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標簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

應(yīng)用在SMPS中的GaN/氮化鎵

開關(guān)模式電源(Switch Mode Power Supply,簡稱SMPS),又稱交換式電源、開關(guān)變換器,是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,是電源供應(yīng)器的一種。

2023-10-11 標簽:開關(guān)電源smps氮化鎵 1.1k 0

Power Integrations收購GaN開發(fā)商Odyssey半導體資產(chǎn)

近日,知名的高壓集成電路和高效功率變換方案提供商Power Integrations(PI)宣布了一項重大收購計劃。該公司將于2024年7月完成對垂直氮...

2024-05-09 標簽:半導體氮化鎵GaN 1.1k 0

恩智浦慶祝射頻技術(shù)創(chuàng)新60周年;并在國際微波研討會上力推5G基站解決方案

火奴魯魯 – IMS 2017 – 2017年6月5日 –在6月4-9日舉行的國際微波研討會(International Microwave Sympo...

2017-06-09 標簽:恩智浦氮化鎵5G 1.1k 0

MicroLEDi籌資2500萬美元,進軍AR眼鏡用Micro LED技術(shù)領(lǐng)域

Micledi借助已于2020年籌集到的資金,成功驗證了在300mm晶圓上的制造工藝,同時展現(xiàn)出基于氮化鎵的藍色、綠色Micro LED光源具備與紅色光...

2024-03-15 標簽:晶圓Micro氮化鎵 1.1k 0

CGD 的 ICeGaN HEMT 榮獲臺積電歐洲創(chuàng)新區(qū)“最佳演示”

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英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)??萍及雽w公司,開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造...

2023-10-10 標簽:臺積電氮化鎵CGD 1.1k 0

UE Electronic即將推出新型氮化鎵智能插座,全方位展現(xiàn)品質(zhì)高端、時尚性能

人們消費需求追求個性化、多樣化、品質(zhì)化,“品質(zhì)+時尚”的消費日益走俏,消費場景更加多元,智能插座市場規(guī)模不斷擴大,新型智能插座將掀起消費升級的浪潮。UE...

2023-03-08 標簽:充電器氮化鎵智能插座 1.1k 0

通過熱增強提高氮化鎵的濕蝕刻速率報告

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通過增加過硫酸鹽(S2O82-)離子溶液的溫度和254n波長紫外線(UVC)暴露,硫酸鎵(氮化鎵)的非接觸光電化學(CL-PEC(UVC)(Horiki...

2022-02-09 標簽:設(shè)備氮化鎵蝕刻 1.1k 0

日本設(shè)立共同研究室 加快新一代功率半導體氮化鎵功研發(fā)

據(jù)報道,共同研究室預(yù)計將于2017年3月底前后設(shè)置、最初由總計10名左右的研究人員參加。該研究室力爭將“氮化鎵”這種物質(zhì)運用在控制電流的新一代半導體功率...

2016-11-24 標簽:氮化鎵功率半導體 1.1k 0

英飛凌率先開發(fā)全球首項300mm氮化鎵功率半導體技術(shù),推動行業(yè)變革

英飛凌率先開發(fā)全球首項300mm氮化鎵功率半導體技術(shù),推動行業(yè)變革

●憑借這一突破性的300mmGaN技術(shù),英飛凌將推動GaN市場快速增長●利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm硅制造設(shè)施,英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率●300...

2024-09-13 標簽:英飛凌半導體氮化鎵 1.1k 0

廣芯微電子聯(lián)手英諾賽科突破高速電機控制邊界

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伴隨氮化鎵(GaN)功率器件、超高速電機與高功率密度系統(tǒng)持續(xù)演進,電機控制系統(tǒng)正進入新的技術(shù)拐點。尤其在高速、低電感、高電角速度應(yīng)用中,一個長期被行業(yè)忽...

2026-03-30 標簽:功率器件氮化鎵 1.1k 0

淺談氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機理

氮化鎵(GaN)是極具潛力的第三代半導體,廣泛應(yīng)用于功率器件、射頻器件及光電器件。然而GaN材料表面的脆弱性是阻礙GaN基器件發(fā)展的關(guān)鍵限制,特別是在器...

2023-02-23 標簽:光電器件氮化鎵GaN 1.1k 0

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英飛凌近日宣布與總部位于加拿大AWL-Electricity建立合作關(guān)系,后者是兆赫級電容耦合諧振式功率傳輸技術(shù)的領(lǐng)導者。英飛凌將為AWL-E提供Coo...

2024-10-29 標簽:英飛凌半導體氮化鎵 1.1k 0

CGD:氮化鎵技術(shù)是實現(xiàn)高效率的“版本答案”

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2024-12-25 標簽:氮化鎵 1.1k 0

氮化鎵快充芯片U8733L的特征

恒功率控制方式通過精確的控制策略和先進的電子技術(shù),實現(xiàn)了在各種工況下輸出功率的恒定。其基本原理是通過調(diào)節(jié)系統(tǒng)的輸入或輸出參數(shù)(如電壓、電流等),使得系統(tǒng)...

2025-05-29 標簽:電流氮化鎵快充芯片 1.1k 0

PI公司1700V氮化鎵產(chǎn)品直播預(yù)告

PI公司誠邀您報名參加電子研習社主辦的線上直播。我們的技術(shù)專家將為您帶來專題演講,介紹新的氮化鎵耐壓基準。

2025-01-15 標簽:充電器氮化鎵碳化硅 1.1k 0

泰克先進半導體實驗室 遠山半導體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

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氮化鎵功率器件因其高速開關(guān)能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而,由于工作電壓和長期可靠性的制約,這些器件的潛力并未得到充分發(fā)揮,主要在消...

2024-11-01 標簽:半導體功率器件氮化鎵 1.1k 0

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在新能源汽車市場競爭愈發(fā)激烈的當下,創(chuàng)新技術(shù)無疑是車企率先破局的利刃。日前,在混動、純電領(lǐng)域均占據(jù)行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢?的浩思動力HorsePowertrain...

2025-05-13 標簽:新能源氮化鎵增程器 1.1k 0

功率半導體商納微半導體明天發(fā)布2023年第三季度財務(wù)業(yè)績召開電話會議

? ?納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)將于美東時間2023年11月9日星期四股市收市后,公布2023年第三季度財務(wù)業(yè)績。納微半導體管理層將召開電...

2023-11-08 標簽:氮化鎵功率半導體碳化硅 1.1k 0

創(chuàng)新技術(shù)推動快速部署新型 5G 產(chǎn)品

5G 產(chǎn)業(yè)潛力巨大,但行業(yè)如何才能克服成本、功耗與性能等相關(guān)挑戰(zhàn),確保 5G 在第二次浪潮中大獲成功?

2021-05-19 標簽:賽靈思氮化鎵GaN 1.1k 0

GaN是否可靠?

GaN是否可靠?

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2023-12-05 標簽:電源場效應(yīng)晶體管氮化鎵 1.1k 0

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Coilcraft LRC trinamic
放大器 運算放大器 差動放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變增益放大器 隔離放大器
時鐘 時鐘振蕩器 時鐘發(fā)生器 時鐘緩沖器 定時器 寄存器 實時時鐘 PWM 調(diào)制器
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振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計 溫度傳感器 壓力傳感器
電機驅(qū)動器 步進驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進電機 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護電路 看門狗
CAN CSI DSI DVI Ethernet HDMI I2C RS-485
SDI nas DMA HomeKit 閾值電壓 UART 機器學習 TensorFlow
Arduino BeagleBone 樹莓派 STM32 MSP430 EFM32 ARM mbed EDA
示波器 LPC imx8 PSoC Altium Designer Allegro Mentor Pads
OrCAD Cadence AutoCAD 華秋DFM Keil MATLAB MPLAB Quartus
C++ Java Python JavaScript node.js RISC-V verilog Tensorflow
Android iOS linux RTOS FreeRTOS LiteOS RT-THread uCOS
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