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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

納微半導(dǎo)體下一代氮化鎵功率芯片全力支持OPPO Reno7 Pro英雄聯(lián)盟手游限定版50W餅干充電器成功發(fā)布

氮化鎵是下一代功率半導(dǎo)體技術(shù),運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快20倍,和傳統(tǒng)硅充電器相比,氮化鎵充電器在一半的尺寸和重量下,能實(shí)現(xiàn)3倍功率或3倍的充電速度。

2022-01-12 標(biāo)簽:充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.3k 0

氮化鎵襯底晶圓行業(yè)發(fā)展前景分析及市場趨勢研究報告

根據(jù)Global Info Research電子及半導(dǎo)體項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)最新調(diào)研,預(yù)計2030年全球氮化鎵襯底晶圓產(chǎn)值達(dá)到305百萬美元,2024-2030年期...

2024-09-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 1.3k 0

英飛凌與AWL-Electricity合作,利用氮化鎵功率半導(dǎo)體優(yōu)化無線功率

10月16日,中國網(wǎng)絡(luò)空間安全協(xié)會發(fā)布了一篇題為《警惕!英特爾產(chǎn)品網(wǎng)絡(luò)安全風(fēng)險凸顯,系統(tǒng)排查刻不容緩》的文章,讀后引人深思。若文章內(nèi)容屬實(shí),底層硬件芯片...

2024-10-22 標(biāo)簽:英飛凌氮化鎵車聯(lián)網(wǎng) 1.3k 0

氮化鎵的好處

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GaN是一種寬禁帶材料。因此,它的帶隙(電子從價帶移動到導(dǎo)帶所需的能量)比硅寬得多:約3.4eV對1.12 eV。GaN HE MT增強(qiáng)的電子遷移率與更...

2023-10-10 標(biāo)簽:芯片氮化鎵 1.3k 0

納微半導(dǎo)體發(fā)布GaNSli氮化鎵功率芯片

近日,納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能,在手機(jī)和筆記本電腦充電器、電視電源...

2024-10-17 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 1.3k 0

中瓷電子購買博威公司/國聯(lián)萬眾股權(quán)獲深交所受理

據(jù)悉,本次募集配套資金擬在支付本次重組相關(guān)費(fèi)用后投入氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目、通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目、第三代半導(dǎo)體工藝及封測...

2023-03-06 標(biāo)簽:核心芯片氮化鎵射頻芯片 1.3k 0

三星將于2025年啟動氮化鎵功率半導(dǎo)體代工

三星啟動氮化鎵功率半導(dǎo)體代工 三星電子近期業(yè)績壓力很大,市場疲軟、存儲芯片價格的下跌使得三星電子2023年第二季度的利潤暴跌,根據(jù)三星電子公布的2023...

2023-07-11 標(biāo)簽:三星電子氮化鎵GaN 1.3k 0

氮化鎵帶來電源管理變革的3大原因

作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。   氮化鎵技術(shù),通常稱為 GaN,是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,...

2023-11-18 標(biāo)簽:電源氮化鎵GaN 1.3k 0

氮化鎵快充電源IC U8765的特征

QR模式一般工作在變頻模式下,根據(jù)負(fù)載大小改變變換器的頻率。當(dāng)負(fù)載變輕時,變換器的頻率會增加,以適應(yīng)輕載條件下的高效運(yùn)行。QR模式通過檢測原邊電流和電壓...

2025-05-26 標(biāo)簽:氮化鎵電源IC快充 1.3k 0

Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達(dá)成合作

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2023-03-01 標(biāo)簽:氮化鎵功率模塊汽車 1.3k 0

彭博社采訪納微半導(dǎo)體:氮化鎵將為電動汽車節(jié)省 70%的能量

彭博社采訪納微半導(dǎo)體:氮化鎵將為電動汽車節(jié)省 70%的能量

“氮化鎵功率芯片可以將電動汽車充電時間,從原來的11.3小時縮短到4.7小時。這個變化可以節(jié)省70%的能量。

2021-10-08 標(biāo)簽:電動汽車氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.3k 0

ARK(方舟微)耗盡型MOSFET產(chǎn)品在英飛凌PD快充方案的應(yīng)用

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隨著USB PD 3.1協(xié)議的逐步普及,快充電源正向著更高功率密度持續(xù)演進(jìn)。USB PD 3.1標(biāo)準(zhǔn)將擴(kuò)展功率范圍(EPR)提升至最高240W(48V/...

2026-03-30 標(biāo)簽:MOSFETusb氮化鎵 1.3k 0

2024德州儀器新能源技術(shù)直播回顧

能源為我們的生活提供動力,而生成能源以及儲存能源的技術(shù),對于可持續(xù)發(fā)展更是具有不可估量的價值。一方面通過更有效地利用、存儲和分配能源,能源被高效利用從而...

2024-12-30 標(biāo)簽:新能源德州儀器氮化鎵 1.3k 0

兩位IEEE Fellow授課│第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用高級研修班10月上海開班

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來源:內(nèi)容來自中國電源學(xué)會01組織機(jī)構(gòu)主辦單位:中國電源學(xué)會承辦單位:中國電源學(xué)會科普工作委員會、英飛凌-上海海事大學(xué)功率器件應(yīng)用培訓(xùn)和實(shí)驗(yàn)中心、上海臨...

2024-09-04 標(biāo)簽:電力電子氮化鎵半導(dǎo)體器件 1.3k 0

氮化鎵在低功率電動車中的應(yīng)用

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雖然氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體在汽車應(yīng)用中仍處于早期階段,它正迅速進(jìn)入更高電壓領(lǐng)域。考慮到其高功率密度和效率,氮化鎵技術(shù)正逐漸在汽車工業(yè)中獲得吸引力。適用于...

2023-11-22 標(biāo)簽:電動汽車氮化鎵GaN 1.3k 0

中國管制鎵、鍺,韓國召開緊急會議

報道援引韓工業(yè)部官員消息稱,韓國企業(yè)目前仍有可維持約40天左右生產(chǎn)所需的鎵庫存,而且他們能夠從美國和加拿大等中國以外的國家進(jìn)口鍺產(chǎn)品,不過當(dāng)局仍希望通過...

2023-07-06 標(biāo)簽:傳感器太陽能電池氮化鎵 1.3k 0

數(shù)據(jù)中心能耗越來越大,氮化鎵會是效救星嗎?

在AI的蓬勃發(fā)展下,數(shù)據(jù)中心對電力與運(yùn)算的需求呈正比成長,激增的用電量不僅對營運(yùn)效率造成壓力,更成為數(shù)據(jù)中心達(dá)成凈零排放目標(biāo)的阻礙。當(dāng)前數(shù)據(jù)中心所采用的...

2023-10-18 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵人工智能 1.3k 0

電子材料氮化鎵芯片有多大的優(yōu)勢

氮化鎵快充技術(shù)的普及,絕不僅僅是成品數(shù)量的增加而已,更重要的是,在芯片層面,氮化鎵功率器件的供應(yīng)商從最初的幾家增加到十幾家,產(chǎn)品類型多樣,主控芯片品牌超...

2023-10-12 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體氮化鎵 1.3k 0

氮化鎵推動電源解決方案

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步,電力電子設(shè)備的應(yīng)用越來越廣泛,而在這些設(shè)備中,電源是一個非常重要的部件。近年來,氮化鎵(GaN)材料在電源領(lǐng)域的應(yīng)用逐漸受到關(guān)注...

2023-10-20 標(biāo)簽:電源氮化鎵GaN 1.3k 0

滿足高功率應(yīng)用與高效電池隔離需求的解決方案

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2023-11-30 標(biāo)簽:MOSFET氮化鎵高功率 1.3k 0

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瑞薩 沁恒股份 全志 國民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯海科技 Altium
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安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變增益放大器 隔離放大器
時鐘 時鐘振蕩器 時鐘發(fā)生器 時鐘緩沖器 定時器 寄存器 實(shí)時時鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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