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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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倍思發(fā)布全新“第五代”氮化鎵充電器 英諾賽科新推150W低壓氮化鎵
倍思發(fā)布了全新“第五代”氮化鎵充電器——GaN5 Pro 160W，支持PD3.1、QC4+、QC3.0等多種充電協(xié)議，并采用“2C1A”輸出接口，售價...
超級快充直逼160W，PD3.1快充協(xié)議、氮化鎵助力市場快速起量
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）今年5月，USB-IF協(xié)會發(fā)布了最新的USB PD3.1快充標準，新增了28V、36V、48V三個拓展輸出電壓，并將最大輸...
小米GaN充電器今日再開售 搭配小米10 Pro可提供最高50W充電功率
小米10發(fā)布會上，小米還帶來了旗下第一款采用GaN氮化鎵材料的充電器，官方名稱“小米GaN充電器Type-C 65W”，售價149元。對一塊4500mA...
半導(dǎo)體材料的演進情況,第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展
第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)是我國重點鼓勵發(fā)展的產(chǎn)業(yè)，是支撐經(jīng)濟社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性和基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè)。為加快推進第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展，國家層面先后引...
支持PD3.0，30W標準續(xù)航蘋果15充電頭解決方案
近期，展嶸再次給電源適配器開發(fā)了新的方案，支持PD3.0的30W氮化鎵充電頭，一共有兩個接口：A+C。該方案使用的是主控合封氮化鎵SW1123+同步SW...
中國是全球金屬鎵最大市場，下游射頻器件應(yīng)用規(guī)模占比達91%
氮化鎵（GaN）是一種無機物，是氮和鎵的化合物，主要應(yīng)用于射頻器件和電力電子器件的制造。受電信業(yè)和國防應(yīng)用的推動，全球氮化鎵的市場規(guī)模不斷增長，2020...
氮化鎵（GaN）功率器件在幾個關(guān)鍵性能指標上比硅（Si）具有優(yōu)勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場，能實現(xiàn)更薄的漂移層，同時在較高的擊穿電...
耐威科技擬在青島投資建設(shè)氮化鎵晶圓制造項目 利于公司在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的全產(chǎn)業(yè)鏈布局
11月6日，耐威科技發(fā)布公告稱，其與青島西海岸新區(qū)管委簽署協(xié)議，擬在青島西海岸新區(qū)投資建設(shè)氮化鎵（GaN）晶圓制造項目。
IEEE發(fā)布半導(dǎo)體技術(shù)路線圖，助力碳化硅和氮化鎵材料發(fā)展
近日，為了促進寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，IEEE電力電子學(xué)會（PELS）發(fā)布了寬帶隙功率半導(dǎo)體（ITRW）的國際技術(shù)路線圖。
泰克科技助力氮化鎵技術(shù)在新能源汽車領(lǐng)域應(yīng)用落地
2025年12月，匯川聯(lián)合動力與英諾賽科共同宣布，采用650V氮化鎵的新一代6.6kW車載充電系統(tǒng)在長安汽車成功裝車。這標志著氮化鎵技術(shù)在中國新能源汽車...
拆解報告 | FJ福佳120W DC氮化鎵電源適配器——內(nèi)置東科DK065G搭配DK5V120R15S
-----充電頭網(wǎng)拆解報告第2510篇-----前言深圳市福佳電器有限公司是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的開關(guān)電源生產(chǎn)企業(yè)，產(chǎn)品包括PD快充，車充，醫(yī)療...
聚力成半導(dǎo)體成功試產(chǎn)氮化鎵外延片 將有望進一步推動國內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展
重慶大足區(qū)人民政府網(wǎng)消息顯示，近日，聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司工廠成功試產(chǎn)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品氮化鎵外延片在重慶發(fā)布。
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）以碳化硅、氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體材料得以大力發(fā)展，譬如氮化鎵功率器件在充電器和手機等消費類電子上得到越來越多的采用。在經(jīng)...
剛剛，阿里巴巴達摩院發(fā)布2021十大科技趨勢，這是達摩院成立三年以來第三次發(fā)布年度科技趨勢。2020年是不平凡的一年，經(jīng)歷疫情的洗禮，許多行業(yè)重啟向上而...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）“充電五分鐘，通話兩小時”這句廣告語可能是很多人對快充最開始的認識，在以前很多手機廠商為實現(xiàn)手機長時間續(xù)航，只會一味地增加手...
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長使用壽命的硅功率橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) M...
2022-04-01 標簽：氮化鎵半導(dǎo)體器件碳化硅 5.6k 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）近期，作為業(yè)內(nèi)氮化鎵龍頭的英諾賽科向港交所遞交招股書，正式開始IPO之路。這家明星企業(yè)在公開招股書后，終于讓業(yè)內(nèi)人士看到了...
氮化鎵芯片市場份額分析 氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體器件分類
中國氮化鎵芯片市場占據(jù)全球約 %的市場份額，為全球最主要的消費市場之一，且增速高于全球。2021年市場規(guī)模約 億元，2017-2021年年復(fù)合增長率約為 %。
由美國麻省理工學(xué)院（MIT）獨立出來的WiTricity現(xiàn)任總裁EricGiler，曾在2009年曾于TED發(fā)表題為“無線電力技術(shù)示范”的精彩演說，展示...
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