Anker “智控桌面充管家”再添雙星！鎵未來(lái)GaN賦能極簡(jiǎn)美學(xué)新視界

GaNext助力|極簡(jiǎn)桌面生活 當(dāng)桌面充電邁入“高效與美學(xué)并存”的時(shí)代，鎵未來(lái)以尖端氮化鎵技術(shù)再次引領(lǐng)革新。近日，我們攜手全球消費(fèi)電子巨頭 Anker，...

2025-06-25 標(biāo)簽：氮化鎵GaNAnker 1.4k 0

Power Integrations推出具有里程碑意義的1250V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC

ECCE 2023?– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日發(fā)布全球額定...

2023-10-31 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)IC氮化鎵 1.4k 0

納微半導(dǎo)體公布第四季度和全年未經(jīng)審計(jì)財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)

第四季度收入達(dá)2,610萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng)111%，環(huán)比增長(zhǎng)19%

2024-03-04 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)氮化鎵人工智能 1.4k 0

號(hào)稱(chēng)“氮化鎵龍頭企業(yè)”，英飛凌完成 8.3 億美元收購(gòu) GaN Systems 公司

?10 月 25 日消息，英飛凌科技于 2023 年 10 月 24 日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems），并號(hào)稱(chēng)“成為領(lǐng)先的氮化鎵龍...

2023-10-26 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵GaN 1.4k 0

德州儀器CTO：電源和數(shù)據(jù)的交融與創(chuàng)新

產(chǎn)品的尺寸和外形都在逐步縮小，而其所能實(shí)現(xiàn)的功率轉(zhuǎn)換卻越來(lái)越高。在日常生活中，人們對(duì)于功效、智能化和封裝也提出了更多的要求。目前，移動(dòng)設(shè)備的電池儲(chǔ)能容量...

2017-05-22 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵type-c 1.4k 0

高壓氮化鎵的未來(lái)，您能想象得到嗎？

你可以想象有這樣一個(gè)世界，在這個(gè)世界中，你不需要建造這么多發(fā)電廠(chǎng)，來(lái)滿(mǎn)足不斷躥升的數(shù)字需求。在這個(gè)世界中，工業(yè)、企業(yè)計(jì)算、電信和可再生能源系統(tǒng)的運(yùn)行速度...

2017-04-18 標(biāo)簽：氮化鎵GaNlmg3410 1.4k 0

Panasonic 高效GaN 電源解決方案 登陸Mouser

2016年3月29日 – 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開(kāi)始分銷(xiāo)Panasonic氮化鎵（GaN）解決方案。為滿(mǎn)足現(xiàn)代電源的...

2016-03-29 標(biāo)簽：晶體管Mouser氮化鎵 1.3k 0

Ganvix與BluGlass合作開(kāi)發(fā)基于GaN的綠光VCSEL

與此同時(shí)，總部位于澳大利亞的BluGlass正在開(kāi)發(fā)一種稱(chēng)為遠(yuǎn)程等離子體化學(xué)氣相沉積（RPCVD）的新型沉積技術(shù)，其不同于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCV...

2022-12-12 標(biāo)簽：激光器氮化鎵GaN 1.3k 0

納微半導(dǎo)體將亮相PCIM 2024，展示氮化鎵與碳化硅技術(shù)

在電力電子領(lǐng)域，納微半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù)，已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日，該公司受邀參加6月11日...

2024-05-30 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 1.3k 0

譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體媒體開(kāi)放日，現(xiàn)場(chǎng)見(jiàn)證Super IDM產(chǎn)業(yè)效率革命

譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在10月27日舉辦“媒體開(kāi)放日”活動(dòng)，就兩周前行業(yè)發(fā)布會(huì)上提出的”SuperIDM“做了現(xiàn)場(chǎng)產(chǎn)線(xiàn)展示和上下游產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)詳解。多家半導(dǎo)體行業(yè)資...

2023-10-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 1.3k 0

基于 GaN 功率器件的高功率和高功率密度電動(dòng)汽車(chē)逆變器

提高功率密度的路線(xiàn)圖從降低傳導(dǎo)動(dòng)態(tài)損耗開(kāi)始。氮化鎵甚至比碳化硅更能顯著降低動(dòng)態(tài)損耗，從而降低整體損耗。因此，這是未來(lái)實(shí)現(xiàn)高功率密度的一種方法。 第二個(gè)參...

2022-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體逆變器氮化鎵 1.3k 0

三星，入局八英寸氮化鎵代工

具體到三星方面，在今年三月，有報(bào)道指出，三星已支出約2,000億韓元（約1.54億美元），準(zhǔn)備開(kāi)始生產(chǎn)碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體，用于電源...

2023-06-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體 1.3k 0

Microchip推出新型GMICP2731-10 GaN MMIC功率放大器

GMICP2731-10器件有助于保持信號(hào)保真度，讓地面站在不影響信號(hào)質(zhì)量的情況下進(jìn)行高射頻電平的傳輸。

2021-06-22 標(biāo)簽：microchip衛(wèi)星通信氮化鎵 1.3k 0

氮化鎵應(yīng)用拓展加速，從快充跨步到數(shù)據(jù)中心

據(jù)統(tǒng)計(jì)，來(lái)自消費(fèi)電子快充的需求是整個(gè)氮化鎵市場(chǎng)主要的驅(qū)動(dòng)力，占氮化鎵器件市場(chǎng)總規(guī)模的60%。作為第三代半導(dǎo)體，氮化鎵器件得益于固有優(yōu)勢(shì)，未來(lái)會(huì)在功率領(lǐng)域...

2023-03-21 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵快充 1.3k 0