝕
2021-12-28 16:38:088493 
沉積裝置中分別進行10min和6h。機械微缺陷樣品的成核密度(Nd1010cm-2在10min后)、薄膜均勻性和粒徑(6h后低于2um)的結(jié)果優(yōu)越，表明化學(xué)蝕刻（冷熱強酸、熔融堿或四氟化碳等離子體）對氮化硅上良好的CVD金剛石質(zhì)量并不重要。 介紹 氮化硅基陶瓷被認為是金
2022-01-21 15:02:041353 
本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及(c
2022-04-24 14:58:511655 
評估各種清洗技術(shù)的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖規(guī)定了從硅片上去除顆粒百分比的標準挑戰(zhàn)，該挑戰(zhàn)基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:382023 
在半導(dǎo)體濕法蝕刻中， 熱磷酸廣泛地用于對氮化硅的去除工藝， 實踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā)， 我們?nèi)A林科納分析了影響蝕刻率的各個因素， 并通過
2022-08-30 16:41:597112 
的蝕刻去除了金屬污染物。用氰化氫HCN水溶液清洗被金屬污染的碳化硅，然后進行RCA清洗，反之亦然，可以完全去除它們。結(jié)果表明，強吸附金屬和粗糙碳化硅表面底部區(qū)域的金屬不能分別用RCA法和HCN法去除。由于
2022-09-08 17:25:463011 
材料。而氮化硅陶瓷板在各方面比較均衡，也是綜合性能最好的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。因此，Si3N4氮化硅在電力電子器件陶瓷基板制造領(lǐng)域具有很強的競爭力。 過去，電路基板是由分立元件或集成電路與分立元件組合而成的平面材料，以滿足整
2022-10-07 10:22:002709 
。但是，作為絕緣體安裝在陶瓷基板上的半導(dǎo)體元件是散熱還是冷卻，提高作為熱傳導(dǎo)介質(zhì)的氮化硅陶瓷基板的熱傳導(dǎo)性是主要問題。
2022-10-13 16:29:581356 如今高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板因其優(yōu)異的機械性能和高導(dǎo)熱性而成為下一代大功率電子器件不可缺少的元件，適用于復(fù)雜和極端環(huán)境中的應(yīng)用。在這里，我們概述了制備高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷的最新進展。
2022-11-10 10:01:333477 2022年9月，威海圓環(huán)先進陶瓷股份有限公司生產(chǎn)的行業(yè)標準規(guī)格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板已經(jīng)達到量產(chǎn)規(guī)模，高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板各項理化指標到了國際上行業(yè)領(lǐng)軍的質(zhì)量水平，突破了西方先進國家在高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的技術(shù)保護和應(yīng)用產(chǎn)品對我國“卡脖子”難題。
2022-11-11 16:36:576783 
針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進展。對影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素、制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機械性能和介電性能等方面的最新研究進展作了詳細論述
2022-12-06 09:42:401770 綜合上述研究可發(fā)現(xiàn)，雖然燒結(jié)方式不一樣，但都可以制備出性能優(yōu)異的氮化硅陶瓷。在實現(xiàn)氮化硅陶瓷大規(guī)模生產(chǎn)時，需要考慮成本、操作難易程度和生產(chǎn)周期等因素，因此找到一種快速、簡便、低成本的燒結(jié)工藝是關(guān)鍵。
2022-12-06 10:30:395496 優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于電子器件封裝。 由于具有優(yōu)異的硬度、機械強度和散熱性，氮化硅陶瓷和氮化鋁陶瓷基板都可以制成用于電子封裝的陶瓷基板，同時它們也具有不同的性能和優(yōu)勢。以下就是區(qū)別。 1、散熱差異 氮化硅陶瓷基板的導(dǎo)熱
2022-12-09 17:18:242741 
來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志 12/1月刊 現(xiàn)今，氮化硅（SiN）為光子集成提供了更多的途徑，包括新的200mm、高產(chǎn)量、汽車級CMOS生產(chǎn)線。在過去的幾年里，SiN緊隨確立已久的硅光子學(xué)之后，該材料
2023-02-10 17:10:041380 現(xiàn)今，氮化硅（SiN）為光子集成提供了更多的途徑，包括新的200mm、高產(chǎn)量、汽車級CMOS生產(chǎn)線。在過去的幾年里，SiN緊隨確立已久的硅光子學(xué)之后，該材料平臺已經(jīng)成熟，并在光子集成電路（PIC）市場上，為那些需要非常低傳播損耗、可見波長或高激光功率的應(yīng)用提供了新的機會。
2023-02-15 16:37:091407 
國產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項性能優(yōu)勢
2023-03-15 17:22:552353 
氮化硅研磨環(huán)由于研磨環(huán)存在內(nèi)外氣壓差，可以在密閉的真空或者很濃密的場景中快速的上下運動，氮化硅磨介圈在大的球磨機里不僅起到研磨粉碎的作用，更重要的是眾多的氮化硅磨介圈環(huán)會發(fā)生共振現(xiàn)象，氮化硅磨介圈
2023-03-31 11:40:351977 
氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點。這使得氮化硅線路板有著廣泛的應(yīng)用前景和市場需求，正因為如此斯利通現(xiàn)正全力研發(fā)氮化硅作為基材的線路板。
2023-04-11 12:02:402778 
近日，上海玻璃鋼研究院有限公司的高級工程師趙中堅沿著該思路，以純纖維狀α-Si3N4粉為主要原料，通過添加一定比例氧化物燒結(jié)助劑，經(jīng)冷等靜壓成型和氣氛保護無壓燒結(jié)工藝燒結(jié)制備出了能充分滿足高性能導(dǎo)彈天線罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:463457 新能源電動汽車爆發(fā)式增長的勢頭不可阻擋，氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，對提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、充電速度、輕量化、電池成本等各項性能尤為重要。
2023-05-02 09:28:452666 
氮化鋁為大功率半導(dǎo)體優(yōu)選基板材料。氧化鈹（BeO）、氧化鋁（Al2O3）、 氮化鋁（AlN）和氮化硅（Si3N4）4 種材料是已經(jīng)投入生產(chǎn)應(yīng)用的主要陶瓷基板 材料，其中氧化鋁技術(shù)成熟度最高、綜合性能好、性價比高，是功率器件最為常用 的陶瓷基板，市占率達 80%以上。
2023-05-31 15:58:352562 
的要求，傳統(tǒng)的陶瓷基板如AlN、Al2O3、BeO等的缺點也日益突出，如較低的理論熱導(dǎo)率和較差的力學(xué)性能等，嚴重阻礙了其發(fā)展。相比于傳統(tǒng)陶瓷基板材料，氮化硅陶瓷由于
2022-12-05 10:57:123349 
目前常用的高導(dǎo)熱陶瓷粉體原料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化鈹（BeO）等。隨著國家大力發(fā)展綠色環(huán)保方向，由于氧化鈹有毒性逐漸開始退出歷史的舞臺。
2023-06-27 15:03:561586 
氮化硅陶瓷軸承球與鋼質(zhì)球相比具有突出的優(yōu)點:密度低、耐高溫、自潤滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質(zhì)球相同。陶瓷球作為高速旋轉(zhuǎn)體產(chǎn)生離心應(yīng)力，氮化硅的低密度降低了高速旋轉(zhuǎn)體外圈上的離心應(yīng)力。
2023-07-05 10:37:064579 
氮化鋁具有較高的熱導(dǎo)性，比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環(huán)境中可以更有效地傳導(dǎo)熱量。
2023-07-06 15:41:232822 氮化硅是一種半導(dǎo)體材料。氮化硅具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、機械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過摻雜來調(diào)節(jié)其導(dǎo)電性能，因此被視為一種重要的半導(dǎo)體材料。
2023-07-06 15:44:438296 硅在暴露在空氣中時會形成一層氧化硅（SiO2）層。在許多制程步驟中，如在熱處理過程之前，需要移除這層氧化硅。氫氟酸是唯一能夠有效清洗硅片表面氧化硅的化學(xué)品。氫氟酸能夠與SiO2發(fā)生反應(yīng)，生成揮發(fā)性的氟硅酸，從而清除硅片表面的氧化物層。
2023-08-02 10:40:252711 
陶瓷散熱基板中的“陶瓷”，并非我們通常認知中的陶瓷，屬于電子陶瓷材料，主要用于陶瓷封裝殼體和陶瓷基板，主要成分包括氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氧化鈹(BeO)等。與傳統(tǒng)的陶瓷有個共性，主要化學(xué)成分都是硅、鋁、氧三種元素。
2023-08-23 15:07:301792 
PECVD作為太陽能電池生產(chǎn)中的一種工藝，對其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面，從而有效提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測沉積后太陽能電池片
2023-09-27 08:35:497024 
氮化硅（Si3N4） 基板在各項性能方面表現(xiàn)最佳，可以提供最佳的可靠性和高功率密度，例如在高級電動汽車驅(qū)動逆變器中的應(yīng)用。
2023-10-23 12:27:132837 
據(jù)麥姆斯咨詢報道，經(jīng)過兩年、十余次的設(shè)計和工藝迭代，國科光芯（海寧）科技股份有限公司（簡稱：國科光芯）在國內(nèi)首個8英寸低損耗氮化硅硅光量產(chǎn)平臺，實現(xiàn)了傳輸損耗-0.1 dB/cm（1550 nm波長
2023-11-17 09:04:543703 京瓷株式會社（以下簡稱京瓷）成功研發(fā)用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡稱SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:061243 
在芯片制造中，有一種材料扮演著至關(guān)重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。
2023-12-20 18:16:094879 
介紹幾種常見的高導(dǎo)熱陶瓷材料，包括聚晶金剛石陶瓷、碳化硅陶瓷、氮化硅陶瓷以及氧化鈹陶瓷，并探討它們的特性、制備工藝以及應(yīng)用領(lǐng)域。
2024-05-11 10:08:064141 
氨水溶液換熱器作為一種重要的化工設(shè)備，廣泛應(yīng)用于化工、制冷等領(lǐng)域。在殼程為循環(huán)水、管程介質(zhì)為氨水溶液的工況下，列管換熱器管板腐蝕問題成為影響設(shè)備安全運行的關(guān)鍵因素。因此，研究有效的防腐技術(shù)對于延長設(shè)備壽命、保障生產(chǎn)安全具有重要意義。
2024-06-21 16:08:591323 
臨港組團投資建設(shè)半導(dǎo)體封裝材料和集成電路先進陶瓷生產(chǎn)基地，擬定總投資20億元，全面達產(chǎn)后年產(chǎn)值突破25億元。項目分三期建設(shè)，產(chǎn)品以氮化鋁高純粉體、氮化鋁/氧化鋁陶瓷基板、陶瓷覆銅板、高純氮化硅粉、氮化硅陶瓷基板、陶瓷加
2024-11-13 11:22:301088 、介電常數(shù)高等優(yōu)點，在集成電路制造領(lǐng)域被廣泛用作表面鈍化層、絕緣層、擴散阻擋層、刻蝕掩蔽膜等。 LPCVD?和?PECVD?制備氮化硅薄膜特性對比（下表） 低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）氮化硅工藝需要高溫，通常在?700~800°C，而等離子體增強
2024-11-24 09:33:392761 
小、化學(xué)穩(wěn)定性好以及介電常數(shù)高等一系列優(yōu)點。本文將主要介紹了氮化硅薄膜的制備方法、特性及其在半導(dǎo)體器件制造中的具體應(yīng)用，重點對比低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）和等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）兩種制備工藝，并詳細解析低應(yīng)
2024-11-29 10:44:513427 
國產(chǎn)化率約為40%。高端氮化硅陶瓷產(chǎn)品在一些關(guān)鍵性能指標上與國外仍有差距，部分依賴進口，但中低端產(chǎn)品已基本實現(xiàn)國產(chǎn)化，國內(nèi)企業(yè)在技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)工藝上不斷進步，逐步提
2025-01-07 08:20:463344 可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應(yīng)溫度較高，氫原子往往從氮化硅薄膜中去除，因此反應(yīng)物中氫的含量較低。氮化硅中主要由硅和氮元素組成。而PECVD反應(yīng)
2025-02-07 09:44:141234 
本文介紹了單晶圓系統(tǒng)：多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨特的工藝優(yōu)勢，它具備進行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一，便是能夠?qū)崿F(xiàn)臨場的多晶硅和鎢硅化物沉積
2025-02-11 09:19:051132 
在芯片制造這一復(fù)雜且精妙的領(lǐng)域中，氮化硅（SiNx）占據(jù)著極為重要的地位，絕大多數(shù)芯片的生產(chǎn)都離不開它的參與。從其構(gòu)成來看，氮化硅屬于無機化合物，由硅元素與氮元素共同組成。這種看似普通的元素組合，卻蘊含著諸多獨特的性質(zhì)，在芯片制造流程里發(fā)揮著不可替代的作用 。
2025-04-22 15:23:332492 
很多行業(yè)的人都在好奇一個問題，就是spm清洗會把氮化硅去除嗎？為此，我們根據(jù)實踐與理論，給大家找到一個結(jié)果，感興趣的話可以來看看吧。 SPM清洗通常不會去除氮化硅（Si?N?），但需注意特定條件
2025-04-27 11:31:40866 本文介紹了通過LPCVD制備氮化硅低應(yīng)力膜 氮化硅膜在MEMS中應(yīng)用十分廣泛，可作為支撐層、絕緣層、鈍化層和硬掩膜使用。SiN極耐化學(xué)腐蝕，疏水性使它可以作為MEMS壓力傳感器、MEMS流量
2025-05-09 10:07:121113 
氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。
2025-06-24 09:15:231750 
在現(xiàn)代電子封裝領(lǐng)域，氮化硅（Si?N?） AMB陶瓷覆銅 基板憑借其卓越的熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)以及優(yōu)異的電氣絕緣性能，逐漸成為高端電子設(shè)備的關(guān)鍵材料。然而，銅/陶瓷界面的空洞率問題卻成為了制約其產(chǎn)品
2025-07-05 18:04:002005 ）和氮化硅（Si3N4）。這些材料各具特色，適用于不同的應(yīng)用場景，下面由深圳金瑞欣小編講解一下它們性能的詳細對比分析。 不同陶瓷材料性能對比如下： 氧化鋁（Al2O3） ? 氧化鋁陶瓷憑借其產(chǎn)量高、成本低以及性能良好等顯著優(yōu)勢，長期以來一直是
2025-07-10 17:53:031435 
電子封裝用陶瓷基片
2025-07-11 07:56:25896 
氮化硅陶瓷憑借其獨特的物理化學(xué)性能組合，已成為現(xiàn)代射頻功率器件載體的關(guān)鍵材料。其優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性、機械強度及熱穩(wěn)定性，為高功率、高頻率電子設(shè)備提供了可靠的解決方案。 氮化硅陶瓷載體 一、氮化硅
2025-07-12 10:17:2014193 氮化硅陶瓷導(dǎo)熱基片憑借其優(yōu)異的綜合性能，在電子行業(yè)，尤其是在高功率密度、高可靠性要求領(lǐng)域，正扮演著越來越重要的角色。
2025-07-25 17:58:54826 氮化硅(Si?N?)陶瓷以其卓越的綜合性能，成為現(xiàn)代大功率電子器件（如IGBT/SiC模塊）散熱基板的理想候選材料。
2025-07-25 17:59:551451 在新能源汽車快速發(fā)展的今天，電力電子系統(tǒng)的性能提升已成為行業(yè)競爭的關(guān)鍵。作為核心散熱材料的 陶瓷基板 ，其技術(shù)演進直接影響著整車的能效和可靠性。在眾多陶瓷材料中，氮化硅(Si?N?)憑借其獨特的性能
2025-08-02 18:31:094290 氮化硅陶瓷逆變器散熱基板在還原性氣體環(huán)境（H2, CO）中的應(yīng)用分析 在新能源汽車、光伏發(fā)電等領(lǐng)域的功率模塊應(yīng)用中，逆變器散熱基板不僅面臨高熱流密度的挑戰(zhàn)，有時還需耐受如氫氣（H2）、一氧化碳（CO
2025-08-03 11:37:341290 問題，為現(xiàn)代高性能電子設(shè)備的穩(wěn)定運行提供了堅實的材料基礎(chǔ)。 ? 氮化硅陶瓷封裝基片 一、 氮化硅陶瓷基片的物理化學(xué)性能核心分析 氮化硅陶瓷基片的優(yōu)異電學(xué)性能源于其固有的材料結(jié)構(gòu)和成分控制： 極高的體積電阻率： 在室溫下通
2025-08-05 07:24:00857 熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷晶圓搬運臂是半導(dǎo)體潔凈室自動化中的關(guān)鍵部件，其高抗彎強度范圍在600至1000兆帕，確保了在高速、高精度晶圓處理過程中的可靠性和耐久性。本文首先分析氮化硅陶瓷的物理化學(xué)性能，然后
2025-11-23 10:25:252122 
半導(dǎo)體封裝作為集成電路制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對材料性能要求極為苛刻，尤其是在高溫、高應(yīng)力及精密操作環(huán)境中。熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷手指作為一種專用工具，以其獨特的物理化學(xué)性能，在芯片貼裝、引線鍵合等工藝中發(fā)
2025-12-21 08:46:471581 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論