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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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三安光電提出的此項(xiàng)專利涉及氮化鎵晶體管的制備工藝，解決了現(xiàn)有方法中常規(guī)金屬材料熱穩(wěn)定性和散熱差、工藝復(fù)雜的缺陷。
2020-03-19 標(biāo)簽：場效應(yīng)管氮化鎵三安光電 4.3k 0
Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達(dá)成合作
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布與國際著名的為汽車行業(yè)提供先進(jìn)電子器件的供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (...
2022-05-23 標(biāo)簽：氮化鎵半導(dǎo)體器件Nexperia 4.3k 0
什么是氮化鎵技術(shù) 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族...
2023-02-03 標(biāo)簽：氮化鎵 4.3k 0
ADI提供GaN IC產(chǎn)品，滿足我們客戶的全部高功率需求。涵蓋從MMIC元件到RF和微波頻率范圍的全功率放大器。
前言 氮化鎵技術(shù)在消費(fèi)類電源領(lǐng)域的大規(guī)模商用，帶來了電源配件產(chǎn)品功率密度的一次大提升。借助GaN功率器件高頻、高效的特性，體積小巧、更加便攜的高密度快充...
半導(dǎo)體設(shè)備廠商邑文科技開啟上市輔導(dǎo)
近日，證監(jiān)會公開披露了無錫邑文微電子科技股份有限公司（簡稱“邑文科技”）的首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報(bào)告。海通證券已經(jīng)與邑文科技簽訂了相關(guān)的上市輔導(dǎo)...
美軍基于氮化鎵的雷達(dá)訂單由諾斯洛普執(zhí)行 價(jià)值9.58億美元
據(jù)報(bào)道，美國海軍陸戰(zhàn)隊(duì)與全球最大的雷達(dá)制造商諾斯洛普·格魯門（Northrop Grumman）簽訂了一份價(jià)值9.58億美元的合同，用于全速生產(chǎn)另外30...
賀利氏專家等你來撩，直播探討應(yīng)用于5G產(chǎn)品的SiP封裝材料
SIP WEBINAR 系統(tǒng)級封裝線上研討會第三期開播在即，行業(yè)知名系統(tǒng)級封裝大會自2020年5月，推出第一期SiP Webinar以來便受到行業(yè)內(nèi)人士...
EPC公司利用氮化鎵技術(shù)設(shè)計(jì)應(yīng)用推出六個(gè)視頻實(shí)用范例
學(xué)習(xí)采用氮化鎵（GaN）技術(shù)設(shè)計(jì)最先進(jìn)的人工智能、機(jī)械人、無人機(jī)、全自動(dòng)駕駛汽車及高音質(zhì)音頻系統(tǒng)。
保證了HEMT器件產(chǎn)品在0-850V的電壓區(qū)間上的安全穩(wěn)定工作，在國內(nèi)市場中位居前列。利用芯生代的GaN-on-Si外延片，可開發(fā)出650V、900V、...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠）在“雙碳”的發(fā)展趨勢下，能源轉(zhuǎn)換效率已成為各行各業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。據(jù)國家統(tǒng)計(jì)局公開信息顯示，2020年城鄉(xiāng)居民總用電量10949...
納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布一項(xiàng)重要人事任命：納微董事會已決定聘任Chris Allexandre為公司總裁兼首席執(zhí)行官，自2025...
2025-08-29 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 4.2k 0
英飛凌發(fā)布2021財(cái)年第四季度及全年財(cái)報(bào)，業(yè)績創(chuàng)下新紀(jì)錄
英飛凌科技股份公司公布了截至2021年9月30日的2021財(cái)年第四季度及全年業(yè)績。
中國保持了原有的鎵產(chǎn)市場的主導(dǎo)地位但是尚未引起關(guān)注
倫敦羅斯基爾信息服務(wù)公司的顧問Alexandra Feytis說，由于中國保持了原有的鎵產(chǎn)量，大多數(shù)其他國家比如德國與哈薩克斯坦的鎵產(chǎn)量已經(jīng)減少。她表示...
EPC新推最小型化的100 V、2.2 m? 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（EPC2071）,為設(shè)計(jì)工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高...
2022-05-17 標(biāo)簽：EPC場效應(yīng)晶體管氮化鎵 4.2k 0
新的氮化鎵IC產(chǎn)品將進(jìn)一步鞏固PI的優(yōu)勢地位
這款產(chǎn)品的發(fā)布日期專門選在了PI二季度財(cái)報(bào)當(dāng)天，足見該技術(shù)對PI未來的重要性。PI總裁兼首席執(zhí)行官Balu Balakrishnan表示：“在實(shí)現(xiàn)高效率...
東南大學(xué)在氮化鎵功率驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)上的最新研究成果成功發(fā)表
GaN功率器件具有工作頻率高、導(dǎo)通電阻小、溫度特性好等優(yōu)點(diǎn)，已成為未來高功率密度電源系統(tǒng)的首選器件。在高功率密度電源系統(tǒng)應(yīng)用中，如何降低系統(tǒng)EMI噪聲和...
2021-03-11 標(biāo)簽：氮化鎵電源系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)芯片 4.1k 0
氮化鎵（GaN）是一種直接帶隙半導(dǎo)體，寬帶隙為3.4 eV（電子伏特），比砷化鎵（GaAs）寬2.4倍，比硅寬3倍。具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子...
英飛凌12英寸氮化鎵晶圓可擴(kuò)展生產(chǎn)步入正軌，四季度可交付樣品
7 月 5 日消息，英飛凌德國當(dāng)?shù)貢r(shí)間 7 月 3 日宣布，其在 300mm晶圓上的可擴(kuò)展氮化鎵 (GaN) 生產(chǎn)已步入正軌，首批樣品將于 2025 年...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）碳化硅在新能源汽車上如魚得水，同為第三代半導(dǎo)體的氮化鎵，目前市場則主要集中在消費(fèi)電子領(lǐng)域，在消費(fèi)電子市場站穩(wěn)之后，其實(shí)業(yè)界...
2023-04-03 標(biāo)簽：新能源汽車氮化鎵第三代半導(dǎo)體 4.1k 0
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