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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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Hanebeck曾提到英飛凌準備斥資數(shù)十億歐元進行收購。整合是我們在過去幾年中觀察到的市場增長趨勢。特別是在寬帶隙半導體材料供應方面，特別是碳化硅 (SiC)。
作為電源電子工程師，有一個說法是沒有成功不基于電源設(shè)備爆炸的教訓。這在我多年調(diào)試基于硅的MOSFET的開關(guān)模式電源的經(jīng)驗中似乎是真的。正是通過嘗試、錯誤...
從去年至今，我國氧化鎵半導體制備技術(shù)已經(jīng)屢獲突破。從去年的2英寸襯底到6英寸襯底，再到最新的8英寸外延片，我國氧化鎵半導體制備技術(shù)越來越成熟。
CES 創(chuàng)新獎（CES Innovation Awards）計劃由消費技術(shù)協(xié)會（CTA）? 運營，是一項年度競賽，旨在表彰 27 個消費技術(shù)產(chǎn)品類別中...
MTC-PD65W1C-CTA1快充電源-使用MTC-650V Cascode D-GaN
GaN/氮化鎵作為第三代半導體材料經(jīng)常被用在PD快充里面；氮化鎵（GaN）擁有極高的穩(wěn)定性，將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗，提升...
GaN Systems 與上海安世博能源科技結(jié)盟 推進氮化鎵進入中國電動車應用市場
【中國上海 – 2023 年8 月3 日】 氮化鎵功率半導體全球領(lǐng)導廠商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結(jié)盟，共同致力于加速并擴...
2023-08-03 標簽：氮化鎵 773 0
功率模塊前沿技術(shù)解析：寬禁帶+高集成，引領(lǐng)電力電子新趨勢
功率模塊的技術(shù)迭代，始終圍繞“高效、高密、高可靠、智能化”核心，寬禁帶技術(shù)和高集成設(shè)計是當下最核心的發(fā)展方向。對于電子工程師來說，提前掌握前沿技術(shù)，才能...
GaN晶體管的優(yōu)點是什么？ST量產(chǎn)氮化鎵器件PowerGaN 即將推出車規(guī)器件
如今，開發(fā)電子電力器件的難度不斷飆升，如何在滿足綠色低碳和和持續(xù)發(fā)展的要求下既不斷提升效率和功率性能，同時又不斷降低成本和縮減尺寸呢？ 我們發(fā)現(xiàn)，氮化鎵...
基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導體）近日宣布與國際著名的為汽車行業(yè)提供先進電子器件的供應商 KYOCERA AVX Comp...
25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AHYLB芯片內(nèi)置Boost電路將功率開關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，...
在數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、汽車、通信電源等市場，對產(chǎn)品功率密度、能效、開關(guān)頻率、熱管理、可靠性及尺寸等都提出了更高的要求。而氮化鎵因具備寬禁帶、高頻率、低...
2023-06-29 標簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵光伏逆變器 754 0
CGD 將首次亮相中國 PCIM Asia（上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會），推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列
誠邀您于 8 月 29 至 31 日蒞臨上海新國際博覽中心參觀 2G18 展位 英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是...
來源：德州儀器 氮化鎵正取代硅，越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應用中 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導體技術(shù)來提高...
羅姆與臺積公司在車載氮化鎵功率器件領(lǐng)域建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布與Taiwan Semiconductor Manufacturing Comp...
設(shè)計人員在電動和混合動力汽車中提高能量轉(zhuǎn)換效率的重點是配備緊湊封裝和組裝的高熱可靠性電力電子模塊的設(shè)備，以減少開關(guān)損耗。
NexGen垂直GaN半導體 預計2023年第三季度全面生產(chǎn)
該公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月發(fā)布的700V 和 1200V樣品。
在當今的電力電子產(chǎn)品中，質(zhì)量和可靠性是既定的，設(shè)計重點是最大限度地提高效率和功率密度，同時最大限度地降低成本。工作頻率的急劇增加挑戰(zhàn)了當前的設(shè)計實踐，以...
快充之所以能做到體積更小、充電更快，核心秘訣在于采用了一種特殊材料——氮化鎵（GaN）。作為寬禁帶半導體的典型代表，氮化鎵的材料特性十分突出，為產(chǎn)品升級...
希望昨晚舉行的2015 APEC（國際電力電子應用會議暨展覽會）座談會能夠最終將此話題確定下來。雖然參加的人很多，但似乎也過于夸大這一話題了。多少次，我...
2017-04-18 標簽：氮化鎵 717 0
至2023整個財年，英飛凌預計營收將達到約155億歐元（±5億歐元）。如果營收為預測區(qū)間的中點，則調(diào)整后的毛利潤率預計將達到45%左右，利潤率在25%左...
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