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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微半導(dǎo)體下一代氮化鎵功率芯片全力支持OPPO Reno7 Pro英雄聯(lián)盟手游限定版50W餅干充電器成功發(fā)布
氮化鎵是下一代功率半導(dǎo)體技術(shù),運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快20倍,和傳統(tǒng)硅充電器相比,氮化鎵充電器在一半的尺寸和重量下,能實(shí)現(xiàn)3倍功率或3倍的充電速度。
2022-01-12 標(biāo)簽:充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.3k 0
氮化鎵襯底晶圓行業(yè)發(fā)展前景分析及市場趨勢研究報告
根據(jù)Global Info Research電子及半導(dǎo)體項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)最新調(diào)研,預(yù)計2030年全球氮化鎵襯底晶圓產(chǎn)值達(dá)到305百萬美元,2024-2030年期...
英飛凌與AWL-Electricity合作,利用氮化鎵功率半導(dǎo)體優(yōu)化無線功率
10月16日,中國網(wǎng)絡(luò)空間安全協(xié)會發(fā)布了一篇題為《警惕!英特爾產(chǎn)品網(wǎng)絡(luò)安全風(fēng)險凸顯,系統(tǒng)排查刻不容緩》的文章,讀后引人深思。若文章內(nèi)容屬實(shí),底層硬件芯片...
2024-10-22 標(biāo)簽:英飛凌氮化鎵車聯(lián)網(wǎng) 1.3k 0
近日,納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能,在手機(jī)和筆記本電腦充電器、電視電源...
2024-10-17 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 1.3k 0
中瓷電子購買博威公司/國聯(lián)萬眾股權(quán)獲深交所受理
據(jù)悉,本次募集配套資金擬在支付本次重組相關(guān)費(fèi)用后投入氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目、通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目、第三代半導(dǎo)體工藝及封測...
三星啟動氮化鎵功率半導(dǎo)體代工 三星電子近期業(yè)績壓力很大,市場疲軟、存儲芯片價格的下跌使得三星電子2023年第二季度的利潤暴跌,根據(jù)三星電子公布的2023...
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù),通常稱為 GaN,是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,...
QR模式一般工作在變頻模式下,根據(jù)負(fù)載大小改變變換器的頻率。當(dāng)負(fù)載變輕時,變換器的頻率會增加,以適應(yīng)輕載條件下的高效運(yùn)行。QR模式通過檢測原邊電流和電壓...
Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達(dá)成合作
Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達(dá)成合作
彭博社采訪納微半導(dǎo)體:氮化鎵將為電動汽車節(jié)省 70%的能量
“氮化鎵功率芯片可以將電動汽車充電時間,從原來的11.3小時縮短到4.7小時。這個變化可以節(jié)省70%的能量。
2021-10-08 標(biāo)簽:電動汽車氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.3k 0
ARK(方舟微)耗盡型MOSFET產(chǎn)品在英飛凌PD快充方案的應(yīng)用
隨著USB PD 3.1協(xié)議的逐步普及,快充電源正向著更高功率密度持續(xù)演進(jìn)。USB PD 3.1標(biāo)準(zhǔn)將擴(kuò)展功率范圍(EPR)提升至最高240W(48V/...
能源為我們的生活提供動力,而生成能源以及儲存能源的技術(shù),對于可持續(xù)發(fā)展更是具有不可估量的價值。一方面通過更有效地利用、存儲和分配能源,能源被高效利用從而...
兩位IEEE Fellow授課│第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用高級研修班10月上海開班
來源:內(nèi)容來自中國電源學(xué)會01組織機(jī)構(gòu)主辦單位:中國電源學(xué)會承辦單位:中國電源學(xué)會科普工作委員會、英飛凌-上海海事大學(xué)功率器件應(yīng)用培訓(xùn)和實(shí)驗(yàn)中心、上海臨...
2024-09-04 標(biāo)簽:電力電子氮化鎵半導(dǎo)體器件 1.3k 0
雖然氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體在汽車應(yīng)用中仍處于早期階段,它正迅速進(jìn)入更高電壓領(lǐng)域。考慮到其高功率密度和效率,氮化鎵技術(shù)正逐漸在汽車工業(yè)中獲得吸引力。適用于...
報道援引韓工業(yè)部官員消息稱,韓國企業(yè)目前仍有可維持約40天左右生產(chǎn)所需的鎵庫存,而且他們能夠從美國和加拿大等中國以外的國家進(jìn)口鍺產(chǎn)品,不過當(dāng)局仍希望通過...
數(shù)據(jù)中心能耗越來越大,氮化鎵會是效救星嗎?
在AI的蓬勃發(fā)展下,數(shù)據(jù)中心對電力與運(yùn)算的需求呈正比成長,激增的用電量不僅對營運(yùn)效率造成壓力,更成為數(shù)據(jù)中心達(dá)成凈零排放目標(biāo)的阻礙。當(dāng)前數(shù)據(jù)中心所采用的...
2023-10-18 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵人工智能 1.3k 0
氮化鎵快充技術(shù)的普及,絕不僅僅是成品數(shù)量的增加而已,更重要的是,在芯片層面,氮化鎵功率器件的供應(yīng)商從最初的幾家增加到十幾家,產(chǎn)品類型多樣,主控芯片品牌超...
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步,電力電子設(shè)備的應(yīng)用越來越廣泛,而在這些設(shè)備中,電源是一個非常重要的部件。近年來,氮化鎵(GaN)材料在電源領(lǐng)域的應(yīng)用逐漸受到關(guān)注...
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