RFMD推出氮化鎵功率倍增模塊RFCM2680

　　RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊。RFCM2680 是業(yè)界首款專門針對(duì)有線電視網(wǎng)絡(luò)的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時(shí)采用了氮化鎵 HEMT 和砷化鎵 pHEMT 技術(shù)，可在頻率 45 至 1003MHz 范圍提供高輸出能力并具有極佳的失真性能。RFCM2680 現(xiàn)已開始批量生產(chǎn)。若以購(gòu)買 10,000 件為一批，則每件售價(jià) 15.43 美元起。

　　特點(diǎn)

　　? 45 至 1003MHz 砷化鎵/氮化鎵功率倍增模塊

　　? 61dBmV 額定功率

　　? 高電流模式：在直流電壓為24V 時(shí)為 450mA

　　? 低電流模式：在直流電壓為24V 時(shí)為 350mA

　　? 最小增益：在頻率為 1GHz 時(shí)為 22.5dB

　　? 與具有外置平衡不平衡轉(zhuǎn)換器的 SOT115J 相比，大約可節(jié)約 50% 的印刷電路板面積(SOT115J的印刷電路板面積為 362 mm2，該器件為 182 mm2)

　　應(yīng)用

　　? 有線電視光節(jié)點(diǎn)

　　? 有線電視線路放大器

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功率(75065) 功率(75065)
氮化鎵(119343) 氮化鎵(119343)
RFMD(23104) RFMD(23104)
RFCM2680(5233) RFCM2680(5233)

評(píng)論

六邊形戰(zhàn)士——氮化鎵

產(chǎn)品應(yīng)用多面性氮化鎵是半導(dǎo)體領(lǐng)域后起之秀中的“六邊形戰(zhàn)士”，綜合性能全面，而射頻應(yīng)用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性能表現(xiàn)，在高頻高功率場(chǎng)景中讓傳統(tǒng)硅基、砷化鎵

2025-12-24 10:23:54

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安森美攜手格羅方德開發(fā)下一代氮化鎵功率器件

概要：安森美（onsemi ）與格羅方德（GlobalFoundries, GF）達(dá)成全新合作協(xié)議，進(jìn)一步鞏固其在智能電源產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，雙方將共同研發(fā)并制造下一代氮化鎵（GaN）功率器件

2025-12-19 20:01:51

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雙向氮化鎵應(yīng)用場(chǎng)景PFC部分云鎵云鎵半導(dǎo)體發(fā)布 2kW 雙向開關(guān) (GaN BDS) 前置升壓 APFC 評(píng)估板

雙向器件，GaN BDS 的出現(xiàn)可以大大降低元器件的成本：無(wú)需工藝調(diào)整和 MASK 變動(dòng)，通過(guò)合并漂移區(qū)和漏極及雙柵控制，即可實(shí)現(xiàn)單片集成的氮化鎵雙向器件（Monolithic Bi-Directional

2025-12-15 18:35:01

【HPMicro inside】高爆發(fā)氮化鎵關(guān)節(jié)電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案

采用3kW大功率架構(gòu)，可滿足重載啟動(dòng)、急加速等嚴(yán)苛工況需求。驅(qū)動(dòng)部分突破性選用第三代半導(dǎo)體氮化鎵器件，依托其寬禁帶材料帶來(lái)的耐高溫、高頻開關(guān)特性，在相同體積下實(shí)現(xiàn)了

2025-12-15 14:49:05

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新品 15W-T氮化鎵電源！

超小型氮化鎵模塊電源，正式上市！這不僅是一次產(chǎn)品升級(jí)，更是為高密度、高性能應(yīng)用量身打造的動(dòng)力解決方案，重新定義15W級(jí)電源的尺寸、效率與可靠性標(biāo)準(zhǔn)。一、新品首秀1

2025-12-15 11:46:02

CHA8107-QCB兩級(jí)氮化鎵（GaN）高功率放大器

CHA8107-QCB兩級(jí)氮化鎵（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款兩級(jí)氮化鎵（GaN）高功率

2025-12-12 09:40:25

“芯”品發(fā)布｜鎵未來(lái)推出“9mΩ”車規(guī)級(jí) GaN FET，打破功率氮化鎵能效天花板！

在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體性能邊界近日，鎵未來(lái)正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規(guī)級(jí)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET

2025-11-27 16:17:13

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DK075G高性能 AC-DC 氮化鎵電源管理芯片技術(shù)手冊(cè)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DK075G高性能 AC-DC 氮化鎵電源管理芯片技術(shù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載

2025-11-24 16:47:18

安森美垂直氮化鎵技術(shù)的精彩問(wèn)答

在電氣化、可再生能源和人工智能數(shù)據(jù)中心的推動(dòng)下，電力電子領(lǐng)域正經(jīng)歷一場(chǎng)變革。安森美(onsemi)憑借創(chuàng)新的垂直氮化鎵 (vGaN) 技術(shù)引領(lǐng)這一浪潮，推出的高能效系統(tǒng)重新定義了性能與可靠性的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。本文將解答關(guān)于 vGaN 的核心疑問(wèn)，并闡釋該技術(shù)對(duì)能源與電源解決方案未來(lái)發(fā)展的影響。

2025-11-20 14:57:24

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芯導(dǎo)科技功率MOSFET在綠聯(lián)速顯充160W多口氮化鎵充電器的應(yīng)用

近日，綠聯(lián)新推出了一款速顯充160W多口氮化鎵充電器，這款充電器具備4個(gè)USB-C接口和1個(gè)USB-A接口，總輸出功率為160W。機(jī)身一側(cè)設(shè)有LCD屏幕，支持總輸出功率顯示和功率分配顯示，支持充電協(xié)議顯示。機(jī)身設(shè)有觸摸按鍵，可以旋轉(zhuǎn)屏幕顯示角度和內(nèi)容，同時(shí)還支持充電器溫度顯示，使用更加安心。

2025-11-17 15:08:41

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行業(yè)突破！開關(guān)損耗直降50%，英諾賽科氮化鎵器件憑何打動(dòng)美的？

增至約30億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）高達(dá)42%，未來(lái)六年將實(shí)現(xiàn)六倍增長(zhǎng)。這種增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)主要由三大驅(qū)動(dòng)力：消費(fèi)電子電子對(duì)快充的剛需、AI數(shù)據(jù)中心對(duì)高效電源的迫切需求、新能源汽車的電氣化浪潮。在快充之外，氮化鎵功率芯片在家電領(lǐng)域的應(yīng)用點(diǎn)也出現(xiàn)突破。近日，英諾賽

2025-11-16 00:40:00

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GaN（氮化鎵）與硅基功放芯片的優(yōu)劣勢(shì)解析及常見型號(hào)

中的性能差異源于材料物理特性，具體優(yōu)劣勢(shì)如下： 1. GaN（氮化鎵）功放芯片優(yōu)勢(shì)：功率密度高：GaN 的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度（3.3 MV/cm）是硅的 10 倍以上，相同面積下可承受更高電壓（600V+）和電流，功率密度可達(dá)硅基的 3-5 倍（如 100W 功率下，GaN 芯片體積僅為硅基的 1/3）。高

2025-11-14 11:23:57

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請(qǐng)問(wèn)芯源的MOS管也是用的氮化鎵技術(shù)嘛？

現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛？

2025-11-14 07:25:48

東科合封氮化鎵芯片DK8710BD助力華碩100W快充實(shí)現(xiàn)高效輸出

前言消費(fèi)者在選購(gòu)第三方充電器時(shí)都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器，而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費(fèi)者的痛點(diǎn)。華碩旗下a豆品牌推出了一款100W氮化鎵充電器

2025-11-13 10:27:08

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新品 | 第五代CoolGaN? 650-700V氮化鎵功率晶體管G5

新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，能夠打造具有超高效率的高可靠性設(shè)計(jì)。該系

2025-11-03 18:18:05

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安森美推出垂直氮化鎵功率半導(dǎo)體

隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車以及其他高能耗應(yīng)用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體，為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、能效和耐用性樹立新標(biāo)桿。這些突破性的新一代

2025-10-31 13:56:16

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高功率密度65W氮化鎵快充方案：仁懋MOS 1145G開啟快充新紀(jì)元

在快充技術(shù)飛速發(fā)展的今天，65W功率檔位已成為市場(chǎng)主流，而氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn)，正在重新定義充電器的尺寸與效能邊界。仁懋電子推出的MOT1145GMOSFET，以其卓越性能為65W氮化鎵快充方案注入

2025-10-15 17:41:29

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氮化鎵（GaN）黑科技來(lái)襲！你的電源該“瘦身”了

氮化鎵行業(yè)資訊

電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2025-10-11 16:57:30

羅姆亮相 2025 PCIM 碳化硅氮化鎵及硅基器件引領(lǐng)功率半導(dǎo)體創(chuàng)新

、EcoGaN?氮化鎵系列、硅基功率器件（含二極管、MOSFET、IGBT）以及豐富的應(yīng)用案例，憑借卓越的技術(shù)參數(shù)、創(chuàng)新的封裝設(shè)計(jì)和廣泛的應(yīng)用適配能力，引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。電子發(fā)燒友網(wǎng)作為受邀行業(yè)媒體，現(xiàn)場(chǎng)參觀走訪ROHM的展臺(tái)，與技術(shù)人員深入交流。以下是記者了解的展示產(chǎn)品梳理。碳化硅（SiC）模塊

2025-09-29 14:35:18

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散熱降低一半，功率密度翻番！氮化鎵如何讓機(jī)器人“冷靜”地爆發(fā)？

氮化鎵關(guān)節(jié)電機(jī)方案，融合24bit高精度磁編碼器、帶EtherCAT通信的MCU和氮化鎵技術(shù)，重塑機(jī)器人關(guān)節(jié)性能！ 01 超高精度，動(dòng)作絲滑如真人 24bit磁編碼器，分辨率比傳統(tǒng)的16bit提升了8倍（24bit產(chǎn)品是實(shí)際有效位16bit+8bit的校驗(yàn)位，比平常的16bi

2025-09-18 14:38:51

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1 GHz 功率倍增器混合放大器 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()1 GHz 功率倍增器混合放大器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有1 GHz 功率倍增器混合放大器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，1 GHz 功率倍增器混合放大器真值表，1 GHz 功率倍增器混合放大器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。

2025-09-12 18:31:06

1218 MHz CATV MMIC 功率倍增器 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()1218 MHz CATV MMIC 功率倍增器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有1218 MHz CATV MMIC 功率倍增器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料

2025-08-29 18:31:54

36W副邊氮化鎵應(yīng)用方案概述

氮化鎵電源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。

2025-08-26 10:24:43

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氮化鎵電源芯片U8727AHE的特性

氮化鎵電源芯片U8727AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值6.4V)。

2025-08-25 17:41:15

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京東方華燦淺談氮化鎵材料與技術(shù)發(fā)展

近日，應(yīng)充電頭網(wǎng)邀請(qǐng)，在行業(yè)目光聚焦之際，京東方華燦多位專家圍繞氮化鎵材料與技術(shù)展開深度分享，為行業(yè)發(fā)展勾勒清晰且充滿希望的藍(lán)圖。其中，京東方華燦副總裁、首席技術(shù)官王江波博士值此世界氮化鎵日之際，發(fā)表了他對(duì)氮化鎵材料發(fā)展的寄語(yǔ)。

2025-08-14 15:31:22

3001

淺談氮化鎵器件的制造難點(diǎn)

制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要?dú)w因于材料本身以及制造工藝中的多項(xiàng)挑戰(zhàn)。

2025-07-25 16:30:44

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Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成在

2025-07-25 14:56:46

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ACM8816 300W大功率單聲道數(shù)字功放IC、國(guó)內(nèi)首款氮化鎵音頻功率放大器

深圳市永阜康科技有限公司現(xiàn)在大力推廣國(guó)內(nèi)首款氮化鎵D類音頻功放芯片-ACM8816, 集成了7mΩ Rdson GaN氮化鎵，48V供電時(shí)，驅(qū)動(dòng)到4Ω可以在10%THD+N內(nèi)輸出1×340W的功率，QFN-48貼片封裝，不需要外接散熱器輔助散熱。

2025-07-21 15:05:10

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氮化鎵快充芯片U8725AHE的工作原理

氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個(gè)頭更小，重量也更輕。且能把電能轉(zhuǎn)換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流氮化鎵快充芯片——U8725AHE，可實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗！

2025-07-18 16:08:41

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瑞薩電子推出650伏氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，推動(dòng)高效電源轉(zhuǎn)換技術(shù)

在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷進(jìn)步的背景下，瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)，專注于滿足數(shù)據(jù)中心、工業(yè)以及電動(dòng)交通應(yīng)用對(duì)高效能和高密度

2025-07-14 10:17:38

3206

氧化鎵功率器件動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試方案

在氮化鎵和碳化硅之后，氧化鎵(Ga?O?)正以超高擊穿電壓與低成本潛力，推動(dòng)超寬禁帶功率器件進(jìn)入大規(guī)模落地階段。

2025-07-11 09:12:48

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氮化鎵電源芯片U8722BAS的特性

炎熱的夏天，總是需要一些沖散酷暑的小電器，給生活制造驚喜?？蛻糇罱鼰豳u的制冷杯，被稱為夏日“行走的小冰箱”，受到了許多上班族和戶外一族的喜愛，充電部分采用的正是我們深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的氮化鎵電源芯片。今天就帶你一起看看氮化鎵電源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧！

2025-07-05 15:25:00

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TOLL和DFN封裝CoolGaN? 650V G5第五代氮化鎵功率晶體管

新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合業(yè)界最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，助力打造兼具超高效率與卓越

2025-06-26 17:07:33

2034

PD 40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W

，替換的步驟和成本將高許多。如果產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度較快，在選型時(shí)就要考慮芯片的可升級(jí)性，為以后的長(zhǎng)遠(yuǎn)效益做打算。深圳銀聯(lián)寶科技新推出的PD40W氮化鎵快充電源方案

2025-06-26 16:11:11

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CGH21120F大功率寬帶氮化鎵

CGH21120F是一種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)，專為高效率而設(shè)計(jì)；高增益和寬帶寬能力；這使得CGH21120F非常適合1.8–2.3-GHz WCDMA和LTE放大器應(yīng)用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。

2025-06-17 15:34:20

25W氮化鎵電源芯片方案介紹

同一套電源芯片方案，可直接應(yīng)用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節(jié)省成本，更是大大縮短了開發(fā)時(shí)間，使項(xiàng)目收益最大化。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B，輸出可選5V、9V、12V，注重空間布局和兼容性問(wèn)題，通過(guò)了認(rèn)證測(cè)試，低耗高效，值得推薦！

2025-06-16 15:40:17

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Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的頻率范圍內(nèi)提供43dBm (20W) 的功率和高于43%的功率附加效率

2025-06-15 16:01:00

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氮化鎵器件在高頻應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)

氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率，主要?dú)w功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。

2025-06-13 14:25:18

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氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實(shí)現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化

氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實(shí)現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化打嗝模式本質(zhì)為電源保護(hù)機(jī)制（如短路保護(hù)），優(yōu)化需在保障可靠性的前提下進(jìn)行。高頻噪聲問(wèn)題需協(xié)同芯片設(shè)計(jì)、封裝工藝及PCB布局綜合解決。氮化鎵

2025-06-12 15:46:16

962

如何在開關(guān)模式電源中運(yùn)用氮化鎵技術(shù)

摘要本文闡釋了在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關(guān)所涉及的獨(dú)特考量因素和面臨的挑戰(zhàn)。文中提出了一種以專用GaN驅(qū)動(dòng)器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩(wěn)固可靠的設(shè)計(jì)。此外，本文還建議將

2025-06-11 10:07:24

45W單壓?jiǎn)蜟氮化鎵電源方案概述

45W單壓?jiǎn)蜟氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來(lái)自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯(lián)寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！

2025-06-04 16:56:20

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納微半導(dǎo)體雙向氮化鎵開關(guān)深度解析

前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。

2025-06-03 09:57:50

2380

氮化鎵快充芯片U8733L的特征

恒功率控制方式通過(guò)精確的控制策略和先進(jìn)的電子技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了在各種工況下輸出功率的恒定。其基本原理是通過(guò)調(diào)節(jié)系統(tǒng)的輸入或輸出參數(shù)（如電壓、電流等），使得系統(tǒng)在負(fù)載變化時(shí)能夠維持輸出功率不變。銀聯(lián)寶氮化鎵

2025-05-29 16:53:04

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氮化鎵GaN快充芯片U8732的特點(diǎn)

氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對(duì)比，性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議，如PD、QC等，能夠智能識(shí)別設(shè)備所需的充電功率，實(shí)現(xiàn)快速充電。無(wú)論是蘋果手機(jī)、安卓手機(jī)，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵

2025-05-23 14:21:36

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全電壓！PD 20W氮化鎵電源方案認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B

電源方案全電壓認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B方案來(lái)咯！主控氮化鎵電源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片

2025-05-22 15:41:26

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從清華大學(xué)到鎵未來(lái)科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！

從清華大學(xué)到鎵未來(lái)科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來(lái)，珠海市鎵未來(lái)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵未來(lái)”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品

2025-05-19 10:16:02

12V2A/3A氮化鎵電源芯片方案

深圳銀聯(lián)寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標(biāo)共板，方案成熟，性能可靠，可滿足更高性能要求、更低成本需求！

2025-05-13 16:28:04

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浩思動(dòng)力推Gemini微型增程器，首搭氮化鎵模塊引關(guān)注

行業(yè)技術(shù)新高度。Gemini微型增程器采用水平對(duì)置雙缸四沖程發(fā)動(dòng)機(jī)與P1永磁同步電機(jī)相結(jié)合,并首發(fā)搭載自研“冰刃”系列氮化鎵(GaN)功率模塊,是全球首款應(yīng)用氮化鎵功

2025-05-13 09:36:34

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氮化鎵PD快充芯片U8733產(chǎn)品概述

芯片?恒功率控制，意味著無(wú)論負(fù)載變化如何，系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率，確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行。當(dāng)檢測(cè)到系統(tǒng)溫度過(guò)高時(shí)，主動(dòng)降功率功能會(huì)啟動(dòng)，以降低系統(tǒng)溫度，防止過(guò)熱。深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主動(dòng)降功率控制功能，一起來(lái)看看！

2025-05-10 14:22:16

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PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案概述

深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協(xié)議338E。輸入規(guī)格：180V-264V 50Hz，輸出規(guī)格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。

2025-05-09 16:46:49

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專為電機(jī)驅(qū)動(dòng)打造！納微全新GaNSense?氮化鎵功率芯片為家電及工業(yè)應(yīng)用帶來(lái)行業(yè)領(lǐng)先的性能、效率與可靠性

全集成保護(hù)型氮化鎵功率芯片搭配雙向無(wú)損耗電流檢測(cè)，效率提升4%、系統(tǒng)成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——納微半導(dǎo)體今日正式宣布推出全新專為電機(jī)驅(qū)動(dòng)

2025-05-09 13:58:18

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65W全壓氮化鎵快充芯片U8766介紹

在65W氮化鎵快充設(shè)計(jì)中，輸入欠壓保護(hù)與過(guò)壓保護(hù)協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動(dòng)時(shí)仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導(dǎo)致次級(jí)電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(hù)(BOP)，采用ESOP-10W封裝！

2025-05-08 16:30:14

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基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動(dòng)器

對(duì)于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言，優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)尤為重要。此類轉(zhuǎn)換器的快速開關(guān)需仔細(xì)考量寄生參數(shù)、過(guò)沖/欠沖現(xiàn)象以及功率損耗最小化問(wèn)題，而驅(qū)動(dòng)電路在這些方面都起著

2025-05-08 11:08:40

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氮化鎵電源IC U8723AHS產(chǎn)品介紹

恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過(guò)載保護(hù)等特性，適用于一些功率要求嚴(yán)格的應(yīng)用場(chǎng)景，如充電器、LED驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源IC U8723AHS，不僅可以提高電路的穩(wěn)定性和可靠性，同時(shí)也可以提高能源利用效率，使優(yōu)勢(shì)發(fā)揮到最大！

2025-05-07 17:58:32

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氮化鎵快充芯片U8608的保護(hù)機(jī)制

深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護(hù)機(jī)制，通過(guò)集成多維度安全防護(hù)，防止設(shè)備出現(xiàn)過(guò)充電、過(guò)放電、過(guò)電流等問(wèn)題?，在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安全屏障，今天具體分析一下！

2025-04-29 18:17:54

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氮化鎵電源IC U8765產(chǎn)品概述

氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢(shì)，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！

2025-04-29 18:12:02

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氮化鎵電源芯片U8726AHE產(chǎn)品介紹

EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。

2025-04-28 16:07:21

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25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH

25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AHYLB芯片內(nèi)置Boost電路將功率開關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動(dòng)電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳

2025-04-24 16:20:38

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聯(lián)合電子推出超級(jí)氮化鎵車載充電機(jī)

聯(lián)合電子發(fā)布CharCON 5U產(chǎn)品后，以>4.0kW/L的高功率密度獲得了越來(lái)越多客戶的認(rèn)可。針對(duì)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的特點(diǎn)，聯(lián)合電子持續(xù)加快創(chuàng)新步伐，深化技術(shù)布局，再推革命性產(chǎn)品——CharCON HyperGaN（超級(jí)氮化鎵車載充電機(jī)）。

2025-04-24 14:30:26

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氮化鎵快充芯片U8766產(chǎn)品介紹

700V/165mΩ HV高壓?jiǎn)?dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機(jī)型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。

2025-04-23 17:00:17

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直擊AI服務(wù)器電源痛點(diǎn)！英諾賽科4.2KW氮化鎵方案在2025慕展驚艷登場(chǎng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/章鷹）4月15日到17日，在慕尼黑上海電子展上，功率器件大廠英諾賽科帶來(lái)了數(shù)字能源、消費(fèi)電子、汽車電子、機(jī)器人領(lǐng)域最新的氮化鎵器件方案。圖：英諾賽科展臺(tái)新品和氮化鎵晶圓電子

2025-04-21 09:10:42

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納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過(guò)車規(guī)認(rèn)證

? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達(dá)到電動(dòng)汽車所需的量產(chǎn)表現(xiàn)，可為車載充電機(jī)（OBC）和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效率表現(xiàn) 加利福尼亞州托倫斯 2025年4月15

2025-04-17 15:09:26

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鎵創(chuàng)晶合：從GaN材料到器件研發(fā)，打造三大應(yīng)用競(jìng)爭(zhēng)力

氮化鎵的應(yīng)用已經(jīng)從消費(fèi)電子的快充向工業(yè)級(jí)功率領(lǐng)域滲透，這給了國(guó)內(nèi)廠商非常大的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。在2025CITE電子展上，鎵創(chuàng)晶合董事長(zhǎng)助理趙陽(yáng)接受媒體采訪，分享公司氮化鎵產(chǎn)品和市場(chǎng)近況以及行業(yè)趨勢(shì)等話題

2025-04-16 15:12:49

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氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號(hào) 功率65W

氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號(hào)功率65WYINLIANBAO深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U8722FE，推薦最大輸出功率65W，集成MOS

2025-04-10 16:30:58

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ZS826GaN+ZS7606C 高性價(jià)比氮化鎵DMOSGaN 20WPD快充方案推薦+測(cè)試報(bào)告

氮化鎵20WPD快充方案

2025-04-10 11:06:04

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氮化鎵快充芯片U8732產(chǎn)品介紹

防止過(guò)熱。這種功能可以與OTP協(xié)同工作，提供雙重保護(hù)。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8732外置OTP自帶降功率，單高壓30W，一起了解下！

2025-04-02 17:52:32

781

330W氮化鎵方案，可過(guò)EMC

氮化鎵

深圳市三佛科技發(fā)布于 2025-04-01 11:31:39

CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過(guò)EMC

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過(guò)EMC,原裝現(xiàn)貨 CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關(guān)器件

2025-03-31 14:26:10

氮化鎵快充芯片U8766的主要特點(diǎn)

深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時(shí)通過(guò)?同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無(wú)PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動(dòng)和工作電流，可實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗，勢(shì)如破竹！?

2025-03-20 17:41:40

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GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案

2025-03-13 18:06:00

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氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

2025-03-13 16:33:05

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納微半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化鎵功率芯片

唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）今日重磅發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)650V雙向GaNFast氮化鎵

2025-03-13 15:49:39

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京東方華燦光電氮化鎵器件的最新進(jìn)展

日前，京東方華燦的氮化鎵研發(fā)總監(jiān)馬歡應(yīng)半導(dǎo)體在線邀請(qǐng)，分享了關(guān)于氮化鎵器件的最新進(jìn)展，引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注。隨著全球半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ω咝阅堋⒏咝势骷男枨蟛粩嗉哟螅?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵（GaN）技術(shù)逐漸成為新一代電子器件的熱點(diǎn)，其優(yōu)越的性能使其在電源轉(zhuǎn)換和射頻應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。

2025-03-13 11:44:26

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氮化鎵（GaN）功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用: 優(yōu)勢(shì)、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計(jì)考量

介紹了氮化鎵（GaN）功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用，對(duì)比傳統(tǒng)硅基解決方案，闡述了其優(yōu)勢(shì)、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計(jì)考量及結(jié)論。 *附件

2025-03-12 18:47:17

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氮化鎵技術(shù)推動(dòng)電動(dòng)汽車電源設(shè)計(jì)革新！

電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)師致力于通過(guò)提升功率、縮小系統(tǒng)尺寸并減少散熱需求，使電動(dòng)汽車更輕量化、自動(dòng)化，并配備更小電池。借助氮化鎵(GaN)汽車級(jí)功率器件在功率轉(zhuǎn)換、高頻開關(guān)和熱管理領(lǐng)域的突破性進(jìn)展，電動(dòng)汽車的能

2025-03-03 11:41:56

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氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載

氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場(chǎng)景 ?：并聯(lián)開關(guān)管廣泛應(yīng)用于大功率場(chǎng)合，如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等

2025-02-27 18:26:31

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氮化鎵（GaN）充電頭安規(guī)問(wèn)題及解決方案

什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率

2025-02-27 07:20:33

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氮化硼散熱材料大幅度提升氮化鎵快充效能

2025-02-26 04:26:49

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40W ACDC系列氮化鎵電源模塊 HLK-40Mxx系列

，采用氮化鎵材料，體積小巧，僅為57.5*33.5*23.8mm，極大程度的節(jié)省了設(shè)計(jì)空間。該系列電源模塊共有4款，輸出功率40W，輸出電壓分別為9V、12V、1

2025-02-24 12:02:32

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混合式氮化鎵VCSEL的研究

在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團(tuán)隊(duì)優(yōu)化制程達(dá)到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化鎵?VCSEL，此元件是以磊晶成長(zhǎng)?AlN/GaN DBR?以及?InGaN MQW?發(fā)光層再搭配

2025-02-19 14:20:43

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垂直氮化鎵器件的最新進(jìn)展和可靠性挑戰(zhàn)

過(guò)去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時(shí)，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤，這引發(fā)大家對(duì)垂直氮化鎵未來(lái)的擔(dān)憂。為此，在本文中，我們先對(duì)氮化鎵未來(lái)的發(fā)展進(jìn)行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開發(fā)的最新進(jìn)展以及相關(guān)的可靠性挑戰(zhàn)。

2025-02-17 14:27:36

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氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz

氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz氮化鎵電源芯片U8733集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過(guò)控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。外置溫度檢測(cè)

2025-02-13 16:22:26

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GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載

2025-02-13 16:10:22

GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載

2025-02-13 14:24:19

GANE3R9-150QBA氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GANE3R9-150QBA氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載

2025-02-12 08:30:51

聞泰科技深耕氮化鎵推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)

隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心、汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展，第三代半導(dǎo)體——氮化鎵（GaN）正迎來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇。聞泰科技已布局GaN領(lǐng)域多年，憑借卓越的創(chuàng)新能力不斷推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，創(chuàng)造新的價(jià)值增量。

2025-02-10 17:15:04

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GANB4R8-040CBA雙向氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GANB4R8-040CBA雙向氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載

2025-02-10 16:22:37

氮化鎵電源芯片方案介紹

氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少

2025-02-07 16:01:02

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深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵芯片2025年持續(xù)發(fā)力

深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵芯片2025年持續(xù)發(fā)力氮化鎵芯片YLB銀聯(lián)寶/YINLIANBAO無(wú)線通信領(lǐng)域，設(shè)備往往需要在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的信號(hào)傳輸功能，氮化鎵芯片就能憑借這一特性，滿足其功率需求的同時(shí)

2025-02-07 15:40:21

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納微半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈

近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。

2025-02-07 13:35:08

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為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件？

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件

2025-01-23 16:27:43

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測(cè)量探頭的 “溫漂” 問(wèn)題，都是怎么產(chǎn)生的，以及對(duì)于氮化鎵襯底厚度測(cè)量的影響

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅(qū)動(dòng)著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測(cè)量的精準(zhǔn)度卻時(shí)刻面臨著一個(gè)來(lái)自暗處的挑戰(zhàn)

2025-01-22 09:43:37

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測(cè)量探頭的 “溫漂” 問(wèn)題，對(duì)于氮化鎵襯底厚度測(cè)量的實(shí)際影響

在半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而，氮化鎵襯底厚度測(cè)量的準(zhǔn)確性卻常常受到一個(gè)隱匿 “敵手” 的威脅

2025-01-20 09:36:50

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不同的氮化鎵襯底的吸附方案，對(duì)測(cè)量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響

在當(dāng)今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能，在眾多高端芯片制造領(lǐng)域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應(yīng)用天地。然而，要想充分發(fā)揮

2025-01-17 09:27:36

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氮化鎵襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對(duì)于測(cè)量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響

在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優(yōu)異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應(yīng)用場(chǎng)景中嶄露頭角，成為推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。而對(duì)于氮化鎵襯底而言，其

2025-01-16 14:33:34

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氮化鎵充電器和普通充電器有啥區(qū)別？

的代替材料就更加迫切。氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠(yuǎn)高于硅，有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積，同時(shí)優(yōu)秀

2025-01-15 16:41:14

氮化鎵電源芯片和同步整流芯片介紹

氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統(tǒng)中猶如一對(duì)默契的搭檔，通過(guò)緊密配合，顯著提升電源效率。在開關(guān)電源的工作過(guò)程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開關(guān)速度和高頻率的開關(guān)能力，能夠迅速地切換電路狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)

2025-01-15 16:08:50

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