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氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

半導(dǎo)體材料的演進(jìn)情況

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2021-01-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 4.5k 0

小米發(fā)布旗下首款氮化鎵充電器售價(jià)149元

小米10 Pro已經(jīng)標(biāo)配一顆65W功率的USB-C充電器(單買價(jià)格99元)，同時(shí)小米還發(fā)布了旗下第一款采用GaN氮化鎵材料的充電器，官方名稱“小米GaN...

2020-02-13 標(biāo)簽：充電器氮化鎵小米 4.5k 0

2461源測(cè)量單元的產(chǎn)品特點(diǎn)、功能及應(yīng)用范圍

2461高電流SourceMeter? 源測(cè)量單元（SMU）儀器把先進(jìn)的Touch、Test、Invent? 技術(shù)放到您的手中。它把創(chuàng)新的圖形用戶界面（...

2021-01-03 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池氮化鎵電池 4.5k 0

65W氮化鎵（1A2C） PD快充電源方案

隨著氮化鎵功率器件在 PD快充領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，氮化鎵功率器件已經(jīng)成為了消費(fèi)電子領(lǐng)域的新寵，應(yīng)用范圍也越來(lái)越廣。氮化鎵功率器件憑借著自身優(yōu)異的性能和良好的...

2023-04-21 標(biāo)簽：電源 PWM PD 4.5k 0

深耕質(zhì)量賽道鑄就半導(dǎo)體標(biāo)桿 —— 深圳爭(zhēng)妍微電子獲 “全國(guó)質(zhì)量檢驗(yàn)穩(wěn)定合格產(chǎn)品” 認(rèn)證

近日，深圳爭(zhēng)妍微電子有限公司憑借嚴(yán)苛的質(zhì)量管控體系與優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品表現(xiàn)，成功通過中國(guó)質(zhì)量檢驗(yàn)協(xié)會(huì)審核，榮獲 “全國(guó)質(zhì)量檢驗(yàn)穩(wěn)定合格產(chǎn)品” 認(rèn)證，并獲頒專用標(biāo)...

2026-01-06 標(biāo)簽：MOSFET 可控硅 IGBT 4.5k 0

半導(dǎo)體“黑科技”：氮化鎵（GaN）是何物？

氮化鎵（GaN）被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來(lái)簡(jiǎn)單了...

2023-11-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 GaN 4.5k 0

PN8213 65w氮化鎵充電器芯片應(yīng)用方案

氮化鎵快充已然成為了當(dāng)下一個(gè)非常高頻的詞匯，在氮化鎵快充市場(chǎng)迅速增長(zhǎng)之際，65W這個(gè)功率段恰到好處的解決了大部分用戶的使用痛點(diǎn)，從而率先成為了各大品牌的...

2022-05-09 標(biāo)簽：芯片充電器氮化鎵 4.5k 0

安森美攜手格羅方德開發(fā)下一代氮化鎵功率器件

概要：安森美（onsemi ）與格羅方德（GlobalFoundries, GF）達(dá)成全新合作協(xié)議，進(jìn)一步鞏固其在智能電源產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，雙方將...

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全球最大氮化鎵工廠正式建設(shè)完成！

9月19日，英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開始由廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，標(biāo)志著全球最大氮化鎵工...

2020-09-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 4.4k 0

軍用、航空系統(tǒng)從 GaN 和 SiC 功率器件中獲得巨大提升

現(xiàn)在，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料滿足了軍事和航空航天系統(tǒng)對(duì)更高功率密度和改進(jìn)冷卻的巨大需求，這讓這兩個(gè)行...

2022-07-28 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅軍事應(yīng)用 4.4k 0

半導(dǎo)體“黑科技”：氮化鎵

來(lái)源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊近年來(lái)，芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破，在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場(chǎng)景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)。其中...

2023-02-17 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵 GaN 4.4k 0

氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設(shè)計(jì)

此外，與硅不同，GaN沒有體二極管，其在AlGaN/GaN邊界表面的2DEG可以沿相反方向傳導(dǎo)電流（稱為“第三象限”操作）。因此，GaN沒有反向恢復(fù)電荷...

2020-04-29 標(biāo)簽：二極管氮化鎵晶片 4.4k 0

高功率密度65W氮化鎵快充方案：仁懋MOS 1145G開啟快充新紀(jì)元

在快充技術(shù)飛速發(fā)展的今天，65W功率檔位已成為市場(chǎng)主流，而氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn)，正在重新定義充電器的尺寸與效能邊界。仁懋電子推出的MOT1145GMOSFE...

2025-10-15 標(biāo)簽：MOS 氮化鎵仁懋電子 4.4k 0

氮化鎵芯片和硅芯片有什么區(qū)別？有什么優(yōu)勢(shì)？

氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開關(guān)器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料，很多特性都強(qiáng)于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體。

2023-09-11 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體氮化鎵 4.4k 0

爭(zhēng)妍微快訊：反傾銷調(diào)查劍指日本半導(dǎo)體材料

2026年1月7日，中國(guó)商務(wù)部宣布對(duì)原產(chǎn)于日本的進(jìn)口二氯二氫硅發(fā)起反傾銷立案調(diào)查，產(chǎn)業(yè)損害調(diào)查期追溯至2022年初。這一針對(duì)半導(dǎo)體核心原料的調(diào)查，迅速引...

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國(guó)產(chǎn)氮化鎵快充研發(fā)取得重大突破，三大核心芯片實(shí)現(xiàn)自主可控，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水準(zhǔn)。氮化鎵（gallium nitride，GaN）是下一代半導(dǎo)體材料，其運(yùn)...

2020-12-18 標(biāo)簽：芯片氮化鎵快充技術(shù) 4.4k 0

意法半導(dǎo)體和世界排名前列的電信、工業(yè)、國(guó)防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si...

2022-05-19 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵 MACOM 4.4k 0

淺析氮化鎵能為你提供什么

您可能沒有聽說過氮化鎵（GaN，gallium nitride），但氮化鎵（GaN，gallium nitride）正在迅速成為智能手機(jī)領(lǐng)域中越來(lái)越重要...

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Veeco攜手ALLOS研發(fā)硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)

Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階...

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9.58億美元!美軍與雷達(dá)制造商簽署基于氮化鎵的雷達(dá)訂單

美國(guó)海軍陸戰(zhàn)隊(duì)與全球最大的雷達(dá)制造商諾斯洛普·格魯門（Northrop Grumman）簽訂了一份價(jià)值9.58億美元的合同。

2019-06-20 標(biāo)簽：雷達(dá)氮化鎵 4.4k 0

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