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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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Yole電力電子技術與市場分析師Ana Villamor與意法半導體功率RF和GaN產品部經理Filippo Di Giovanni會面，討論意法半導體...
Transphorm 最新技術白皮書： 常閉耗盡型 (D-Mode)與增強型 (E-Mode) 氮化鎵晶體管的優(yōu)勢對比
氮化鎵功率半導體器件的先鋒企業(yè) Transphorm說明了如何利用其Normally-Off D-Mode平臺設計充分發(fā)揮氮化鎵晶體管的優(yōu)勢，而E-Mo...
2023-10-24 標簽：氮化鎵 6.6k 0
浙江博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目開工 將對“中國芯”打造提供強勁助力
4月10日，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化鎵射頻及功率器件項目正式開工。
業(yè)內首款1700V氮化鎵開關IC登場！高耐壓且效率大于90%，PI是如何做到的
? 電子發(fā)燒友網報道（文/莫婷婷）從硅產品、碳化硅產品，再到氮化鎵的功率變換開關產品，PI都走在行業(yè)前列。近期，PI推出InnoMux?-2系列單級、獨...
Power Integrations發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC
Power Integrations 近日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN開關技術。InnoS...
氮化鎵充電器前景非常明朗，大概率會取代傳統(tǒng)充電器。 氮化鎵充電器為何能夠取代傳統(tǒng)的充電器呢，或者說氮化鎵充電器都有哪些優(yōu)勢？下面給給大家進行解答。
好像從我使用 iPhone 以來，蘋果給用戶附贈的就一直是祖?zhèn)鞯哪穷w5V1A超級慢充電源，好不容易 iPhone 11Pro 系列給升級成了 18W 快...
倍思Baseus 65W氮化鎵GaN充電器 帶給我的幾點啟示
19年12月份，購買了一款 明星產品：倍思的雙C＋A口 65W 氮化鎵GaN充電器產品。 京東上售價 268 元； 購買的目的就是想看看 氮化鎵GaN ...
國產氮化鎵芯片“上天”，中國空間站、北斗、火星探測都已經用上
電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）上周日，問天實驗艙由長征5號B遙三運載火箭送上太空，并與中國空間站天和核心艙順利完成對接。而除了將問天實驗艙這個當今世界上...
哪些射頻和微波技術將在2019年推動行業(yè)發(fā)展
在更高數(shù)據(jù)速率下的高功率效率： GaN具有軟壓縮特性，使其更容易預失真和線性化。因此，它更容易用于數(shù)字預失真（DPD）高效應用。GaN能夠在多個蜂窩頻段...
GaN Systems和安森美半導體的半橋評估板展示氮化鎵的下一個性能飛躍
這評估板的優(yōu)勢包括顯著減小損耗、重量、尺寸（布板尺寸可減小達80％）和系統(tǒng)成本（可節(jié)省達60％的BOM成本），非常適用于如AC-DC適配器、數(shù)據(jù)中心電源...
最近風靡的氮化鎵充電器，對我們消費者最直觀的感覺就是小。當然，在充電功率等同的情況下，體積越大的充電器，散熱必然就越好，如果一個充電器不做好電路可靠性就...
小米10系列發(fā)布會讓氮化鎵充電器一舉捧紅，成為新晉網紅配件。小米的入局，可以說是極大地提高了氮化鎵的關注度。
氮化鎵（GaN）是第三代寬禁帶半導體材料，禁帶寬度為3.4eV，對應截至波長365nm，對可見光無響應，克服了硅基紫外傳感器對可見光有強烈響應，且紫外靈...
過去一些年，功率電子行業(yè)的工程師一直處于一個非常尷尬的境地，一方面他們無法在現(xiàn)有空間內繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設備所需的空間。
第一代半導體材料：主要指Si、Ge元素為主的半導體，它們是半導體分立器件、集成電路和太陽能電池的基礎材料。
氮化鎵是第三代半導體的代表，具有寬禁帶、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等優(yōu)異的電學特性，在半導體器件領域逐漸受到重視。
前言本期為大家?guī)淼氖荰ORRAS圖拉斯旗下小冰塊快充系列一款新品——圖拉斯45W小冰塊充電器CQ14的拆解，其延續(xù)小冰塊系列小巧精美專利外觀設計，同時...
近年來，研究人員開始探索將液體冷卻模塊直接嵌入芯片內部，以實現(xiàn)更加高效的制冷效果的新技術，但這一技術仍未解決電子設備和冷卻系統(tǒng)分開處理的困境，從而無法發(fā)...
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