未來(lái)氮化鎵快充技術(shù)將會(huì)得到更加廣泛的應(yīng)用

2020年2月13日小米的線上發(fā)布會(huì)上，小65W氮化鎵充電器問(wèn)世。同時(shí)，氮化鎵（GaN）快充在發(fā)布會(huì)上也被雷軍一舉捧紅，成為了當(dāng)下的一個(gè)熱門(mén)高頻詞匯。 ...

2020-07-16 標(biāo)簽：氮化鎵快充技術(shù) 1.2k 0

臺(tái)亞半導(dǎo)體再度調(diào)整業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)

臺(tái)亞半導(dǎo)體于近日成功召開(kāi)股東會(huì)，會(huì)議通過(guò)了將8英寸GaN（氮化鎵）事業(yè)群分割給子公司冠亞半導(dǎo)體的計(jì)劃。這是繼兩年前臺(tái)亞將系統(tǒng)事業(yè)群劃分給星亞視覺(jué)后，再次...

2024-05-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 1.2k 0

氮化鎵電源芯片U8733L與U8733的區(qū)別

氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列，都是外置OTP，自帶降功率(限12V最大輸出)，集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的...

2025-04-23 標(biāo)簽：封裝氮化鎵電源芯片 1.2k 0

為什么說(shuō)大功率器件氮化鎵遙遙領(lǐng)先

氮化鎵和碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，整體發(fā)展較晚，滲透率較低。隨著半導(dǎo)體化合物的穩(wěn)定發(fā)展，第三代半導(dǎo)體具有高穿透電場(chǎng)、高導(dǎo)熱率、高電子遷移率、高操作溫度...

2023-09-19 標(biāo)簽：氮化鎵大功率器件 1.2k 0

電阻爐八英寸碳化硅制備技術(shù)探索

碳化硅襯底產(chǎn)品通過(guò)外延和核心器件企業(yè)，制成的終端產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏、軌道交通、電力電子等核心系統(tǒng)。

2023-03-29 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅高頻器件 1.2k 0

投資5000萬(wàn)元！瑞能半導(dǎo)取得中電化合物1.4663%股權(quán)

本次投資是瑞能半導(dǎo)從長(zhǎng)遠(yuǎn)戰(zhàn)略布局出發(fā)做出的投資決定，中電化合物在未來(lái)實(shí)際經(jīng)營(yíng)中可能面臨宏觀經(jīng)濟(jì)、行業(yè)政策、市場(chǎng)變化、經(jīng)營(yíng)管理等因素的不確定性風(fēng)險(xiǎn)。瑞能半...

2023-07-06 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅瑞能半導(dǎo)體 1.2k 0

GaN Systems 第四代氮化鎵平臺(tái)概述

全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺(tái) (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺...

2023-10-08 標(biāo)簽：嵌入式晶體管氮化鎵 1.2k 0

英諾賽科與ASML簽署合作協(xié)議

ASML是全球芯片制造設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)廠商，其生產(chǎn)的XT400和XT860 的i-line和KrF經(jīng)過(guò)升級(jí)，能夠在硅基晶圓上制造氮化鎵功率器件。

2021-01-22 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵光刻機(jī) 1.2k 0

納微半導(dǎo)體邀您相約PCIM Europe 2025

納微半導(dǎo)體宣布將在5月6-8日參加于德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM 2025，全面展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)、電機(jī)馬達(dá)和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用新進(jìn)展。

2025-04-27 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.2k 0

TI的600V GaN FET功率級(jí)革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能

　　基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn)，德州儀器（TI）近日宣布推出一款600V氮化鎵（GaN）70 mù場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）功率級(jí)工程樣片，從而使TI成為...

2016-05-05 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵LMG3410 1.2k 0

氮化鎵高能效藍(lán)色發(fā)光二極管？

我和同事Tomomasa Emoto乘坐新干線以300千米/小時(shí)的速度駛過(guò)日本鄉(xiāng)村，最終抵達(dá)了名古屋站。名古屋擁有著名的神道廟和城堡，但這并不是我們來(lái)這...

2017-04-18 標(biāo)簽：發(fā)光二極管氮化鎵 1.2k 0

Digi-Key宣布前三個(gè)季度新增70多家核心供應(yīng)商 目前總數(shù)已達(dá)到1200家

Sensiron 的 SGP40-D-R4 室內(nèi)空氣質(zhì)量傳感器可用于空氣凈化器或按需控制式通風(fēng)，這款傳感器僅僅是今年加入 Digi-Key 產(chǎn)品手冊(cè)的急...

2020-11-24 標(biāo)簽：氮化鎵Digi-Key空氣質(zhì)量傳感器 1.2k 0

飛宏新推出的適配器采用Transphorm的氮化鎵技術(shù)

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)今天宣布，全球電源產(chǎn)品和電動(dòng)...

2022-07-29 標(biāo)簽：適配器氮化鎵Transphorm 1.2k 0

小米55W氮化鎵充電器開(kāi)啟預(yù)約

小米11于12月28日晚正式發(fā)布，起售價(jià)3999元。在發(fā)布會(huì)上，小米還帶來(lái)了一款充電器配件。

2020-12-29 標(biāo)簽：充電器氮化鎵小米 1.2k 0

應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢(shì)？

GaN為何物？應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢(shì)？ GaN, 全名氮化鎵（Gallium Nitride），是一種半導(dǎo)體材料...

2023-11-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 1.2k 0

蘇州高新區(qū)新添三大總部項(xiàng)目，覆蓋多領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)

國(guó)微納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司專(zhuān)注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵及碳化硅外延設(shè)備的研究、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，以此一設(shè)備平臺(tái)滿(mǎn)足氮化鎵與碳化硅兩種半導(dǎo)體工藝需求。

2024-01-05 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備 1.2k 0