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氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

納微半導(dǎo)體誠(chéng)邀您參與 2022 年 CES ,參與特斯拉抽獎(jiǎng)

在即將召開(kāi)的 2022 年的CES上,氮化鎵 (GaN) 功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克交易代碼:NVTS)將展示其業(yè)務(wù)拓展計(jì)劃,其業(yè)務(wù)范圍將...

2021-12-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)特斯拉氮化鎵 926 0

英國(guó)為恩智浦提供200萬(wàn)英鎊氮化鎵發(fā)展資金

英國(guó)財(cái)政部秘書(shū)長(zhǎng)丹尼歷山大宣布為恩智浦(NXP)英國(guó)分公司提供200萬(wàn)英鎊,以促進(jìn)氮化鎵(GaN)器件的發(fā)展。GaN器件比傳統(tǒng)硅器件高效,因此很可能成為...

2013-06-03 標(biāo)簽:恩智浦功率器件氮化鎵 918 0

晶圓切割機(jī)技術(shù)升級(jí) 破解碳化硅/氮化鎵低損傷切割難題

晶圓切割機(jī)技術(shù)升級(jí) 破解碳化硅/氮化鎵低損傷切割難題

晶圓切割機(jī)技術(shù)升級(jí)破解碳化硅/氮化鎵低損傷切割難題碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體核心材料,憑借高擊穿電壓、高導(dǎo)熱系數(shù)、耐高溫等優(yōu)異特...

2026-02-27 標(biāo)簽:氮化鎵劃片機(jī)博捷芯 915 0

GaN Systems公司和合作伙伴應(yīng)對(duì)零排放挑戰(zhàn)

氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems 公司今天宣布,其合作伙伴的生態(tài)系統(tǒng)不斷壯大,通過(guò)加速全球可持續(xù)發(fā)展和清潔技術(shù)革命,應(yīng)對(duì)凈零...

2021-12-21 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 915 0

浮思特 | 攻克GaN材料挑戰(zhàn):實(shí)現(xiàn)性能突破的關(guān)鍵

浮思特 | 攻克GaN材料挑戰(zhàn):實(shí)現(xiàn)性能突破的關(guān)鍵

GaN技術(shù)正迎來(lái)其高光時(shí)刻——這絕非偶然。這種材料具備快速開(kāi)關(guān)、低能耗和優(yōu)異熱性能等優(yōu)勢(shì),完美契合當(dāng)今AI基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車(chē)平臺(tái)、可再生能源和工業(yè)控制等...

2025-05-27 標(biāo)簽:材料氮化鎵GaN 913 0

不知道該如何選擇氮化鎵芯片?

GaN氮化鎵比硅更適用于高頻功率器件??梢燥@著降低功率損耗和散熱負(fù)載,在體積和功率密度方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)。用于逆變器、穩(wěn)壓器、變壓器、無(wú)線(xiàn)充電等領(lǐng)域,可...

2023-10-27 標(biāo)簽:芯片控制器氮化鎵 911 0

英飛凌電子書(shū)發(fā)布 | 氮化鎵2024年預(yù)測(cè)與展望

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目前,我們正處于能源轉(zhuǎn)型期,亟需采取行動(dòng)以應(yīng)對(duì)全球變暖,確保未來(lái)的美好生活。為實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo), 我們需要重新思考發(fā)電、輸電、電力儲(chǔ)能和用電的方式。能源、經(jīng)...

2024-04-26 標(biāo)簽:英飛凌氮化鎵寬禁帶 903 0

石墨烯芯片半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),引領(lǐng)我們告別硅時(shí)代?

石墨烯芯片半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),引領(lǐng)我們告別硅時(shí)代?

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)這些材料,在特定的應(yīng)用領(lǐng)域(如高頻、高功率電子器件)中展現(xiàn)出了比硅更好的性能。而石墨烯也可以在某些特定的領(lǐng)域,提供硅難...

2024-03-18 標(biāo)簽:SiC氮化鎵石墨烯 903 0

PI新品:集成氮化鎵開(kāi)關(guān)的高效、可編程開(kāi)關(guān)IC

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Power Integrations正式推出使用有源鉗位的數(shù)字可編程反激式氮化鎵開(kāi)關(guān)IC,是適用廣泛、高效,而且尺寸極小的產(chǎn)品系列。 11月15日,作為...

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德州儀器正式投產(chǎn)氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,展現(xiàn)自有制造能力新高度

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德州儀器(TexasInstruments,TI)近期在其位于日本會(huì)津的工廠(chǎng)正式投產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,此舉標(biāo)志著該公司在GaN半...

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氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號(hào) 功率65W

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2025-04-10 標(biāo)簽:氮化鎵電源芯片 875 0

用于電氣化的下一代 GaN

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氮化鎵是未來(lái)節(jié)能電動(dòng)汽車(chē)和 5G 網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵組成部分。Hexagem是一家位于隆德大學(xué)的初創(chuàng)公司,正在瑞典研究機(jī)構(gòu)Rise 測(cè)試平臺(tái) ProNano開(kāi)發(fā)...

2022-07-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體氮化鎵 869 0

氮化鎵高電子遷移率晶體管CGH55030F1/CGH55030P1介紹

Wolfspeed的CGH55030F1/CGH55030P1是專(zhuān)門(mén)為高效率而設(shè)計(jì)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能;促...

2022-09-28 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵 855 0

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本文將討論三個(gè)貢獻(xiàn)。它將通過(guò)對(duì) N 相切換和分相切換方案進(jìn)行比較并突出它們的優(yōu)勢(shì)來(lái)初步分析它們。對(duì)于小負(fù)載,N 相方案效率更高,而分相方案適用于較重的負(fù)...

2022-07-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電感器氮化鎵 854 0

加快氮化鎵市場(chǎng)應(yīng)用滲透,現(xiàn)在行動(dòng)起來(lái)!

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我經(jīng)常感到的奇怪的是,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒(méi)人能獨(dú)善其身。每年,我們都看到市...

2017-04-18 標(biāo)簽:氮化鎵 851 0

英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本

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3月11日,英飛凌科技股份公司宣布與Worksport Ltd.(Nasdaq代碼:WKSP;WKSPW)合作,共同利用氮化鎵(GaN)降低便攜式發(fā)電站...

2024-03-25 標(biāo)簽:英飛凌氮化鎵Worksport 849 0

Transphorm與偉詮電子合作推出氮化鎵系統(tǒng)級(jí)封裝器件,支持多功率等級(jí),為客戶(hù)創(chuàng)造競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

Weltrend新參考設(shè)計(jì)表明,擁有成本優(yōu)勢(shì)的SuperGaN SiP IC,適用于65瓦和100瓦適配器 ,為客戶(hù)帶來(lái)規(guī)模經(jīng)濟(jì)以及無(wú)與倫比的氮化鎵穩(wěn)健...

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全日程更新丨2025英飛凌寬禁帶開(kāi)發(fā)者論壇向你發(fā)出邀請(qǐng)

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英飛凌全球?qū)捊麕ч_(kāi)發(fā)者論壇連續(xù)多年舉辦,匯集了來(lái)自碳化硅SiC和氮化鎵GaN領(lǐng)域的專(zhuān)家,更有一個(gè)來(lái)自中國(guó)客戶(hù)的特邀報(bào)告。2025年3月11日北京時(shí)間下午...

2025-02-27 標(biāo)簽:英飛凌氮化鎵GaN 831 0

德州儀器:更少功耗,完成更多任務(wù)

我們當(dāng)前的環(huán)境與通過(guò)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)的彼此之間的可訪(fǎng)問(wèn)性息息相關(guān)。想象一下你每天多么依賴(lài)筆記本電腦和智能手機(jī),以及通過(guò)云服務(wù)器實(shí)現(xiàn)的視頻會(huì)議應(yīng)用。這些都需要更...

2020-09-22 標(biāo)簽:德州儀器氮化鎵云服務(wù)器 814 0

高效賦能多口快充:捷捷微電助力安克160W氮化鎵智顯充電器實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)降壓

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近日,全球知名充電品牌安克創(chuàng)新推出旗艦級(jí)氮化鎵充電器——Prime智顯充Pro160W,憑借其多口智能功率分配、實(shí)時(shí)功率顯示屏與緊湊高效的氮化鎵架構(gòu),為...

2026-03-13 標(biāo)簽:充電器氮化鎵捷捷微電 810 0

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microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
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TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
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