公司內(nèi)部以及合作開發(fā)的七款設(shè)計(jì)工具可以為45W至140W的 適配器帶來高性能650V氮化鎵FET的優(yōu)勢(shì) ? 加州戈利塔--(新聞稿)-- (美國(guó)商業(yè)資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換
2022-06-27 17:12:10
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，氮化鎵材料或?qū)l(fā)展成為快充行業(yè)的主流。國(guó)產(chǎn)內(nèi)的氮化鎵廠商也陸續(xù)推出了多款氮化鎵產(chǎn)品，并在芯片的功率、驅(qū)動(dòng)、封裝方面均有不小的突破。 ? 封裝工藝升級(jí)、雙面散熱的650V GaN FET ? 據(jù)介紹，氮矽科技現(xiàn)已發(fā)布多款基于氮化鎵的產(chǎn)品，同時(shí)還推出了多
2021-12-01 10:13:058153 Transphorm用于低功耗應(yīng)用的高可靠性器件能簡(jiǎn)化電源系統(tǒng)的開發(fā)，減少元件數(shù)量；是18億美元規(guī)模的適配器市場(chǎng)的成熟解決方案。 ? 加州戈利塔 -- (新聞稿)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN
2022-08-08 10:47:131199 
該器件已準(zhǔn)備就緒：為Transphorm的創(chuàng)新常關(guān)型氮化鎵平臺(tái)應(yīng)用于新一代汽車和三相電力系統(tǒng) ? 加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)
2023-06-02 13:54:07746 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款
2023-11-07 17:51:231546 
新推出器件是業(yè)界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管，擴(kuò)展Transphorm多樣化的產(chǎn)品封裝組合 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 29 日 － 代表著下一代電源系統(tǒng)未來
2023-12-01 14:11:451448 
Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布與電源解決方案制造商Salom合作，面向市場(chǎng)推出符合Quick Charge 5標(biāo)準(zhǔn)的100瓦氮化鎵電源適配器，產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于2021年
2021-08-12 10:55:49
的 MOSFET 控制器和 8 位微處理器。偉詮 WT6615F 提供的小巧封裝簡(jiǎn)化了外圍元件并且具有整體成本優(yōu)勢(shì)。偉詮 WT6615F 內(nèi)建穩(wěn)壓器，支持 3 到 30V 供電電壓范圍而不需要外置穩(wěn)壓器。內(nèi)建
2018-08-07 15:43:18
成本優(yōu)勢(shì)。偉詮 WT6615F 內(nèi)建穩(wěn)壓器，支持 3 到 30V 供電電壓范圍而不需要外置穩(wěn)壓器。內(nèi)建存儲(chǔ)器可用于編輯程序以及用戶設(shè)定資料。USB 類型 C 下行端口 （源）、USB PD 修訂版
2018-08-07 15:44:59
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2022-11-10 06:36:09
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵，并以他祖國(guó)法國(guó)的拉丁語(yǔ) Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點(diǎn)只有30
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
的選擇?！ ∩罡h(huán)?！ 榱舜蚱瞥杀竞痛笠?guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會(huì)，使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠(yuǎn)高于硅，有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積，同時(shí)優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
卻在這兩個(gè)指標(biāo)上彰顯出了卓越的性能，同時(shí)，它還具備某些附加的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。氮化鎵的原始功率密度比當(dāng)前砷化鎵和 LDMOS 技術(shù)的高很多，且支持將器件技術(shù)擴(kuò)展到高頻應(yīng)用。氮化鎵技術(shù)允許器件設(shè)計(jì)師在保持高頻率
2017-08-15 17:47:34
封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個(gè)很有前景的選擇。
生活更環(huán)保
為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會(huì)
2019-03-14 06:45:11
)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。 與LDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)已牢固確立——它可提供超過70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴(kuò)展至高頻率。同時(shí)，綜合測(cè)試
2018-08-17 09:49:42
CHA8107-QCB兩級(jí)氮化鎵（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款兩級(jí)氮化鎵（GaN）高功率
2025-12-12 09:40:25
深圳市尊信電子技術(shù)有限公司專業(yè)開發(fā)設(shè)計(jì)電子產(chǎn)品方案鈺泰，智融，賽芯微一級(jí)代理吉娜：*** 微信：mphanfan歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系，獲取datasheet、報(bào)價(jià)、樣片等更多產(chǎn)品信息氮化鎵技術(shù)的普及，使
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
趕上甚至超過了成本昂貴的硅上氮化鎵產(chǎn)品的替代技術(shù)。我們期待這項(xiàng)合作讓這些GaN創(chuàng)新在硅供應(yīng)鏈內(nèi)結(jié)出碩果，最終服務(wù)于要求最高的客戶和應(yīng)用?！币夥ò雽?dǎo)體汽車與分立器件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
，可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)化和加快產(chǎn)品開發(fā)，使其能夠輕松微調(diào)射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強(qiáng)性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢(shì)與直觀、靈活的軟件和信號(hào)控制能力相結(jié)合
2017-08-03 10:11:14
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動(dòng)電壓
2017-09-04 15:02:41
的各個(gè)電端子之間的距離縮短十倍。這樣可以實(shí)現(xiàn)更低的電阻損耗，以及電子具備更短的轉(zhuǎn)換時(shí)間?？偟膩碚f，氮化鎵器件具備更快速的開關(guān)、更低的功率損耗及更低的成本優(yōu)勢(shì)。由于氮化鎵技術(shù)在低功耗、小尺寸等方面具有獨(dú)特
2017-07-18 16:38:20
）行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。 SMPS ODM需要置身于滿足這些標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)半導(dǎo)體器件和主動(dòng)組件的供應(yīng)商網(wǎng)絡(luò)中。對(duì)于氮化鎵來說，在更關(guān)鍵的電子子系統(tǒng)之一，符合AEC標(biāo)準(zhǔn)的器件已經(jīng)存在，即電源開關(guān)器件和柵極驅(qū)動(dòng)器
2018-07-19 16:30:38
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c(diǎn)半說』經(jīng)多方專家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時(shí)
2019-07-08 04:20:32
從清華大學(xué)到鎵未來科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵未來”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
明佳達(dá)電子優(yōu)勢(shì)供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號(hào)1：NV6127絲?。篘V6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
客戶測(cè)試后再進(jìn)行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方，麥科信工程師對(duì)測(cè)試過程提供了技術(shù)支持。測(cè)試背景：3C消費(fèi)類產(chǎn)品，其電源采用氮化鎵（GaN）半橋方案。測(cè)試目的：氮化鎵半橋上下管的Vgs及Vds，分析
2023-02-01 14:52:03
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
使用更小、成本更低且更可靠的陶瓷電容器，可增加功率密度。
氮化鎵器件使得電機(jī)驅(qū)動(dòng)器在減小尺寸和重量的同時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)更平穩(wěn)的運(yùn)行。這些優(yōu)勢(shì)對(duì)于倉(cāng)儲(chǔ)和物流機(jī)器人、伺服驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)自行車和電動(dòng)滑板車、協(xié)作
2023-06-25 13:58:54
已經(jīng)在電池上采用多極耳，多條連接線來降低大電流的發(fā)熱。氮化鎵的低阻抗優(yōu)勢(shì)，可以有效的降低快充發(fā)熱。應(yīng)用在手機(jī)電池保護(hù)板上，可以支持更高的快充功率，延長(zhǎng)快充持續(xù)時(shí)間，獲得更好的快充體驗(yàn)。同時(shí)氮化鎵屬于寬禁
2023-02-21 16:13:41
攜帶都非常方便。性能方面，倍思2C1A 65W PD氮化鎵充電器擁有3個(gè)輸出口，分別是兩個(gè)USB-C PD快充輸出口和一個(gè)USB-A快充輸出口。除了接口多功率大以外，協(xié)議的支持也是重要的一環(huán)，她支持PD
2021-04-16 09:33:21
)封裝，并且能幫助電源設(shè)計(jì)人員迅速發(fā)揮這種材料的真正優(yōu)勢(shì)。為了給GaN創(chuàng)造廣闊的市場(chǎng)發(fā)展空間，TI致力于幫助客戶簡(jiǎn)化這款產(chǎn)品的使用性，并優(yōu)化其性能。我們深知，TI必須另辟蹊徑。通過將GaN FET與高性能
2018-08-30 15:05:40
前言
橙果電子是一家專業(yè)的電源適配器，快充電源和氮化鎵充電器的制造商，公司具有標(biāo)準(zhǔn)無塵生產(chǎn)車間，為客戶進(jìn)行一站式服務(wù)。充電頭網(wǎng)拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵充電器，總輸出功率為65W，單口
2023-06-16 14:05:50
，氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個(gè)器件，使得單片式電源系統(tǒng)可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進(jìn)行設(shè)計(jì)。集成功率級(jí)諸如EPC23102為設(shè)計(jì)人員提供了一個(gè)比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國(guó)際
2015-09-15 17:11:46
、設(shè)計(jì)和評(píng)估高性能氮化鎵功率芯片方面，起到了極大的貢獻(xiàn)。
應(yīng)用與技術(shù)營(yíng)銷副總裁張炬（Jason Zhang）在氮化鎵領(lǐng)域工作了 20 多年，專門從事高頻、高密度的電源設(shè)計(jì)。他創(chuàng)造了世界上最小的參考設(shè)計(jì)，被多家頭部廠商采用并投入批量生產(chǎn)。
2023-06-15 15:28:08
解決方案，累計(jì)近100家客戶選用了茂睿芯的氮化鎵解決方案。致力于為客戶提供最優(yōu)解，進(jìn)一步提高PD快充的功率密度，提高GaN系統(tǒng)可靠性，茂睿芯重磅推出33W集成氮化鎵PD方案MK2787/MK2788，集成
2021-11-12 11:53:21
工作的晶體管而言，這是一個(gè)非常重要的特性。這類器件多見于多千伏級(jí)變電站設(shè)備、醫(yī)學(xué)成像用的高能光子發(fā)生器以及電動(dòng)汽車和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功率逆變器中。在這類應(yīng)用中，氧化鎵有一個(gè)天然優(yōu)勢(shì)。在這些頻率下，優(yōu)值
2023-02-27 15:46:36
的應(yīng)用。“氮化鎵就像一個(gè)超級(jí)增壓引擎，”我們的高壓新技術(shù)開發(fā)組總監(jiān)Steve Tom說，“它使得系統(tǒng)運(yùn)行更快，動(dòng)力更加強(qiáng)勁，并且能夠處理更高的功率。它周圍的驅(qū)動(dòng)器、封裝和其它組件能夠真正地提高任何系統(tǒng)的性能
2022-11-16 07:42:26
的應(yīng)用。“氮化鎵就像一個(gè)超級(jí)增壓引擎，”我們的高壓新技術(shù)開發(fā)組總監(jiān)Steve Tom說，“它使得系統(tǒng)運(yùn)行更快，動(dòng)力更加強(qiáng)勁，并且能夠處理更高的功率。它周圍的驅(qū)動(dòng)器、封裝和其它組件能夠真正地提高任何系統(tǒng)的性能
2018-08-30 15:05:50
首批商用氮化鎵集成功率級(jí)器件
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級(jí)產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率
2010-03-06 09:44:011094 
IR推出首批商用氮化鎵集成功率級(jí)器件iP2010和iP2011
國(guó)際整流器公司(IR)推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級(jí)產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺(tái)。嶄新的i
2010-03-09 10:24:501243 
IR推出高效率氮化鎵功率器件
目前，硅功率器件主要通過封裝和改善結(jié)構(gòu)來優(yōu)化性能提升效率，不過隨著工藝技術(shù)的發(fā)展這個(gè)改善的空間已經(jīng)不大了
2010-05-10 17:50:571347 RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊。RFCM2680 是業(yè)界首款專門針對(duì)有線電視網(wǎng)絡(luò)的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時(shí)采用了氮化鎵 HEMT 和砷化鎵 pHEMT 技術(shù)，可在
2011-11-16 10:06:461607 2014年9月26日 – 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）與功率轉(zhuǎn)換專家Transphorm宣布已建立了新的合作關(guān)系，共同開發(fā)及共同推廣基于氮化鎵（GaN）的產(chǎn)品和電源系統(tǒng)方案，用于工業(yè)、計(jì)算機(jī)、電信及網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的各種高壓應(yīng)用。
2014-09-26 19:42:001351 氮化鎵技術(shù)因其在低功耗、小尺寸等特性設(shè)計(jì)上的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)和成熟規(guī)模化的生產(chǎn)能力，近年來在功率器件市場(chǎng)大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術(shù)趨勢(shì)論壇上，這個(gè)主題受到國(guó)內(nèi)媒體的集體“圍觀”。
2016-02-24 16:38:104774 氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(一)氮化鎵器件的介紹
2019-04-03 06:10:007864 
氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(四)TI氮化鎵器件在無橋PFC設(shè)計(jì)中的應(yīng)用(下)
2019-04-03 06:20:003496 
氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(三)TI氮化鎵器件在無橋PFC設(shè)計(jì)中的應(yīng)用(上)
2019-04-03 06:14:005722 
低功耗 ADC 為產(chǎn)品帶來充競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
2021-03-18 22:47:30
2 本文重點(diǎn)討論氮化鎵功率器件在陣列雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用。下面結(jié)合半導(dǎo)體的物理特性，對(duì)氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）的特點(diǎn)加以說明。
2022-04-24 16:54:336940 
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)今天宣布，全球電源產(chǎn)品和電動(dòng)汽車充電站供應(yīng)商飛宏(Phihong)新推出
2022-07-29 09:14:471102 支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)
2022-11-01 08:25:401 Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管可靠性指標(biāo) 日前，高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm， Inc. （Nasdaq： TGAN）發(fā)布了氮化鎵
2023-02-03 18:19:053013 氮化鎵功率器件是一種用于控制電子設(shè)備功率的器件，它可以提供高效率、低噪聲和高穩(wěn)定性的功率控制。它們可以用于控制電源、電池充電器、電源管理系統(tǒng)、電源調(diào)節(jié)器、電源濾波器等應(yīng)用。
2023-02-19 17:20:4811077 
本文檔介紹了D類音頻功放的典型設(shè)計(jì)，概述了氮化鎵器件在D類音頻功放中的基礎(chǔ)應(yīng)用，并簡(jiǎn)單介紹了氮化鎵器件在D類音頻功放設(shè)計(jì)中，相較于硅基器件所帶來的優(yōu)勢(shì)。
2023-04-19 10:23:466814 
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵，該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。
2023-05-26 10:10:412272 
準(zhǔn)備就緒，可將Transphorm的創(chuàng)新常關(guān)型氮化鎵平臺(tái)應(yīng)用于新一代汽車和三相電力系統(tǒng)。 這款產(chǎn)品的發(fā)布展現(xiàn)Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統(tǒng)、以及已普遍用于工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和可再生能源市場(chǎng)的三相電力系統(tǒng)。與替代技術(shù)相比，這些應(yīng)用可受益于1200伏氮化鎵器件更高的功率密度及更優(yōu)異的可靠性
2023-06-16 18:25:041016 
氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達(dá)和太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:154484 與安川電機(jī)公司合作取得的這項(xiàng)成果，充分利用了 Transphorm 常關(guān)型平臺(tái)的基本優(yōu)勢(shì)。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 8 月 24 日 － 新世代電力系統(tǒng)的未來，氮化鎵（GaN
2023-08-28 13:44:35585 
納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低
2023-09-01 14:46:041591 
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開關(guān)速度等優(yōu)勢(shì)，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:561027 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:3410640 
在當(dāng)今的高科技社會(huì)中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢(shì)在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學(xué)、規(guī)范的測(cè)試方案至關(guān)重要。
2023-10-08 15:13:231900 
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應(yīng)用。
2023-10-16 14:52:442506 使用更為先進(jìn)的 Transphorm氮化鎵器件，使突破性的太陽(yáng)能電池板系統(tǒng)外形更小、更輕，且擁有更高的性能和效率。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 － 2023 年 10 月 12 日 － 新世代電力系統(tǒng)
2023-10-16 16:34:151348 
氮化鎵功率半導(dǎo)體器件的先鋒企業(yè) Transphorm說明了如何利用其Normally-Off D-Mode平臺(tái)設(shè)計(jì)充分發(fā)揮氮化鎵晶體管的優(yōu)勢(shì)，而E-Mode設(shè)計(jì)卻必須在性能上做出妥協(xié)
2023-10-24 14:12:266429 ）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）宣布與為運(yùn)動(dòng)控制和節(jié)能系統(tǒng)提供電源及傳感半導(dǎo)體技術(shù)的全球領(lǐng)先企業(yè)Allegro MicroSystems, Inc.
2023-12-12 18:03:10880 氮化鎵功率器件的電壓限制主要是由以下幾個(gè)原因造成的。 首先，氮化鎵是一種寬能帶隙半導(dǎo)體材料，具有較高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和較高的耐壓能力。盡管氮化鎵材料具有較高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，但在制備器件時(shí)，仍然存在一定
2023-12-27 14:04:292188 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416137 偉詮電在氮化鎵（GaN）快充市場(chǎng)迎來了新的機(jī)遇，因?yàn)槿毡炯稍O(shè)備制造商（IDM）瑞薩公司近期宣布成功收購(gòu)美國(guó)GaN廠商Transphorm。這對(duì)偉詮電來說意味著未來或?qū)⑦~入瑞薩供應(yīng)鏈，進(jìn)一步加強(qiáng)其在
2024-01-16 18:43:461189 瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm宣布，雙方已達(dá)成最終收購(gòu)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價(jià)格收購(gòu)Transphorm，這一價(jià)格較Transphorm在1月10日的收盤價(jià)溢價(jià)約35%，總估值約為3.39億美元。
2024-01-17 14:15:331231 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN
2024-01-18 14:12:111332 瑞薩電子近日宣布了一項(xiàng)重大收購(gòu)，以每股5.10美元的價(jià)格收購(gòu)美國(guó)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm。這次收購(gòu)總額為3.39億美元，相當(dāng)于24.34億元人民幣。相比1月10日的收盤價(jià)，此次收購(gòu)溢價(jià)約35%。
2024-01-23 15:53:211413 （偉詮電子，TWSE：2436）今日宣布推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP 一起，組成首個(gè)基于 Transphorm SuperGaN? 平臺(tái)的系統(tǒng)級(jí)封裝
2024-04-25 10:46:561248 全球氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成電路的佼佼者偉詮電子聯(lián)合宣布，雙方已成功推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵器件（SiP）。這兩款新品與去年偉詮電子
2024-05-23 11:20:001098 的電子遷移率和較低的損耗，使其在高頻應(yīng)用方面表現(xiàn)出色。這使得氮化鎵成為制造微波器件、功率放大器以及射頻IC等高頻電子設(shè)備的理想材料。 氮化鎵在5G通信系統(tǒng)中的射頻功率放大器中有廣泛應(yīng)用，能夠顯著提高通信效率和信號(hào)質(zhì)量。 光電性能優(yōu)異
2024-09-02 11:26:114884 氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)盡顯，在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子等熱門領(lǐng)域，發(fā)揮重要的作用。
2024-10-29 16:23:151570 
引言氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)盡顯，在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心
2024-11-12 15:58:331226 
”)正式建立了戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同致力于車載氮化鎵功率器件的開發(fā)與量產(chǎn)。 此次合作，雙方將充分利用各自的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。羅姆將貢獻(xiàn)其卓越的氮化鎵器件開發(fā)技術(shù)，而臺(tái)積公司則以其行業(yè)領(lǐng)先
2024-12-10 17:24:441182 的 650V 氮化鎵 HEMT工藝推出了 EcoGaN 系列新產(chǎn)品。 ? 羅姆、臺(tái)積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系 ? 羅姆、臺(tái)積電雙方將致力于把羅姆的氮化鎵器件開發(fā)技術(shù)與臺(tái)積電業(yè)界先進(jìn)的 GaN-on-Silicon（硅基氮化鎵）工藝技術(shù)優(yōu)勢(shì)結(jié)合起來，滿足市場(chǎng)對(duì)高耐壓和高頻特性優(yōu)
2024-12-12 18:43:321573 
。 ? 蘇州鎵創(chuàng)晶合科技是一家專注于大功率氮化鎵（GaN）器件制造、應(yīng)用方案設(shè)計(jì)的高科技企業(yè)，致力于通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新，為全球客戶提供高性能、高可靠性的氮化鎵解決方案。 ? 鎵創(chuàng)晶合的氮化鎵功率器件主要聚焦在大功率領(lǐng)域。使用其母
2025-04-16 15:12:491444
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