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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

解密華虹宏力硅半導(dǎo)體產(chǎn)品和氮化鎵產(chǎn)品混合生產(chǎn)的專(zhuān)利

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集微網(wǎng)消息,現(xiàn)如今是人工智能、無(wú)人駕駛汽車(chē)、5G等高新技術(shù)的發(fā)展浪潮,在汽車(chē)電子、5G基站和智能芯片的推動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體材料(尤其是碳化硅(SiC)與...

2020-03-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵無(wú)人駕駛 5.5k 0

努比亞推出65W GaN Pro氮化鎵充電器 體積再減小40%

去年3月,努比亞發(fā)布了旗下首款氮化鎵充電器,功率達(dá)65W三口(2C1A),此后又推出了120W三口(2C1A)氮化鎵充電器、45W雙口(1A1C)氮化鎵...

2021-02-19 標(biāo)簽:充電器氮化鎵努比亞 5.4k 0

硅基氮化鎵技術(shù)成熟嗎 硅基氮化鎵用途及優(yōu)缺點(diǎn)

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硅基氮化鎵是一個(gè)正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù),硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中,由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)...

2023-02-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵硅基氮化鎵技術(shù) 5.4k 0

陳小龍:碳化硅晶圓國(guó)產(chǎn)化先鋒

“創(chuàng)新從來(lái)都是九死一生”,道出了創(chuàng)新的不易。在碳化硅晶體產(chǎn)業(yè)做強(qiáng)的道路上,未來(lái)還充滿(mǎn)了許許多多的坎坷險(xiǎn)阻,還有很多需要解決的科學(xué)和技術(shù)難題。隨著碳化硅器...

2019-04-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 5.4k 0

納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過(guò)車(chē)規(guī)認(rèn)證

納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過(guò)車(chē)規(guī)認(rèn)證

? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達(dá)到電動(dòng)汽車(chē)所需的量產(chǎn)表現(xiàn),可為車(chē)載充電機(jī)(OBC)和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效...

2025-04-17 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體功率芯片 5.4k 0

峰值效率98%,納微12kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源,支持英偉達(dá)Backwell GPU

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去年底納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源,其采用了氮化鎵和碳化硅技術(shù)的混合設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了>97.5%的超高效率,完美適配AI和...

2025-05-06 標(biāo)簽:電源氮化鎵納微半導(dǎo)體 5.4k 0

氮化鎵充電器選哪個(gè)比較好?

電子產(chǎn)品的廣泛使用催生了大眾對(duì)于快充的需求,而提到快充,大家一定不會(huì)陌生的就是氮化鎵充電器。只要選擇信得過(guò)的品牌、品質(zhì)和售后,優(yōu)質(zhì)的氮化鎵充電器并不難選...

2020-11-30 標(biāo)簽:充電器連接器氮化鎵 5.4k 0

國(guó)外廠商推出00W氮化鎵充電器,約合人民幣480元

  2月2日消息報(bào)道,國(guó)外廠商推出了一款名為HyperJuice的100W氮化鎵充電器,2A2C,外觀只有一副紙牌大小,電源效率達(dá)到了95%。

2020-02-03 標(biāo)簽:電源充電器氮化鎵 5.3k 0

國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體原廠上市即遭大廠訴訟,產(chǎn)業(yè)前景如何解讀?

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電子發(fā)燒友網(wǎng)(文/梁浩斌)最近國(guó)內(nèi)的首個(gè)第三代半導(dǎo)體芯片原廠提出了在港交所IPO上市的申請(qǐng),不出意外的話(huà)將會(huì)獲得成功上市。這對(duì)于國(guó)內(nèi)眾多三代半的功率器件...

2024-08-05 標(biāo)簽:氮化鎵GaN第三代半導(dǎo)體 5.3k 0

淺談Sub-6 GHz和毫米波技術(shù)

MIMO代表“多輸入多輸出”,是一種用于無(wú)線(xiàn)通信的天線(xiàn)技術(shù),它使用多個(gè)天線(xiàn)來(lái)發(fā)送和接收信號(hào)。

2021-02-12 標(biāo)簽:接收器無(wú)線(xiàn)通信RF 5.3k 0

WBG功率器件的設(shè)計(jì)考慮

WBG功率器件的設(shè)計(jì)考慮

1.2 驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)考慮

2019-04-08 標(biāo)簽:ti功率器件氮化鎵 5.3k 0

價(jià)格下降、與Si器件價(jià)差縮小,氮化鎵或成終端廠商進(jìn)入高端市場(chǎng)的“寶劍”

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價(jià)格下降、與Si器件價(jià)差縮小 ,氮化鎵 或成終端廠商進(jìn)入高端市場(chǎng)的“寶劍” ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)作為第三代半導(dǎo)體,氮化鎵材料由于具備禁帶寬...

2023-03-20 標(biāo)簽:電源氮化鎵氮矽科技 5.3k 0

ALLOS利用200mm/300mm硅基氮化鎵外延片解決晶片尺寸不匹配問(wèn)題

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近日,為了解決晶片尺寸不匹配的問(wèn)題并應(yīng)對(duì) microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn),ALLOS 應(yīng)用其獨(dú)特的應(yīng)變工程技術(shù),展示了 200 mm 硅基氮化鎵 ...

2020-04-08 標(biāo)簽:氮化鎵microled 5.2k 0

針對(duì)工業(yè)和400V系統(tǒng)汽車(chē)電源,PI推出新款PowiGaN InnoSwitch-3器件

針對(duì)工業(yè)和400V系統(tǒng)汽車(chē)電源,PI推出新款PowiGaN InnoSwitch-3器件

PI宣布推出900V氮化鎵(GaN)器件,為InnoSwitch3系列反激式開(kāi)關(guān)IC再添新品。新IC采用了PI特有的PowiGaN技術(shù),可提供高達(dá)100...

2023-03-31 標(biāo)簽:PI汽車(chē)電源氮化鎵 5.2k 0

氮化鎵行業(yè)發(fā)展前景如何?

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氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵:碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導(dǎo)熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢(shì),適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域;硅基氮化...

2023-02-10 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅5G基站 5.2k 0

90W氮化鎵充電器今日上市,30分鐘即可充滿(mǎn)5000mAh

這款90W氮化鎵充電器采用“第三代半導(dǎo)體氮化鎵技術(shù)”,有著更加出色的擊穿能力,更高的電子遷移率和電子密度。有效降低了導(dǎo)阻帶來(lái)的發(fā)熱量,最終呈現(xiàn)出高效率和...

2020-11-05 標(biāo)簽:充電器氮化鎵 5.2k 0

Nexperia宣布推出新一代氮化鎵技術(shù);中芯國(guó)際回復(fù)首輪問(wèn)詢(xún)…

據(jù)有關(guān)媒體報(bào)道,近段時(shí)間內(nèi),包括蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科、AMD等在內(nèi),都紛紛向臺(tái)積電大幅追加第四季度的7nm訂單。第四季度是個(gè)耐人尋味的時(shí)間點(diǎn),因?yàn)槊婪?月...

2020-06-09 標(biāo)簽:中芯國(guó)際氮化鎵Nexperia 5.2k 0

江蘇蘇州英諾賽科氮化鎵項(xiàng)目傳來(lái)新進(jìn)展

此外,英諾賽科(蘇州)半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理王培仁表示,按照規(guī)劃,項(xiàng)目開(kāi)工兩年內(nèi)將建成8英寸第三代化合物半導(dǎo)體硅基氮化鎵大規(guī)模量產(chǎn)線(xiàn),投產(chǎn)后三年將實(shí)現(xiàn)年...

2020-11-05 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體功率器件 5.2k 0

氮化鎵你了解多少

氮化鎵是一種新興的半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能。由于其獨(dú)特的特性,氮化鎵在各種領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用,如LED照明、電力電子、無(wú)線(xiàn)通信、智能家...

2023-05-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 5.1k 0

碳化硅和氮化鎵哪個(gè)好

碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種常見(jiàn)的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。雖然它們都是寬...

2023-12-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 5.1k 0

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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
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