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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))自Type-C 2.1與PD 3.1新的標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議發(fā)布之后,氮化鎵再次被推上風(fēng)口。氮化鎵以低損耗、高效率、高功率密度的自身優(yōu)勢(shì)...

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第三代半導(dǎo)體材料,氮化鎵的應(yīng)用將越來越廣泛

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第一代材料是硅(Si),大家通俗理解的硅谷,就是第一代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)園。 第二代材料是砷化鎵(GaAs),為4G時(shí)代而生,目前的大部分通信設(shè)備的材料。 ...

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未來幾年GaN市場(chǎng)的營(yíng)收預(yù)測(cè)

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普通快充和氮化鎵充電器哪個(gè)比較好

隨著智能設(shè)備的普及,充電器的需求也日益增加。為了能夠快速充電,提高充電效率,氮化鎵充電器逐漸成為市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品。那么,氮化鎵充電器和普通快充有什么區(qū)別...

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什么是硅基氮化鎵 氮化鎵和碳化硅的區(qū)別

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對(duì)于電容參數(shù)的描述,ASM GaN 是應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)板來解決的。當(dāng)然,模型開發(fā)出來后,需要和真正的器件進(jìn)行對(duì)比,比如用于PA和功率轉(zhuǎn)換等。

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博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目落戶嘉興科技城 總投資25億元

11月7日,氮化鎵(GaN)射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式簽約落戶嘉興科技城。區(qū)委書記、嘉興科技城黨工委書記朱苗,嘉興科技城管委會(huì)副主任曹建弟,浙江博方嘉...

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GaN功率器件的兩種技術(shù)路線對(duì)比

這幾年第三代半導(dǎo)體異常火熱,國(guó)內(nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù),2020年,GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模為4600萬美元,相比2019年增長(zhǎng)了...

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氮化鎵功率器件進(jìn)入井噴期:軍事宇航份額最高

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TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
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