當(dāng)今的電源設(shè)計要求高效率和
高功率密度。因此，設(shè)計人員
將氮化鎵 (GaN)
器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?/div>
2025-05-19 09:29:57
1026 
，氮化鎵材料或將發(fā)展成為快充行業(yè)的主流。國產(chǎn)內(nèi)的氮化鎵廠商也陸續(xù)推出了多款氮化鎵產(chǎn)品，并在芯片的功率、驅(qū)動、封裝方面均有不小的突破。 ? 封裝工藝升級、雙面散熱的650V GaN FET ? 據(jù)介紹，氮矽科技現(xiàn)已發(fā)布多款基于氮化鎵的產(chǎn)品，同時還推出了多
2021-12-01 10:13:058153 Transphorm用于低功耗應(yīng)用的高可靠性器件能簡化電源系統(tǒng)的開發(fā)，減少元件數(shù)量；是18億美元規(guī)模的適配器市場的成熟解決方案。 ? 加州戈利塔 -- (新聞稿)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN
2022-08-08 10:47:131199 
首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他
2023-05-10 09:24:511055 
的，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN? FET。新產(chǎn)品
2023-12-01 14:11:451448 
開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現(xiàn)更全面的開關(guān)功能。新產(chǎn)品將采用Transphorm成熟的硅襯底氮化鎵制程，該制造工藝不僅可靠性高，而且具有良好的成本效益，
2024-01-19 15:39:361261 搭載高通(Qualcomm?) Quick Charge? 5技術(shù)的通用型氮化鎵電源適配器可在5分鐘內(nèi)將智能手機的電量從0%充至50%高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商
2021-08-12 10:55:49
，“人工智能醫(yī)生”能做什么呢?
——緩解醫(yī)療人力資源緊張。在上海市第九人民醫(yī)院放射科，每天僅肺部檢查就達150件次。該醫(yī)院引入肺癌影像智能診斷系統(tǒng)后，這一人工智能技術(shù)將肺部影像診斷壓縮至秒級——在
2019-02-24 09:29:57
在未來的某個時候，人們必定能夠相對自如地運用人工智能，安全地駕車出行。這個時刻何時到來我無法預(yù)見；但我相信，彼時“智能”會顯現(xiàn)出更“切實”的意義。與此同時，通過深度學(xué)習(xí)方法，人工智能的實際應(yīng)用能夠在汽車安全系統(tǒng)的發(fā)展進步中發(fā)揮重要的作用。而這些系統(tǒng)遠(yuǎn)不止僅供典型消費者群體掌握和使用。
2019-08-06 08:42:40
?！ ≡贐AT等巨頭之外，也不乏十分出色的智能機器人廠商，運用自身技術(shù)積累在人工智能領(lǐng)域大放異彩，為這片紅海帶來新的生機。 相對于巨頭廠商不同的是，這部分智能機器人廠商的定位更加明確，產(chǎn)品功能差異化
2015-10-21 12:03:58
......無形之中，人工智能正以前所未有的發(fā)展速度滲透我們的日常生活。而作為人工智能的核心技術(shù)之一，人工智能芯片也向來備受關(guān)注。近幾年，谷歌、蘋果、微軟、Facebook、英特爾、高通、英偉達、AMD、阿里巴...
2021-07-27 07:02:46
人工智能芯片是指什么？AI芯片按照應(yīng)用場景可以分為哪幾種？
2021-10-25 07:29:05
人工智能是近三年來最受關(guān)注的核心基礎(chǔ)技術(shù)，將深刻的改造各個傳統(tǒng)行業(yè)。人工智能在圖像識別、語音識別領(lǐng)域的應(yīng)用自2017年來高速發(fā)展，是人工智能最熱點的兩項落地應(yīng)用。手把手教你設(shè)計人工智能芯片及系統(tǒng)（全
2019-09-11 11:52:08
是人工智能發(fā)展的關(guān)鍵組成部分，有助于將AI作為未來的主流。而這僅僅是個開始。AI：反映人類推理的對象根據(jù)經(jīng)典的定義，人工智能是一個相當(dāng)不引人注目的事件。在他開創(chuàng)性的1976年論文“ 人工智能：個人觀點”中
2019-05-29 10:46:39
已經(jīng)在電池上采用多極耳，多條連接線來降低大電流的發(fā)熱。氮化鎵的低阻抗優(yōu)勢，可以有效的降低快充發(fā)熱。應(yīng)用在手機電池保護板上，可以支持更高的快充功率，延長快充持續(xù)時間，獲得更好的快充體驗。同時氮化鎵屬于寬禁
2023-02-21 16:13:41
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
的選擇?！ ∩罡h(huán)保 為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會，使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
65W 雙口氮化鎵充電器可以同時對兩臺設(shè)備進行 PD 快充，支持手機 + 手機、筆記本 + 手機等不同設(shè)備搭配使用。偵測到兩臺設(shè)備同時供電需求時，智能調(diào)整輸出功率為45W + 18W，實現(xiàn)雙口同時快充
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
卻在這兩個指標(biāo)上彰顯出了卓越的性能，同時，它還具備某些附加的技術(shù)優(yōu)勢。氮化鎵的原始功率密度比當(dāng)前砷化鎵和 LDMOS 技術(shù)的高很多，且支持將器件技術(shù)擴展到高頻應(yīng)用。氮化鎵技術(shù)允許器件設(shè)計師在保持高頻率
2017-08-15 17:47:34
封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環(huán)保
為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會
2019-03-14 06:45:11
更良好的發(fā)展前景。斯利通作為一家專業(yè)的陶瓷基板生產(chǎn)廠家，將跟隨市場方向，致力于生產(chǎn)出更好的陶瓷基板。想必在未來的某一天人類終將會與各種機器人共存，人工智能也將會更好的服務(wù)我們的生活。`
2021-04-23 11:34:07
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
CHA8107-QCB兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款兩級氮化鎵（GaN）高功率
2025-12-12 09:40:25
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
，只應(yīng)用在高端充電器上。一些小功率的，高性價比的充電器無法享受到氮化鎵性能提升所帶來的紅利。目前，國內(nèi)已經(jīng)有多家廠商推出了用于33-100W大功率充電器的合封芯片，通過將氮化鎵開關(guān)管，控制器以及驅(qū)動器
2021-11-28 11:16:55
，傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開關(guān)速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵成為應(yīng)用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學(xué)教授陳敬做了全GaN功率集成技術(shù)的報告，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
：“ST的晶圓制造規(guī)模和卓越的運營能力將讓MACOM和ST能夠推動新的射頻功率應(yīng)用，在制造成本上取得的突破有助于擴大硅上氮化鎵市場份額。雖然擴大現(xiàn)有射頻應(yīng)用的機會很有吸引力，但是我們更想將硅上氮化鎵用于
2018-02-12 15:11:38
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動電壓
2017-09-04 15:02:41
人工智能技術(shù)如今已經(jīng)走進不少工廠和流水線，其幫助不少企業(yè)提升了產(chǎn)品制造效率，而使用人工智能來為產(chǎn)品質(zhì)量把關(guān)也成為一個必然趨勢。近日，日本IT大廠 NEC 推出了一個“視覺檢測（AI Visual
2019-07-29 07:07:23
，GaN-on-Si 將實現(xiàn)成本結(jié)構(gòu)和使用現(xiàn)有大直徑晶圓廠的能力，這將是一個很大的優(yōu)勢。由于硅是一種導(dǎo)電基板，因此在處理基板電位以及它與功率器件相互作用的方式方面帶來了額外的挑戰(zhàn)。第一個具有 GaN FET、GaN
2021-07-06 09:38:20
：如前所述，氮化鎵器件以射頻速度開關(guān)。比現(xiàn)有的電力電子開關(guān)速度快得多。鑒于此，具有高共模瞬變抑制（CMTI）的高速柵極驅(qū)動器對優(yōu)化Transphorm GaN FET的性能至關(guān)重要。為此，Si827x
2018-07-19 16:30:38
人工智能恐懼歷史溯源人工智能恐懼表現(xiàn)形式
2021-01-26 07:14:15
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位。『三點半說』經(jīng)多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū)，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
如今，采用人工智能的企業(yè)遇到了一個主要障礙，那就是在內(nèi)部開發(fā)人工智能產(chǎn)品成本高昂，因此有了外包人工智能產(chǎn)品的需求。而對于從中小企業(yè)到預(yù)算受限的大型企業(yè)來說，通過云計算來采用人工智能的成本要低得多。
2019-09-11 11:51:46
流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成為下一個熱點。氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
概述：NV6127是一款升級產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻更小，只有 125 毫歐，是氮化鎵功率芯片IC。型號2：AON6268絲?。?268屬性：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 - 晶體管封裝：DFN-8參數(shù)FET 類型：N 通道
2021-01-13 17:46:43
先進的人工智能技術(shù)的支持，DACOM成功地將AI科技與無線藍牙耳機相互結(jié)合，研發(fā)出一款可以全語音交互對話及出行導(dǎo)航線路規(guī)劃等一站式人工智能藍牙耳機，成為智能耳機行業(yè)中的首席官。據(jù)介紹，DACOM推出
2018-11-02 11:55:08
創(chuàng)建Kynisys平臺：我們?nèi)绾螛?gòu)建人工智能（AI）的未來？
2021-03-03 07:06:02
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
嵌入式與人工智能關(guān)系是什么？嵌入式人工智能的發(fā)展趨勢是什么？
2021-12-27 07:13:40
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
機器學(xué)習(xí)和人工智能有什么區(qū)別？當(dāng)今唯一可用的軟件選項是 ML 系統(tǒng)。在十年左右的時間里，當(dāng)計算能力和算法開發(fā)達到可以顯著影響結(jié)果的地步時，我們將見證第一個真正的人工智能。是人工智能軟件嗎？軟件構(gòu)成
2023-04-12 08:21:03
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
了當(dāng)時功率半導(dǎo)體界的一項大膽技術(shù)：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當(dāng)時新興的寬帶無線網(wǎng)絡(luò)、雷達以及電網(wǎng)功率切換應(yīng)用中的使用前景，他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
的應(yīng)用?！?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵就像一個超級增壓引擎，”我們的高壓新技術(shù)開發(fā)組總監(jiān)Steve Tom說，“它使得系統(tǒng)運行更快，動力更加強勁，并且能夠處理更高的功率。它周圍的驅(qū)動器、封裝和其它組件能夠真正地提高任何系統(tǒng)的性能
2022-11-16 07:42:26
的應(yīng)用?！?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵就像一個超級增壓引擎，”我們的高壓新技術(shù)開發(fā)組總監(jiān)Steve Tom說，“它使得系統(tǒng)運行更快，動力更加強勁，并且能夠處理更高的功率。它周圍的驅(qū)動器、封裝和其它組件能夠真正地提高任何系統(tǒng)的性能
2018-08-30 15:05:50
首批商用氮化鎵集成功率級器件
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率
2010-03-06 09:44:011094 
IR推出首批商用氮化鎵集成功率級器件iP2010和iP2011
國際整流器公司(IR)推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺。嶄新的i
2010-03-09 10:24:501243 
IR推出高效率氮化鎵功率器件
目前，硅功率器件主要通過封裝和改善結(jié)構(gòu)來優(yōu)化性能提升效率，不過隨著工藝技術(shù)的發(fā)展這個改善的空間已經(jīng)不大了
2010-05-10 17:50:571347 RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊。RFCM2680 是業(yè)界首款專門針對有線電視網(wǎng)絡(luò)的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時采用了氮化鎵 HEMT 和砷化鎵 pHEMT 技術(shù)，可在
2011-11-16 10:06:461607 氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(一)氮化鎵器件的介紹
2019-04-03 06:10:007864 
，氮化鎵材料或將發(fā)展成為快充行業(yè)的主流。國產(chǎn)內(nèi)的氮化鎵廠商也陸續(xù)推出了多款氮化鎵產(chǎn)品，并在芯片的功率、驅(qū)動、封裝方面均有不小的突破。 封裝工藝升級、雙面散熱的650V GaN FET 據(jù)介紹，氮矽科技現(xiàn)已發(fā)布多款基于氮化鎵的產(chǎn)品，同時還推出了多個可
2021-12-07 13:57:287092 
TP65H050G4WS 650V，50MΩ氮化鎵（GaN）FET是一種使用Transphorm的Gen IV的常閉器件站臺它結(jié)合了最先進的高壓氮化鎵HEMT采用低壓硅MOSFET，提供卓越的性能可靠性和性能。
2022-03-31 15:17:11
11 TP65H300G4LSG 650V，240MΩ氮化鎵（GaN）FET是一種使用Transphorm的Gen IV的常閉器件站臺它結(jié)合了最先進的高壓氮化鎵HEMT采用低壓硅MOSFET，提供卓越的性能可靠性和性能。
2022-03-31 14:55:497 TP65H480G4JSG 650V，480m? 氮化鎵（GaN）FET是一種使用Transphorm的Gen IV的常閉器件站臺它結(jié)合了最先進的高壓氮化鎵HEMT采用低壓硅MOSFET，提供卓越的性能可靠性和性能。
2022-03-31 15:02:514 本文重點討論氮化鎵功率器件在陣列雷達收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用。下面結(jié)合半導(dǎo)體的物理特性，對氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）的特點加以說明。
2022-04-24 16:54:336940 
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)今天宣布，全球電源產(chǎn)品和電動汽車充電站供應(yīng)商飛宏(Phihong)新推出
2022-07-29 09:14:471102 普通消費者，甚至對氮化鎵了解不多的工程師，普遍認(rèn)為氮化鎵只能實現(xiàn)幾十瓦到一百多瓦的輸出功率。這種情況基本屬實，因為增強型氮化鎵目前只有QFN/DFN和TOLL等貼片封裝形式，在中大功率應(yīng)用場景的散熱問題難以解決。
2022-11-25 15:41:282258 Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應(yīng)管可靠性指標(biāo) 日前，高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm， Inc. （Nasdaq： TGAN）發(fā)布了氮化鎵
2023-02-03 18:19:053013 氮化鎵功率器件是一種用于控制電子設(shè)備功率的器件，它可以提供高效率、低噪聲和高穩(wěn)定性的功率控制。它們可以用于控制電源、電池充電器、電源管理系統(tǒng)、電源調(diào)節(jié)器、電源濾波器等應(yīng)用。
2023-02-19 17:20:4811077 
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個半導(dǎo)體器件集成在一個芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:232505 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化
2023-05-30 09:03:151221 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應(yīng)用的 E-mode（增強型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:541515 氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:154484 ）功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）今日宣布，利用該公司的一項專利技術(shù)，在氮化鎵功率晶體管上實現(xiàn)了長達5微秒的短路耐受時間（SCWT）。這是
2023-08-28 13:44:35585 
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開關(guān)速度等優(yōu)勢，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:561027 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:3410640 
在當(dāng)今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學(xué)、規(guī)范的測試方案至關(guān)重要。
2023-10-08 15:13:231900 
Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）是強大的GaN功率半導(dǎo)體（下一代電力系統(tǒng)的未來）領(lǐng)域全球領(lǐng)先的企業(yè)。該公司今天推出了三款TOLL封裝的SuperGaN?FET，其導(dǎo)通電
2023-10-12 16:40:56976 Transphorm正在對三個650 V GaN FET進行采樣，典型導(dǎo)通電阻為35 mΩ、50 mΩ和72 mΩ，采用TO無引線(TOLL)封裝。根據(jù)制造商的說法，這些通常關(guān)閉的D型
2023-10-13 16:16:471265 不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應(yīng)用。
2023-10-16 14:52:442506 使用更為先進的 Transphorm氮化鎵器件，使突破性的太陽能電池板系統(tǒng)外形更小、更輕，且擁有更高的性能和效率。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 － 2023 年 10 月 12 日 － 新世代
2023-10-16 16:34:151348 
通過碳化硅 TOLL 封裝開拓人工智能計算的前沿
2023-11-23 09:04:411786 
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設(shè)備市場得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動器和氮化鎵開關(guān)管整合到一個...
2023-11-24 16:49:221796 專為大功率應(yīng)用而設(shè)計的隔離式柵極驅(qū)動器，有助于加速氮化鎵半導(dǎo)體在數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動汽車領(lǐng)域的應(yīng)用 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 12 月 7 日 – 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN
2023-12-12 18:03:10880 氮化鎵功率器件的電壓限制主要是由以下幾個原因造成的。 首先，氮化鎵是一種寬能帶隙半導(dǎo)體材料，具有較高的擊穿電場強度和較高的耐壓能力。盡管氮化鎵材料具有較高的擊穿電場強度，但在制備器件時，仍然存在一定
2023-12-27 14:04:292188 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）與適配器USB-C PD控制器集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者Weltrend Semiconductor
2024-01-03 15:17:33765 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416137 瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm宣布，雙方已達成最終收購協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Transphorm，這一價格較Transphorm在1月10日的收盤價溢價約35%，總估值約為3.39億美元。
2024-01-17 14:15:331231 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN
2024-01-18 14:12:111332 瑞薩電子近日宣布了一項重大收購，以每股5.10美元的價格收購美國氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm。這次收購總額為3.39億美元，相當(dāng)于24.34億元人民幣。相比1月10日的收盤價，此次收購溢價約35%。
2024-01-23 15:53:211413 珠海鎵未來科技有限公司是行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè)，致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
2024-04-10 18:08:092856 
（偉詮電子，TWSE：2436）今日宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP 一起，組成首個基于 Transphorm SuperGaN? 平臺的系統(tǒng)級封裝
2024-04-25 10:46:561248 全球氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成電路的佼佼者偉詮電子聯(lián)合宣布，雙方已成功推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵器件（SiP）。這兩款新品與去年偉詮電子
2024-05-23 11:20:001098 新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合業(yè)界最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，助力打造兼具超高效率與卓越
2025-06-26 17:07:332034 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論