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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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Transphorm上季度營收320萬美元 全年銷售額1470萬美元
該公司的收入為320萬美元，前一季度為450萬美元，2022會計年度第四季度為490萬美元。運營費用為850萬美元，上季度為720萬美元，2022會計年...
2023-06-29 標(biāo)簽：氮化鎵Transphorm 1.4k 0
《巴倫周刊》專訪納微半導(dǎo)體CEO：氮化鎵功率芯片行業(yè)將開啟光明未來
納微半導(dǎo)體正在與特殊目的收購公司Live Oak Acquisition Corp. II進(jìn)行合并上市流程。
2021-08-26 標(biāo)簽：氮化鎵電動車充電器功率半導(dǎo)體 1.4k 0
專為電機驅(qū)動打造！納微全新GaNSense?氮化鎵功率芯片為家電及工業(yè)應(yīng)用帶來行業(yè)領(lǐng)先的性能、效率與可靠性
全集成保護(hù)型氮化鎵功率芯片搭配雙向無損耗電流檢測，效率提升4%、系統(tǒng)成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——...
2025-05-09 標(biāo)簽：氮化鎵 1.4k 0
意法半導(dǎo)體GaN驅(qū)動器集成電流隔離功能 具有卓越的安全性和可靠性
近日，意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)...
2023-09-12 標(biāo)簽：驅(qū)動器意法半導(dǎo)體氮化鎵 1.4k 0
◎產(chǎn)品特性: 工作頻率: 2. 0^~ 6. 0GHz 飽和輸出功率: Pout ≥50dBm 功率增益: Gain≥8. 0dB (type) ...
納微半導(dǎo)體出席小米技術(shù)demoday，共同展望氮化鎵應(yīng)用未來
全球氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體，在北京小米科技園舉辦的 2021 被投企業(yè) Demo Day 上，展示了下一代功率電源和手機快充產(chǎn)品。
工程師想要說服管理者采用GaN，就必須證明GaN的價值主張。理論參數(shù)固然重要，但決策者更看重現(xiàn)實價值。展示電路性能是設(shè)計團隊解決這一挑戰(zhàn)的方法之一。
芯干線科技出席第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇
火熱的7月，火熱的慕尼黑上海電子展(electronica China)！2024年7月8日至9日，備受矚目的"第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)...
2024-08-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體 1.4k 0
聯(lián)合電子發(fā)布CharCON 5U產(chǎn)品后，以>4.0kW/L的高功率密度獲得了越來越多客戶的認(rèn)可。針對國內(nèi)市場的特點，聯(lián)合電子持續(xù)加快創(chuàng)新步伐，深化...
在過去的幾十年中，全球SiC 和 GaN領(lǐng)域的特點是發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高以及有望實現(xiàn)數(shù)十億美元的收入。第一個商用 SiC 器件于 2001 年以德國...
國星半導(dǎo)體氮化鎵專利已申請200多篇 正積極進(jìn)行第三代半導(dǎo)體相關(guān)的技術(shù)儲備
近日，國星光電在深交所互動易平臺上回答了投資者的問題時表示，硅基AlGaN垂直結(jié)構(gòu)近紫外大功率LED外延、芯片與封裝研究及應(yīng)用”及公司參與申報的“彩色M...
近日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)與Taiwan Semiconductor Manufacturing Com...
Porotech是英國劍橋大學(xué)的子公司，正在開發(fā)基于氮化鎵(GaN)的microLED技術(shù)，用于AR微顯示器。
2024-01-10 標(biāo)簽：氮化鎵GaN可穿戴設(shè)備 1.4k 0
該發(fā)明的核心在于一種以氮化鎵薄膜為主要材料的氣體傳感器的制備與運用。其制法包括：首先，通過對襯底進(jìn)行鍍膜工藝生成非晶氮化鎵薄膜，然后將其加熱至特定溫度，...
快節(jié)奏的時代,在旅游、辦公等場景下,一款高效、便捷的充電器可以讓我們的生活更便捷、高效。今天就給大家推薦一款倍思氮化鎵充電器——Super GaN伸縮線...
充電器和適配器等快充設(shè)備，需匹配高功率密度與寬電壓輸出范圍的快充芯片。深圳銀聯(lián)寶科技推出的20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE，集成高...
納微半導(dǎo)體發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化鎵芯片，引領(lǐng)氮化鎵邁入集成新高度
高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器的戰(zhàn)略性集成， 實現(xiàn)易用、高效、可快速充電的電源系統(tǒng) 美國加利福尼亞州托倫斯，2023年3月20日訊 —— 唯一全面...
2023-03-28 標(biāo)簽：氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.4k 0
Transphorm和貿(mào)澤電子宣布達(dá)成全球分銷協(xié)議
Transphorm Inc.今天宣布，它已與貿(mào)澤電子（Mouser Electronics Inc.）簽署全球分銷協(xié)議，授權(quán)該公司在全球經(jīng)銷其最新的半...
在剛剛結(jié)束的德國慕尼黑電子展（electronica Munich）上，PI 展出了其最新的1700V InnoMux-2產(chǎn)品。這款產(chǎn)品是業(yè)界首款170...
小米11攜55W氮化鎵充電器全球上市，納微氮化鎵技術(shù)走向世界
氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體技術(shù)，其運行速度比舊的慢速硅（Si）快20倍，并且可以以三分之一的體積和重量，實現(xiàn)高達(dá)三倍的功率或充電速度。
2021-03-15 標(biāo)簽：充電器半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 1.4k 0
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