引言 用多能氬離子輻照x射線切割鈮酸鋰單晶，產(chǎn)生厚度為400納米的均勻損傷表面層，研究其在HF水溶液中的腐蝕行為。使用不同的酸溫度和濃度，表明可以通過(guò)將溫度從24℃提高到55℃來(lái)提高蝕刻速率，同時(shí)
2021-12-23 16:36:59
2054 摘要 研究了高頻和高頻/HCI溶液中的不同平衡點(diǎn)，并研究了SiQ的蝕刻反應(yīng)作為高頻溶液中不同物種的函數(shù)。基于HF二聚體的存在，建立了一種新的SiO~蝕刻機(jī)制模型， SiQ在高頻溶液中的溶解是在
2021-12-31 11:08:015944 
引言 原子平面的制備是半導(dǎo)體基板上原子尺度操作的必要前提。由于自組裝現(xiàn)象或使用原子探針技術(shù)操縱單個(gè)原子，只有原子平面的表面才能產(chǎn)生可重復(fù)制造納米級(jí)原子結(jié)構(gòu)的機(jī)會(huì)。原子平坦的表面也應(yīng)該是原子清潔
2022-01-10 16:46:241914 
引言 本文將討論在不同的濕化學(xué)溶液中浸泡后對(duì)InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分，并將有助于理解不同的外原位濕化學(xué)處理的影響。這項(xiàng)工作的重點(diǎn)將是酸性和堿性溶液。許多報(bào)告表明，硫
2022-01-12 16:27:332762 
硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應(yīng)行為因?yàn)榱蛩峒尤攵艿斤@著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蝕刻速率為4000–5000 NMS-1
2022-01-13 14:19:144610 
軟件做出調(diào)整。 蝕刻率(etch rate)對(duì)ICT測(cè)試很重要，因?yàn)樗鼪Q定銀表面處理會(huì)光亮還是灰暗。在銀沉積步驟中，銀沉積到銅表面的等高線上，因此如果表面的粗糙度增加，因而面積增加，表現(xiàn)為灰暗表面，而
2008-06-18 10:01:53
）水溶液中以較快的腐蝕速率被去除干凈。而多晶硅在HF水溶液中的腐蝕速度非常慢，在經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間腐蝕PSG或PBSG后，多晶硅結(jié)構(gòu)層不會(huì)發(fā)生明顯腐蝕。表面硅MEMS加工技術(shù)常見(jiàn)的工藝流程首先在襯底上淀積犧牲層
2018-11-05 15:42:42
我想問(wèn)一下差分信號(hào)length tuning中，gap，amplitude increasegap increase如何設(shè)置，和差分線的width和gap是什么關(guān)系
2019-09-06 05:35:21
本文介紹了CR95HF主要特性，方框圖和MCU的典型應(yīng)用以及DEMO-CR95HF-A 演示板等效電路，天線電路框圖，和DEMO-CR95HF-A電路與所用材料。
2021-05-26 06:56:44
1．FPC電鍍 (1)FPC電鍍的前處理 柔性印制板FPC經(jīng)過(guò)涂覆蓋層工藝后露出的銅導(dǎo)體表面可能會(huì)有膠黏劑或油墨污染，也還會(huì)有因高溫工藝產(chǎn)生的氧化、變色，要想獲得附著力良好的緊密鍍層必須把導(dǎo)體表面的
2018-11-22 16:02:21
時(shí)會(huì)使覆蓋層剝離。在最終焊接時(shí)出現(xiàn)焊錫鉆人到覆蓋層下面的現(xiàn)象?？梢哉f(shuō)前處理清洗工藝將對(duì)柔性印制板F{C的基本特性產(chǎn)生重大影響，必須對(duì)處理條件給予充分重視。麥|斯|艾|姆|P|CB樣板貼片,麥1斯1艾1姆
2013-11-04 11:43:31
來(lái)看，PCB的表面處理工藝方面的變化并不是很大，好像還是比較遙遠(yuǎn)的事情，但是應(yīng)該注意到：長(zhǎng)期的緩慢變化將會(huì)導(dǎo)致巨大的變化。在環(huán)保呼聲愈來(lái)愈高的情況下，PCB的表面處理工藝未來(lái)肯定會(huì)發(fā)生巨變。 二. 表面處理
2018-09-17 17:17:11
PCB表面OSP的處理方法PCB化學(xué)鎳金的基礎(chǔ)步驟
2021-04-21 06:12:39
零件表面缺陷對(duì)鍍層質(zhì)量影響會(huì)有： 1.零件在工序轉(zhuǎn)移或運(yùn)輸過(guò)程中，有可能因沒(méi)有認(rèn)真保護(hù)而受到機(jī)械損傷，使零件表面產(chǎn)生拉溝、劃傷、撞擊凹陷等缺陷。這些缺陷如果不消除，零件表面處理以后仍然會(huì)
2019-04-01 00:33:06
包含多個(gè)步驟的過(guò)程在導(dǎo)體表面上形成一個(gè)薄錫鍍層，包括清理、微蝕刻、酸性溶液預(yù)浸、沉浸非電解浸錫溶液和最后清理等。化錫處理可以為銅和導(dǎo)體提供良好保護(hù)，有助于HSD電路的低損耗性能。遺憾的是，由于隨著
2023-04-19 11:53:15
PCB各種表面處理的優(yōu)劣噴錫 HASL是工業(yè)中用到的主要的有鉛表面處理工藝。工藝由將電路板沉浸到鉛錫合金中形成，過(guò)多的焊料被“風(fēng)刀”去除，所謂的風(fēng)刀就是在板子表面吹的熱風(fēng)。對(duì)于PCA工藝，HASL
2017-10-31 10:49:40
油、微蝕、活化、沉鎳、沉金等小步驟。其布局與噴錫車間類似，前后處理是水平線，沉鎳金是小型的龍門線。3.抗氧化膜（OSP）抗氧化膜是三種表面處理中成本最低的一種，通常是在分成小板之后通過(guò)水平線的方式進(jìn)行
2023-03-24 16:58:06
PCB墊表面的銅在空氣中容易氧化污染，所以必須對(duì)PCB進(jìn)行表面處理。那么pcb線路板表面常見(jiàn)的處理方法有哪幾種呢？
2023-04-14 14:34:15
各有優(yōu)缺點(diǎn)。但是，沒(méi)有關(guān)于它們的系統(tǒng)比較的報(bào)告。因此，在本文中，我們首次對(duì) CMP 和 ICP 干蝕刻 GaN 襯底表面處理方法進(jìn)行了直接比較。 2. 實(shí)驗(yàn)程序 2.1 GaN 襯底的金剛石拋光作為最終
2021-07-07 10:26:01
關(guān)系 ，蝕刻表面保持光滑。相比之下，在 H2O2 含量較高的溶液中蝕刻會(huì)導(dǎo)致表面明顯粗糙。GaAs 的蝕刻速率與 InGaP 的蝕刻速率大致相同。因此，該溶液適用于非選擇性 MESA 蝕刻。這 HC1
2021-07-09 10:23:37
下的光電流與三等效反應(yīng)下的半導(dǎo)體氧化有關(guān)，導(dǎo)致表面的溶解和粗糙化。在1.2M的鹽酸溶液中，由于氯氣離子的競(jìng)爭(zhēng)氧化，n-GaN被穩(wěn)定為陽(yáng)極分解。在草酸和檸檬酸的存在下，觀察到陽(yáng)極光電流的增殖。在黑暗
2021-10-13 14:43:35
空氣中很容易氧化，而且容易受到污染。這也是PCB必須要進(jìn)行表面處理的原因。1、噴錫（HASL） 在穿孔器件占主導(dǎo)地位的場(chǎng)合，波峰焊是最好的焊接方法。采用熱風(fēng)整平（HASL， Hot-air
2017-09-04 11:30:02
什么是表面處理？表面處理常用的方式是什么？表面處理技術(shù)在消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)中有哪些應(yīng)用？
2021-08-12 06:03:15
減輕鍍錫表面的錫須生長(zhǎng) 使用純錫鉛表面處理時(shí)，可能會(huì)生長(zhǎng)錫須，這是值得關(guān)注的問(wèn)題之一。近年來(lái)，人們已經(jīng)做了大量的測(cè)試和分析工作，對(duì)于錫須在各種不同環(huán)境條件下的生長(zhǎng)成因，有更多了解。本文將討論，在
2015-03-13 13:36:02
我在使用Multi Role Demo里面的multi.c時(shí)需要用到GAP_RegisterForHCIMsgs(selfEntity); 但我在編譯時(shí)搜不到這個(gè)函數(shù)，我原本以為它會(huì)
2019-09-25 09:59:56
怎么用LABVIEW索引出對(duì)應(yīng)溫度（列）和體積濃度（行，百分比）下的乙二醇水溶液的密度（中間的數(shù)值）
2017-08-12 20:41:36
換向器表面要求換向器表面加工特性換向器精車刀具選擇
2021-01-22 06:39:45
`汞和鋁銹原理：鋁是高度活潑的金屬，但是表面的氧化鋁層阻止了它和空氣中氧氣完全反應(yīng)。而汞會(huì)破壞這一保護(hù)層，使得鋁迅速“生銹”。這是一段延時(shí)攝影。該過(guò)程真實(shí)長(zhǎng)度約半小時(shí)。如果畫面下移，你會(huì)看
2016-08-31 15:36:19
導(dǎo)致粘接強(qiáng)度下降，雖然不會(huì)明顯可見(jiàn)，但在FPC電鍍工序，鍍液就有可能會(huì)從覆蓋層的邊緣滲入，嚴(yán)重時(shí)會(huì)使覆蓋層剝離。在最終焊接時(shí)出現(xiàn)焊錫鉆人到覆蓋層下面的現(xiàn)象?？梢哉f(shuō)前處理清洗工藝將對(duì)柔性印制板的基本特性
2017-11-24 10:54:35
的混合液中，使強(qiáng)制生成一層薄氧化膜，用以進(jìn)一步保護(hù)底材。另外也可在半導(dǎo)體表面生成一種絕緣層，而令晶體管表面在電性與化學(xué)性上得到絕緣，改善其性能。此種表面皮膜的生成，亦稱為鈍化處理。 23、Pattern
2018-08-29 16:29:01
: 2003更好的理解?！ ?、漏電起痕試驗(yàn)中的定義 絕緣材料在戶外及嚴(yán)酷環(huán)境中往往受到鹽露、水分、灰塵等污穢物的污染，在表面形成電解質(zhì)，在電場(chǎng)作用下，材料表面出現(xiàn)一種特殊放電破壞現(xiàn)象。在材料表面導(dǎo)電通路
2017-11-03 17:09:16
。 長(zhǎng)期以來(lái)，人們研究出了針對(duì)聚四氟乙烯的多種濕法表面處理方法，其中公認(rèn)最有效的是鈉萘溶液處理法。在以往的生產(chǎn)中也多是采用自配鈉萘溶液處理的方法來(lái)進(jìn)行聚四氟乙烯類零件的孔金屬化、粘接前表面活化處理。但鈉
2019-05-28 06:50:14
重理的百分比表示?！ ?2)舉例：試求3克碳酸鈉溶解在100克水中所得溶質(zhì)重量百分比濃度?4．克分子濃度計(jì)算 定義：一升中含1克分子溶質(zhì)的克分子數(shù)表示。符號(hào)：M、n表示溶質(zhì)的克分子數(shù)、V表示溶液
2018-08-29 10:20:51
油、微蝕、活化、沉鎳、沉金等小步驟。其布局與噴錫車間類似，前后處理是水平線，沉鎳金是小型的龍門線。3.抗氧化膜（OSP）抗氧化膜是三種表面處理中成本最低的一種，通常是在分成小板之后通過(guò)水平線的方式進(jìn)行
2023-03-24 16:59:21
藍(lán)牙基礎(chǔ)按照下面的大綱安排發(fā)布：前面的內(nèi)容：第一講：藍(lán)牙樣例的解析第二講：藍(lán)牙協(xié)議棧初始化和調(diào)度機(jī)制 第三講：藍(lán)牙廣播初始化詳解這一講探討下藍(lán)牙4.0的GAP屬性，通用訪問(wèn)配置文件(Generic
2020-07-08 09:25:41
如題，PCB表面處理聽說(shuō)有有機(jī)涂覆（OSP），化學(xué)鍍鎳/浸金，浸銀，浸錫等 這些處理方式在PCB文件中有體現(xiàn)么？如 PCB那一層代表著表面處理方式呢？還是在制板時(shí)給廠家說(shuō)明就好了呢？另外，一般PCB
2019-04-28 08:11:16
請(qǐng)問(wèn)主機(jī)如何獲取廣播中 GAP_ADTYPE_MANUFACTURER_SPECIFIC后面的數(shù)據(jù)？
2022-08-10 06:06:38
生銹，是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">在空氣中鎳表面會(huì)形成NiO薄膜，可防止進(jìn)一步氧化。此外鎳還能抵抗苛性堿的腐蝕，是一種很好的耐腐蝕材料。室溫下干燥氣體如CL2、NH3、SO2等不與鎳發(fā)生反應(yīng)。但是在潮濕條件下會(huì)加速鎳的腐蝕
2017-09-15 10:09:37
銅箔的表面如何處理?銅箔表面處理方法介紹_華強(qiáng)pcb 我們都知道，銅箔的表面處理一般情況下我們都分為以下兩種: 傳統(tǒng)處理法 ED銅箔從Drum撕下后，會(huì)繼續(xù)下面的處理步驟
2018-02-08 10:07:46
，去除表面的氧化鋁膜，時(shí)間10分鐘，后在焊接時(shí)取出用棉布擦拭干凈；2.把鑄件上的氣孔、夾渣等用磨頭打磨，形成敞開式的創(chuàng)口，清除干凈；3．調(diào)整氬氣的流量，控制在2個(gè)大氣壓，啟動(dòng)開關(guān)；4．調(diào)整焊機(jī)的電流為160A；焊接與測(cè)試
2010-03-01 21:45:58
粘接強(qiáng)度下降，雖然不會(huì)明顯可見(jiàn)，但在FPC電鍍工序，鍍液就有可能會(huì)從覆蓋層的邊緣滲入，嚴(yán)重時(shí)會(huì)使覆蓋層剝離。在最終焊接時(shí)出現(xiàn)焊錫鉆人到覆蓋層下面的現(xiàn)象。可以說(shuō)前處理清洗工藝將對(duì)柔性印制板的基本特性產(chǎn)生
2017-11-24 10:38:25
根據(jù)選煤廠煤泥水處理過(guò)程中聚丙烯酞胺所起的作用及效果，著重介紹了在實(shí)際生產(chǎn)中聚丙烯酞胺水溶液的制備操作及絮凝效果的影響因素。
2010-02-04 11:26:23
9 印制電路板金屬表面的預(yù)備處理技術(shù) 為滿足當(dāng)今苛刻的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，印制電路板表面狀態(tài)是個(gè)極為關(guān)鍵的因素。因此，各國(guó)制造商花費(fèi)大
2010-03-10 09:01:00709 圖像處理技術(shù)在零件表面破損檢測(cè)中的設(shè)計(jì)及應(yīng)用
表面破損檢測(cè)問(wèn)題的提出 準(zhǔn)確、快速地探測(cè)零件表面缺陷，直接關(guān)系
2010-03-11 16:51:471377 
1. 克升濃度計(jì)算：
定義：一升溶液里所含溶質(zhì)的克數(shù)。
舉例：100克硫酸銅溶于水溶液10升，問(wèn)一升濃度是多少？
10
2010-10-26 17:33:242514 對(duì)于我們常用的不可充電的原電池，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC 60086-5“原電池—-第5部分：水溶液電解質(zhì)電池的安全”中就對(duì)其安全使用提出了諸多建議。
2012-05-30 15:39:241619 文中根據(jù)麥克斯韋電磁理論，利用電矢量和磁矢量來(lái)分析光波在兩介質(zhì)表面的反射特性，把平面光波的入射波、反射波和折射波的電矢量分成兩個(gè)分量：一個(gè)平行于入射角，另一個(gè)垂直
2012-07-02 14:03:270 初探藍(lán)牙協(xié)議中的通用訪問(wèn)規(guī)范GAP 青云開發(fā)板資料，介紹GAP的基礎(chǔ)知識(shí)。
2016-07-26 15:18:2647 在單晶硅太陽(yáng)電池的制備過(guò)程中 ，通常利用晶體硅［ 100 ］和［ 111 ］不同晶向在堿溶液中各向異性腐蝕特性 ，在表面形成類似于金字塔的絨面結(jié)構(gòu) ，使得入射光在硅片表面多次反射 ，提高入射光
2017-09-30 10:49:528 本文主要介紹了配比鹽霧試驗(yàn)所用鹽水溶液的三種方法。
2018-06-21 12:00:000 在最早提出GAP層的網(wǎng)中網(wǎng)（Network in Network）架構(gòu)中，最后的最大池化層的輸出傳入GAP層，GAP層生成一個(gè)向量，向量的每一項(xiàng)表示分類任務(wù)中的一個(gè)類別。接著應(yīng)用softmax激活
2018-08-20 08:50:487866 利用酸溶液去除鋼鐵表面上的氧化皮和銹蝕物的方法稱為酸洗。是將制件浸入硫酸等的水溶液，以除去金屬表面的氧化物等薄膜。是清潔金屬表面的一種方法。通常與預(yù)膜一起進(jìn)行。
2019-06-25 15:31:3227434 簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)的同時(shí)，HF900在設(shè)計(jì)中，還充分考慮了芯片的熱特性。由于獨(dú)特的單片集成工藝和封裝結(jié)構(gòu)，芯片的溫升比一般的co-pack方案低許多（參見(jiàn)表一）。同樣重要的是，HF900能夠更準(zhǔn)確地測(cè)量到同一個(gè)DIE上的FET的溫度。當(dāng)FET溫度超過(guò)150°C時(shí)，芯片關(guān)閉FET，全面保證電源的可靠工作。
2019-10-12 14:05:012419 
/ IEC 15693 （單或雙用戶）以及ISO / IEC 18092等協(xié)議，能管理閱讀器模式的幀編碼和轉(zhuǎn)換，主要用在NFC中，接近標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用。此處介紹了CR95HF主要特性，其中圖和MCU的典型應(yīng)用以及DEMO -CR95HF-A演示板等效電路，天線電路示意圖和DEMO-CR95HF-A電路與所用材料。
2020-01-06 16:55:519301 
內(nèi)部，正極和負(fù)極兩個(gè)電極浸在液體電解質(zhì)中。電池充放電時(shí)，液體電解質(zhì)就會(huì)傳導(dǎo)離子。水溶液電解質(zhì)因不可燃性而備受關(guān)注。而且，在制造過(guò)程中，與非水電解質(zhì)不同，水溶液電解質(zhì)不易受水分影響，更方便操作，成本更低。對(duì)于這種材料來(lái)說(shuō)，最大的挑戰(zhàn)在于如何保持性能。
2020-10-29 22:27:001472 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：HQ2和HF溶液循環(huán)處理 編號(hào)：JFKJ-21-213 作者：炬豐科技 摘要 采用原子顯微鏡研究了濕法化學(xué)處理過(guò)程中的表面形貌。在SC-1清洗過(guò)程中，硅表面的
2023-04-19 10:01:00501 
Event / interrupt 是gap8芯片的一個(gè)重要功能和概念。gap8中的各種內(nèi)部外設(shè)功能的實(shí)現(xiàn)，特別是異步的實(shí)現(xiàn)，都是基于event/interrupt的功能來(lái)實(shí)現(xiàn)的。中斷和事件的區(qū)別
2021-12-04 16:36:088 力顯微鏡、常規(guī)的x光光發(fā)射光譜和掃描光發(fā)射光譜顯微鏡已經(jīng)被用于研究在有機(jī)層生長(zhǎng)之前通常用于平滑/清潔/圖案化表面的幾種處理之后的商用薄氧化銦錫膜的形態(tài)和化學(xué)性質(zhì)。還沒(méi)有觀察到氫氧化鉀基溶液的明確平滑效果，而在應(yīng)
2021-12-24 11:46:381701 
引言 我們研究了四種硅在高頻水溶液中的陽(yáng)極電流-電勢(shì)特性。根據(jù)不同電位陽(yáng)極氧化的樣品的表面條件，電流-電位曲線上通常有三個(gè)區(qū)域：電流隨電位指數(shù)變化區(qū)域的多孔硅形成，恒流區(qū)域的硅的電泳拋光，以及
2021-12-28 16:40:161563 
之后，晶片表面立即被元素碑的棕色層覆蓋。該層的厚度和均勻性取決于蝕刻過(guò)程中的光照和氟化氫濃度。在存儲(chǔ)蝕刻晶片的過(guò)程中，碑層被三氧化二碑顆粒代替。結(jié)果表明，只有當(dāng)晶片暴露在空氣中的光線下時(shí)，才會(huì)形成氧化物顆粒。 實(shí)驗(yàn) 所有實(shí)
2021-12-28 16:34:371396 
引言 我們根據(jù)實(shí)驗(yàn)，研究了多孔硅層(PSL)的形成機(jī)理。PSL是由只發(fā)生在孔隙底部的硅的局部溶解而形成的。在陽(yáng)極化過(guò)程中，PSL孔隙中電解質(zhì)的HF濃度保持恒定，孔隙中的陽(yáng)極反應(yīng)沿厚度方向均勻進(jìn)行。硅
2021-12-30 14:20:271142 
方法來(lái)解釋在(NH4)2cr 2o 7–HBr–EG蝕刻溶液中InAs、InSb和GaAs、GaSb半導(dǎo)體溶解過(guò)程的特征。蝕刻動(dòng)力學(xué)數(shù)據(jù)表明，晶體溶解具有擴(kuò)散決定的性質(zhì)。溶劑濃度從80體積降低到0體積。根據(jù)溶液的組成，我們研究了兩種類型的晶體表面形態(tài)，拋光和鈍化的薄膜
2022-01-11 16:17:331188 
上降低了(100)和(h11)面的蝕刻速率。 為了在低氫氧化鉀濃度下獲得低粗糙度的(100)表面，蝕刻溶液必須含有飽和水平的異丙醇。在我們的研究中，我們研究了異丙醇濃度對(duì)具有不同晶體取向的硅襯底的蝕刻速率和表面形態(tài)的影響。還研究了氫氧化鉀濃度對(duì)(
2022-01-13 13:47:262752 
引言 濕化學(xué)蝕刻是制造硅太陽(yáng)能電池的關(guān)鍵工藝步驟。為了蝕刻單晶硅，氫氧化鉀溶液被廣泛使用，因?yàn)樗鼈兛梢孕纬删哂须S機(jī)金字塔的表面紋理，從而增強(qiáng)單晶硅晶片的光吸收。對(duì)于多晶硅晶片，表面紋理化通常通過(guò)在含
2022-01-13 14:47:191346 
法測(cè)定CIGSe的溶解動(dòng)力學(xué)速率。x射線光電子能譜分析表明，處理表面酸性溴溶液的蝕刻過(guò)程提供了一個(gè)控制的化學(xué)變薄過(guò)程，這使得幾乎平坦的表面和非常低的表面Se0 成為可能。 實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié) 刻蝕條件：本文的溶液氫溴酸：溴：水配方為0.25molL?1：0.02molL?1，超純?nèi)ルx子水。溶解過(guò)程在
2022-01-24 10:37:49677 
，表面的Ga-As鍵斷裂，元素砷留在砷化鎵表面。此外，用鹽酸+2-丙醇溶液蝕刻時(shí)可以觀察到吸附的2-丙醇分子，但用氨水溶液蝕刻時(shí)沒(méi)有檢測(cè)到吸附的水分子。 介紹 濕式化學(xué)蝕刻工藝在器件制造中已被廣泛應(yīng)用。半導(dǎo)體/電解質(zhì)界面上發(fā)生的過(guò)程
2022-01-24 15:07:302419 
基于HC1的蝕刻劑被廣泛應(yīng)用于InP半導(dǎo)體器件，HC1溶液中其他酸的存在對(duì)蝕刻速率有顯著影響，然而，InP并不溶在涉及簡(jiǎn)單氧化劑的傳統(tǒng)蝕刻劑中，為了解決溶解機(jī)理的問(wèn)題，我們江蘇華林科納研究了p-InP在不同HC1溶液中的刻蝕作用和電化學(xué)反應(yīng)。
2022-02-09 10:54:581600 
的表面相互作用力來(lái)影響稀氟化氫溶液的清潔效果。我們表明，顆粒沉積與晶片和顆粒的ζ電勢(shì)的乘積之間存在簡(jiǎn)單的相關(guān)性。這種相關(guān)性可以通過(guò)在雙電層相互作用的推導(dǎo)中引入線性疊加近似來(lái)解釋。表面活性劑的加入也將降低分散吸引力，引入空間排斥，并消除粘附力，如表面力測(cè)量結(jié)果所示。
2022-02-11 14:44:272968 
研究了在半導(dǎo)體制造過(guò)程中使用的酸和堿溶液從硅片表面去除粒子。 結(jié)果表明，堿性溶液的顆粒去除效率優(yōu)于酸性溶液。 在堿性溶液中，顆粒去除的機(jī)理已被證實(shí)如下:溶液腐蝕晶圓表面以剝離顆粒，然后顆粒被電排斥到晶圓表面。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，需要0.25 nm /min以上的刻蝕速率才能使吸附在晶圓表面的顆粒脫落。
2022-02-17 16:24:273169 
引言 拋光液中的污染物和表面劃痕、挖掘和亞表面損傷(固態(tài)硬盤)等缺陷是激光損傷的主要前兆。我們提出了在拋光后使用HF/HNO3或KOH溶液進(jìn)行深度濕法蝕刻，以提高熔融石英光學(xué)器件在351 nm波長(zhǎng)下
2022-02-24 16:26:034173 
在高頻水溶液中，SiO的蝕刻可以通過(guò)電場(chǎng)的應(yīng)用而被阻礙或停止。在CMOS制造中，非常低水平的光可以導(dǎo)致這種影響。對(duì)溶解過(guò)程提出了平行反應(yīng)路徑，并加上電場(chǎng)在中間步驟中停止或重定向反應(yīng)的能力。
2022-03-07 15:28:242562 
實(shí)驗(yàn)研究了預(yù)清洗對(duì)KOH/IPA溶液中單晶硅表面紋理化的影響。如果沒(méi)有適當(dāng)?shù)念A(yù)清洗，表面污染會(huì)形成比未污染區(qū)域尺寸小的金字塔，導(dǎo)致晶片表面紋理特征不均勻，晶片表面反射率不均勻。根據(jù)供應(yīng)商的不同，晶片的表面質(zhì)量和污染水平可能會(huì)有所不同，預(yù)清洗條件可能需要定制，以達(dá)到一致和期望的紋理化結(jié)果。
2022-03-17 15:23:08999 本文根據(jù)測(cè)量的OCP和平帶電壓，構(gòu)建了氫氧化鉀水溶液中n-St的定量能帶圖，建立了同一電解質(zhì)中p-St的能帶圖，進(jìn)行了輸入電壓特性的測(cè)量來(lái)驗(yàn)證這些能帶圖，硅在陽(yáng)極偏置下的鈍化作用歸因于氧化物膜的形成
2022-03-17 17:00:082042 
使用酸性或氟化物溶液對(duì)硅表面進(jìn)行濕蝕刻具有重大意義，這將用于生產(chǎn)微電子包裝所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了濕蝕刻對(duì)浸入48%高頻/水溶液中的硅片厚度耗散、減重、蝕刻速率、表面形貌和結(jié)晶性
2022-03-18 16:43:111211 
隨著器件的集成化，對(duì)Si晶片的要求也變得更加嚴(yán)格，降低晶片表面的金屬污染變得重要，這是因?yàn)镾i晶片表面的金屬污染被認(rèn)為是氧化膜耐壓和漏電流等電特性劣化的原因。在Si晶圓的清洗中RCA清洗被廣泛
2022-03-21 13:40:12835 
通過(guò)電位學(xué)和電位步測(cè)量，研究了氫氧化鉀溶液中（100）和（111）電極的電化學(xué)氧化和鈍化過(guò)程。在不同的表面之間觀察到顯著的差異，對(duì)n型和p型電極的結(jié)果進(jìn)行比較，得出堿性溶液中硅的電化學(xué)氧化必須
2022-03-22 15:36:401282 
，測(cè)量了漆器和表面形狀，并根據(jù)清潔情況測(cè)量了科隆表面特性。 本實(shí)驗(yàn)使用半導(dǎo)體用高純度化學(xué)溶液和DI 晶片，電阻率為22~38 ohm~ cm，使用了具有正向的4 inches硅基底，除裸晶圓外，所有晶片均采用piranha+HF清洗進(jìn)行前處理，清楚地知道紗線過(guò)程
2022-03-24 17:10:272794 
隨著器件的集成化，對(duì)Si晶片的要求也變得更加嚴(yán)格，降低晶片表面的金屬污染變得重要，這是因?yàn)镾i晶片表面的金屬污染被認(rèn)為是氧化膜耐壓和漏電流等電特性劣化的原因。在Si晶圓的清洗中RCA清洗被廣泛
2022-03-28 15:08:531507 
我們?nèi)A林科納研究探索了一種新的濕法腐蝕方法和減薄厚度在100 μm以下玻璃的解決方案，為了用低氫氟酸制備蝕刻溶液，使用NH4F或nh4hf 2作為主要成分并加入硫酸或硝酸是有效的，研究了混合酸溶液
2022-05-20 16:20:245687 蝕刻和隨后的沖洗后被干燥時(shí)，由于水溶液的表面張力產(chǎn)生的應(yīng)力，含水HF會(huì)導(dǎo)致自支撐結(jié)構(gòu)彼此粘附。另一方面，使用氣態(tài)HF的二氧化硅蝕刻必須在相對(duì)高的壓力和低溫下進(jìn)行，以獲得高蝕刻速率。在這種條件下，即使是蒸汽狀的HF也能通過(guò)水在表面上凝
2022-05-23 17:01:431891 
引言 為了在半導(dǎo)體工藝中獲得均勻的電氣特性、高可靠性和高倍率，保持硅酮基板清潔度的技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件的高密度化，其重要性日益增加。一般來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體工藝中三個(gè)定義的目的是從基板表面去除粒子、有機(jī)物
2022-06-21 15:40:553494 
用半導(dǎo)體制造中的清洗過(guò)程中使用的酸和堿溶液研究了硅片表面的顆粒去除。
2022-07-05 17:20:172988 
溶液中顆粒和晶片表面之間發(fā)生的基本相互作用是范德華力(分子相互作用)和靜電力(雙電層的相互作用)。近年來(lái)，與符合上述兩種作用的溶液中的晶片表面上的顆粒粘附機(jī)制相關(guān)的研究蓬勃發(fā)展，并為闡明顆粒粘附機(jī)制做了大量工作。
2022-07-13 17:18:442382 
金屬污染物，如碳化硅表面的銅，不能通過(guò)使用傳統(tǒng)的RCA清洗方法完全去除。RCA清洗后，在碳化硅表面沒(méi)有形成化學(xué)氧化物，這種化學(xué)穩(wěn)定性歸因于RCA方法對(duì)金屬污染物的不完全去除，因?yàn)樗ㄟ^(guò)氧化和隨后
2022-09-08 17:25:463011 
激光淬火以高能激光為熱源，使金屬表面快速加熱和冷卻，從而瞬間完成淬火過(guò)程，獲得高硬度和超細(xì)馬氏體組織，提高金屬表面的硬度和耐磨性，在表面形成壓應(yīng)力，提高抗疲勞能力。該工藝的核心優(yōu)勢(shì)包括熱影響區(qū)
2022-10-21 14:07:561187 
微弧氧化：在電解質(zhì)溶液中（一般是弱堿性溶液）施加高電壓生成陶瓷化表面膜層的過(guò)程，該過(guò)程是物理放電與電化學(xué)氧化協(xié)同作用的結(jié)果。
2023-02-20 11:18:314332 有時(shí)候，化學(xué)物質(zhì)會(huì)吸附在表面上，這種現(xiàn)象可能發(fā)生在氣相中的固體表面以及浸沒(méi)在液體溶液中的固體表面。
2023-06-05 11:25:295403 
等離子表面處理設(shè)備無(wú)論是晶圓源離子注入還是晶圓電鍍，都被選為IC芯片制造層面不可替代的重要技術(shù)。還可以實(shí)現(xiàn)低溫等離子表面處理裝置。去除晶片表面的氧化膜，對(duì)晶片進(jìn)行有機(jī)（有機(jī)）物質(zhì)、去掩膜、表面活性劑（化學(xué)）等超細(xì)化處理。
2022-08-17 09:58:501174 
等離子體表面預(yù)處理改善油漆和清漆對(duì)表面的粘合，從而提高涂料和上漆的質(zhì)量。 許多成分由金屬、玻璃、陶瓷甚至木材和紡織品天然材料等制成，它們的表面很難上漆。
2022-09-05 14:43:231352 
在數(shù)碼印刷、移印、絲印和膠印等常用印刷工藝之中，使用等離子體進(jìn)行印刷預(yù)處理已經(jīng)非常廣泛。等離子體對(duì)材料進(jìn)行預(yù)處理，可大大提高印刷油墨和噴漆涂層在材料表面的附著力，從而明顯提高印刷質(zhì)量。
2022-09-13 14:36:282052 通過(guò)金徠等離子體處理，可以提高金屬表面的活性，改善金屬表面的結(jié)合力、增強(qiáng)涂層附著力等性質(zhì)，使得金屬制品的質(zhì)量和性能得到明顯的改善和提升。此外，等離子體處理還可以改善金屬表面的光潔度，使得金屬表面更加平整光滑。
2023-05-05 10:51:232094 
氨水溶液換熱器作為一種重要的化工設(shè)備，廣泛應(yīng)用于化工、制冷等領(lǐng)域。在殼程為循環(huán)水、管程介質(zhì)為氨水溶液的工況下，列管換熱器管板腐蝕問(wèn)題成為影響設(shè)備安全運(yùn)行的關(guān)鍵因素。因此，研究有效的防腐技術(shù)對(duì)于延長(zhǎng)設(shè)備壽命、保障生產(chǎn)安全具有重要意義。
2024-06-21 16:08:591323 
工件，去除殘留的除油劑。 酸洗 ：使用酸性溶液去除工件表面的氧化皮和銹蝕。 活化 ：使用活化劑（如硫酸銅溶液）處理工件表面，以增加其對(duì)電鍍液的吸附能力。 2. 電鍍 電鍍過(guò)程是將工件作為陰極，與陽(yáng)極（待鍍金屬）一起浸入含有金屬離子
2024-11-28 14:16:0710379 探秘Panasonic ERZ-HF2M220F壓敏電阻：特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，浪涌保護(hù)是至關(guān)重要的一環(huán)，它能確保設(shè)備在復(fù)雜的電氣環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。今天，我們就來(lái)深入了解一下
2025-12-22 11:00:03159
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論