氮化鎵是否能成為電子快充市場的佼佼者？

早在2019年，做為3C配件市場發(fā)展風(fēng)向標(biāo)的香港電子展，我們就已經(jīng)察覺到氮化鎵快充發(fā)展的迅猛勢頭：2019年4月份春節(jié)展，8款氮化鎵充電器新品參展；而到...

2023-08-23 標(biāo)簽：充電器氮化鎵GaN 1.1k 0

GaN Systems 推出第四代氮化鎵平臺(tái) 突破能源效率瓶頸 加速應(yīng)用版圖拓展

重點(diǎn)摘要 GaN Systems第四代氮化鎵平臺(tái) (Gen 4 GaN Platform) 幫助全球客戶在能源效率及尺寸微縮上突破瓶頸。 以業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)...

2023-09-28 標(biāo)簽：氮化鎵 1.1k 0

TI推出其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的車用GaN FET

德州儀器高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses表示：“工業(yè)和汽車應(yīng)用日益需要在更小的空間內(nèi)提供更多的電力，設(shè)計(jì)人員必須提供能在終端設(shè)備長久...

2020-11-11 標(biāo)簽：電源管理德州儀器場效應(yīng)晶體管 1.1k 0

氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

氮化鎵正取代硅，越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中

2023-07-08 標(biāo)簽：電源管理德州儀器氮化鎵 1k 0

碳化硅與氮化鎵器件的應(yīng)用優(yōu)勢

　　幾十年來，硅主宰了晶體管世界。但這正在改變。由兩種或三種材料組成的復(fù)合半導(dǎo)體已經(jīng)開發(fā)出來，具有獨(dú)特的優(yōu)勢和優(yōu)越的財(cái)產(chǎn)。例如，利用化合物半導(dǎo)體，開發(fā)了...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1k 0

SuperTank Pro雙十一斬獲亮眼成績！征拓100W產(chǎn)品戰(zhàn)略大獲成功

SuperTank系列接連兩款產(chǎn)品傲視群雄，亮眼成績證明，Zendure征拓有搶占高性能移動(dòng)電源市場的制勝邏輯。

2020-11-13 標(biāo)簽：充電器電池技術(shù)氮化鎵 1k 0

Power Integrations榮獲兩項(xiàng)2023年電源行業(yè)配套品牌評選大獎(jiǎng)

由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的第二屆年度電源行業(yè)配套品牌評選活動(dòng)已經(jīng)落下帷幕，經(jīng)過激烈的競爭和嚴(yán)格的評審過程，所有獎(jiǎng)項(xiàng)的評選工作現(xiàn)已完成。

2024-01-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 1k 0

新型寬帶隙材料在電力電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)優(yōu)勢——第一部分

隨著在晶體管制造中引入諸如氮化鎵 (GaN) 等新型寬帶隙材料，品質(zhì)因數(shù)的顯著改善轉(zhuǎn)化為電源的潛在改良。在這篇包括兩個(gè)部分的博客系列中，我將討論這些新型...

2017-04-18 標(biāo)簽：電源氮化鎵 1k 0

碳化硅和氮化鎵等寬帶隙半導(dǎo)體推動(dòng)汽車電氣化

碳化硅和氮化鎵等 寬帶隙 功率半導(dǎo)體可減小組件尺寸、提高效率并改善混合動(dòng)力和全電動(dòng)汽車的性能。 現(xiàn)在越來越多的汽車制造商押注于 SiC 和 GaN，芯片...

2022-07-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車氮化鎵碳化硅 1k 0

科雅X2安規(guī)電容器在氮化鎵充電器中的應(yīng)用

和樂電子是一家集生產(chǎn)、研發(fā)、銷售于一體的企業(yè)，專注于無線音頻設(shè)備的生產(chǎn)，并成功培育出核心品牌QCY，擁有先進(jìn)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)和超過3000名員工，公司實(shí)力特別強(qiáng)大。

2025-02-08 標(biāo)簽：電容器安規(guī)電容氮化鎵 1k 0

GaN：一場真正的革命

在設(shè)計(jì)基于氮化鎵的轉(zhuǎn)換器七年后，我們可以肯定地說，從硅 MOSFET 到 GaN 晶體管的轉(zhuǎn)換是一個(gè)革命性事件，其規(guī)模可與 70 年代后期的功率 MOS...

2022-08-01 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 1k 0

芯干線榮獲2025中國IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)之年度最佳功率器件/寬禁帶器件

此前，2025年3月27-28日，全球前沿的電子行業(yè)媒體機(jī)構(gòu) AspenCore，在上海金茂君悅大酒店成功舉辦了“國際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)(IIC S...

2025-03-31 標(biāo)簽：IC設(shè)計(jì)氮化鎵功率模塊 998 0

什么是氮化鎵半導(dǎo)體？GaN如何改造5G網(wǎng)絡(luò)？

GaN 通過實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的效率，在 5G 技術(shù)的發(fā)展中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。GaN 更寬的帶隙使其能夠處理高頻信號，使其成為 5G 基站...

2023-05-15 標(biāo)簽：氮化鎵5G網(wǎng)絡(luò) 991 0

納微半導(dǎo)體發(fā)布高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器方案

氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，同時(shí)還減少了提供相同性能所需的能源和物理空間。

2023-04-25 標(biāo)簽：氮化鎵系統(tǒng)控制器功率芯片 990 0

長電科技加速擴(kuò)充中大功率器件成品制造產(chǎn)能，面向第三代半導(dǎo)體市場解決方案營收有望大幅增長

新能源汽車和光伏,儲(chǔ)能設(shè)施在全球加速普及,為第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)...

2023-09-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵長電科技 986 0

回顧大佬對于氮化鎵技術(shù)的看法

GaN 提高了功率轉(zhuǎn)換級的效率，使其成為制造高效電壓轉(zhuǎn)換器中硅的可行替代品。與硅相比，GaN 具有許多優(yōu)勢，包括更高的能效、更小的尺寸、更輕的重量和更便...

2022-07-29 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵GaN 981 0