氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

PI的PowiGaN技術(shù)與同行所使用的其他氮化鎵技術(shù)，在生產(chǎn)及可靠性管控方面也有所不同。他們的開發(fā)工作涵蓋了產(chǎn)品制造和設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的各個(gè)方面，從外延生長到晶...

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納微半導(dǎo)體推出采用GaNFast技術(shù)的最新DC-DC供電板

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼:NVTS），氮化鎵 (GaN) 和 GeneSiC? 碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者 (納斯達(dá)克股票代碼：NV...

2026-03-25 標(biāo)簽：NVIDIA 氮化鎵納微 682 0

意法半導(dǎo)體推出氮化鎵功率開關(guān)管半橋模塊MasterGaN6

意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN系列氮化鎵功率開關(guān)管半橋的第二代產(chǎn)品MasterGaN6，該功率系統(tǒng)級封裝（SiP）在一個(gè)封裝內(nèi)集成新的BCD柵極驅(qū)動...

2026-03-20 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片 669 0

MOFEST市場是否會被氮化鎵取代？

與等效硅基解決方案相比，氮化鎵基HEMT的開關(guān)更快、熱導(dǎo)率更高和導(dǎo)通電阻更低，因此在電路中采用氮化鎵晶體管和集成電路，可提高效率、縮小尺寸并降低各種電源...

2023-09-14 標(biāo)簽：MOSFET 電源轉(zhuǎn)換氮化鎵 657 0

Transphorm氮化鎵器件率先達(dá)到對電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用至關(guān)重要的抗短路穩(wěn)健性里程碑

與安川電機(jī)公司合作取得的這項(xiàng)成果，充分利用了 Transphorm 常關(guān)型平臺的基本優(yōu)勢。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 8 月 24 ...

2023-08-28 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動氮化鎵 649 0

為什么碳化硅和氮化鎵擁有著巨大的市場潛力？

與傳統(tǒng)硅相比，這些因素轉(zhuǎn)化為許多好處，包括更小的體積、更快的速度、更高效和更可靠的運(yùn)行能力。

2023-02-27 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 634 0

聯(lián)想65W氮化鎵為什么選用TMY1471K？

聯(lián)想最新INBOX標(biāo)配的65W 49cc氮化鎵充電器，以1.32W/cm3的高功率密度實(shí)現(xiàn)便攜與性能的平衡。拆解后不難發(fā)現(xiàn)，支撐這一核心優(yōu)勢的關(guān)鍵器件之...

2026-03-20 標(biāo)簽：充電器聯(lián)想氮化鎵 627 0

東海半導(dǎo)體亮相2026功率半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用與裝備展覽會

3月11日，以“智驅(qū)未來?芯聚生態(tài)”為主題的 2026第三屆功率半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用與裝備展覽會暨金剛石產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展論壇在合肥舉行。大會匯聚了來自產(chǎn)業(yè)...

2026-03-19 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體 617 0

深圳爭妍微受邀參與 2026AI+新材料產(chǎn)業(yè)對接交流會在比亞迪總部舉行

深圳爭妍微受邀參與“2026AI+新材料產(chǎn)業(yè)對接交流會”在比亞迪全球總部隆重舉行。

2026-03-17 標(biāo)簽：可控硅氮化鎵新材料 609 0

揭秘寬禁帶器件檢測要點(diǎn)？

雖然氮化鎵的HEMT器件相對碳化硅來說起步晚了點(diǎn)，但是現(xiàn)在氮化鎵的HEMT器件的勢頭非常迅猛，所以對于氮化鎵器件的生產(chǎn)廠家來說，評測氮化鎵器件的緊迫性也...

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可協(xié)助5G發(fā)展的技術(shù) 激子行為

據(jù)俄科院西伯利亞分院網(wǎng)站報(bào)道，該分院計(jì)算數(shù)學(xué)、數(shù)學(xué)地質(zhì)物理所、半導(dǎo)體物理所會同德國保羅—德魯?shù)鹿虘B(tài)電子學(xué)研究所（柏林）的聯(lián)合科研團(tuán)隊(duì)計(jì)算了激子（一種準(zhǔn)粒...

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功率半導(dǎo)體市場的狀況增長勢頭過于強(qiáng)勁

氮化鎵 (GaN) 的情況略有不同。這種材料的賣點(diǎn)之一是它可以在硅晶圓上作為外延生長，因此不需要 GaN 晶圓。該行業(yè)的許多公司目前都是無晶圓廠，這在一...

2023-02-21 標(biāo)簽：晶圓 SiC 氮化鎵 509 0

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