探索AEAT - 9933：10位至14位可編程角磁編碼器IC的卓越性能與應(yīng)用 在電子工程領(lǐng)域，編碼器作為獲取精確角度和位置信息的關(guān)鍵組件，其性能和功能直接影響著眾多應(yīng)用系統(tǒng)的穩(wěn)定性和精度。今天
2025-12-30 14:25:13
111 SLG47525/28：高性能可編程混合信號(hào)矩陣的深度剖析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，尋求小型化、低功耗且功能強(qiáng)大的組件是永恒的追求。Renesas的SLG47525/28可編程混合信號(hào)矩陣就是這樣一款
2025-12-26 18:15:02928 YXC同通過(guò)自主研發(fā)陸續(xù)推出：可編程普通振蕩器YSO690PR系列；可編程差分振蕩器YSO210PR、YSO212PU系列；可編程壓控振蕩器YSV310PR系列；可編程壓控差分振蕩器YSV220PR系列。
2025-12-25 15:38:13181 
產(chǎn)品應(yīng)用多面性氮化鎵是半導(dǎo)體領(lǐng)域后起之秀中的“六邊形戰(zhàn)士”，綜合性能全面，而射頻應(yīng)用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性能表現(xiàn)，在高頻高功率場(chǎng)景中讓傳統(tǒng)硅基、砷化鎵
2025-12-24 10:23:54735 
雙向器件，GaN BDS 的出現(xiàn)可以大大降低元器件的成本：無(wú)需工藝調(diào)整和 MASK 變動(dòng)，通過(guò)合并漂移區(qū)和漏極及雙柵控制，即可實(shí)現(xiàn)單片集成的氮化鎵雙向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
超小型氮化鎵模塊電源，正式上市！這不僅是一次產(chǎn)品升級(jí)，更是為高密度、高性能應(yīng)用量身打造的動(dòng)力解決方案，重新定義15W級(jí)電源的尺寸、效率與可靠性標(biāo)準(zhǔn)。一、新品首秀1
2025-12-15 11:46:0298 
12月2日-5日，2025年國(guó)際現(xiàn)場(chǎng)可編程技術(shù)大會(huì)（FPT）在上海成功舉辦，京微齊力應(yīng)邀參加此次行業(yè)盛會(huì)，與全球領(lǐng)先的行業(yè)專(zhuān)家學(xué)者，共同探討可編程技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展。
2025-12-10 15:00:16365 
LZC7200C 系列芯片是一款高性能、高集成度、可編程智能充電管理芯片。 LZC7200C 集成了高精度的恒流(CC)和恒壓(CV)環(huán)路，可實(shí)現(xiàn)恒流、涓流、恒壓等多種充電曲線(xiàn)，作為一款可編程智能
2025-12-08 10:22:17
、40ns延遲）、高度的集成度（內(nèi)置可編程死區(qū)）和可靠的系統(tǒng)保護(hù)（5kVRMS隔離、100kV/μs CMTI、UVLO），為現(xiàn)代高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)提供了優(yōu)秀的隔離驅(qū)動(dòng)解決方案。無(wú)論是面向工業(yè)電源、新能源
2025-11-29 10:25:39
30W氮化鎵全電壓認(rèn)證方案1.方案介紹及產(chǎn)品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW
2025-11-28 17:18:042048 
。SiLM8260ABCS-DG的獨(dú)特之處在于其雙通道死區(qū)可編程功能，用戶(hù)可以通過(guò)外部配置靈活調(diào)整死區(qū)時(shí)間，優(yōu)化開(kāi)關(guān)器件的動(dòng)態(tài)性能。此外，芯片還集成了米勒鉗位功能，有效防止功率管因米勒效應(yīng)導(dǎo)致的誤開(kāi)啟，進(jìn)一步提升
2025-11-28 08:14:38
技術(shù)先鋒，再啟新程！思爾芯將亮相12月2日至5日的2025年國(guó)際現(xiàn)場(chǎng)可編程技術(shù)大會(huì)（FPT），與全球頂尖專(zhuān)家學(xué)者及行業(yè)伙伴，共同探索可編程技術(shù)的前沿發(fā)展與應(yīng)用創(chuàng)新。FPT是亞太地區(qū)最具影響力的現(xiàn)場(chǎng)
2025-11-25 09:57:50471 
TX810為多種超聲應(yīng)用提供了集成解決方案。它是一款8通道、可編程電流的發(fā)送/接收開(kāi)關(guān)，采用6毫米×6毫米小型封裝。
內(nèi)部二極管在高壓發(fā)射信號(hào)施加輸入時(shí)限制輸出電壓。而TX810在接收模式下的插入損耗會(huì)被最小化。
2025-11-20 15:00:49377 
賽卓電子新品 SC245X 高可靠可編程霍爾開(kāi)關(guān)產(chǎn)品系列是基于60V高耐壓設(shè)計(jì)的高性能可編程霍爾開(kāi)關(guān)，符合AEC-Q100 Grade-0車(chē)規(guī)等級(jí)與 ISO26262 ASIL-B 功能安全標(biāo)準(zhǔn)
2025-11-20 11:09:00148 增至約30億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）高達(dá)42%，未來(lái)六年將實(shí)現(xiàn)六倍增長(zhǎng)。這種增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)主要由三大驅(qū)動(dòng)力：消費(fèi)電子電子對(duì)快充的剛需、AI數(shù)據(jù)中心對(duì)高效電源的迫切需求、新能源汽車(chē)的電氣化浪潮。在快充之外，氮化鎵功率芯片在家電領(lǐng)域的應(yīng)用點(diǎn)也出現(xiàn)突破。 近日，英諾賽
2025-11-16 00:40:0013349 
現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛？
2025-11-14 07:25:48
新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿(mǎn)足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，能夠打造具有超高效率的高可靠性設(shè)計(jì)。該系
2025-11-03 18:18:052815 
ChainDualKey是一款可編程雙按鍵輸入開(kāi)發(fā)板，搭載ESP32-S3FN8主控芯片。正面集成2個(gè)支持熱插拔的青軸機(jī)械鍵盤(pán)按鍵及2個(gè)可編程RGBLED，交互反饋優(yōu)異；內(nèi)置350mAh鋰電池，結(jié)合
2025-10-31 16:31:121619 
PowerHub是一款集成多路電源管理的可編程控制器。采用ESP32-S3-WROOM-1U-N16R8主控模組，搭載雙核XtensaLX7處理器（主頻240MHz）,支持2.4GHzWi-Fi
2025-10-24 18:30:34591 該TPLD801是 TI 可編程邏輯器件 （TPLD） 系列器件的一部分，該器件具有具有組合邏輯、順序邏輯和模擬模塊的多功能可編程邏輯 IC。TPLD 提供完全集成的低功耗解決方案，用于實(shí)現(xiàn)常見(jiàn)系統(tǒng)
2025-09-28 14:36:071052 
TPLD2001-Q1 是 TI 可編程邏輯器件 （TPLD） 系列器件的一部分，該器件具有具有組合邏輯、順序邏輯和模擬模塊的多功能可編程邏輯 IC。TPLD 提供集成、緊湊、低功耗的解決方案，用于
2025-09-28 10:42:26700 
該TPLD2001是 TI 可編程邏輯器件 （TPLD） 系列器件的一部分，該器件具有具有組合邏輯、順序邏輯和模擬模塊的多功能可編程邏輯 IC。TPLD 提供集成、緊湊、低功耗的解決方案，用于實(shí)現(xiàn)
2025-09-28 10:36:43637 
TPLD1201-Q1 是 TI 可編程邏輯器件 （TPLD） 系列器件的一部分，該器件具有具有組合邏輯、順序邏輯和模擬模塊的多功能可編程邏輯 IC。TPLD 提供完全集成的低功耗解決方案，用于實(shí)現(xiàn)
2025-09-28 10:06:51598 
TPLD801-Q1 是 TI 可編程邏輯器件 （TPLD） 系列器件的一部分，該器件具有具有組合邏輯、順序邏輯和模擬模塊的多功能可編程邏輯 IC。TPLD 提供完全集成的低功耗解決方案，用于實(shí)現(xiàn)
2025-09-28 10:03:08544 
Texas Instruments TPS1HC100-Q1智能高壓側(cè)開(kāi)關(guān)是一款具有全方位保護(hù)的高側(cè)電源開(kāi)關(guān)，它集成有NMOS功率FET和電荷泵，專(zhuān)用于對(duì)各種負(fù)載進(jìn)行智能控制。憑借著精確的電流檢測(cè)和可編程電流限制特性在市場(chǎng)上脫穎而出。
2025-09-25 10:19:05522 
在之前的課程里，我們已經(jīng)了解了負(fù)載開(kāi)關(guān)IC的一些實(shí)用功能，這些知識(shí)為我們?cè)趯?shí)際設(shè)計(jì)中運(yùn)用負(fù)載開(kāi)關(guān)IC提供了思路。今天，芝子將帶著大家更進(jìn)一步，詳細(xì)探討負(fù)載開(kāi)關(guān)IC的具體功能操作！
2025-09-19 17:57:583097 
，集成了6mΩ FET，具有浪涌電流保護(hù)、可編程欠壓和過(guò)壓保護(hù)、電流監(jiān)控以及快速輸出放電功能。Texas Instruments TPS22811EVM擁有一個(gè)通道，可實(shí)現(xiàn)對(duì)TPS22811L負(fù)載開(kāi)關(guān)
2025-09-12 09:48:20681 
在電子制造和研發(fā)領(lǐng)域，測(cè)試環(huán)節(jié)是確保產(chǎn)品質(zhì)量和性能的關(guān)鍵。可編程負(fù)載作為一種先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備，因其靈活性和高效性，已成為實(shí)驗(yàn)室和生產(chǎn)線(xiàn)上不可或缺的工具。源儀電子有著20年電源測(cè)試設(shè)備經(jīng)驗(yàn)，其可編程
2025-09-05 10:45:32477 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于 DOCSIS 3.0 上行路徑的可編程增益放大器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有用于 DOCSIS 3.0 上行路徑的可編程增益放大器的引腳圖、接線(xiàn)圖、封裝手冊(cè)、中文資料
2025-09-01 18:33:22
LP5560 是一款可編程 LED 驅(qū)動(dòng)器，可生成各種閃爍序列，每個(gè)序列最多三個(gè)不同長(zhǎng)度的脈沖。閃爍序列可以通過(guò)單線(xiàn)接口進(jìn)行編程。可編程參數(shù)包括開(kāi)啟和關(guān)閉時(shí)間以及上升和下降時(shí)間。默認(rèn)序列被編程到 LP5560 中，以便在沒(méi)有編程功能的簡(jiǎn)單系統(tǒng)中使用設(shè)備。
2025-08-29 11:07:41954 
CoolGaN BDS 650V G5雙向開(kāi)關(guān)。這款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的單片雙向開(kāi)關(guān)，憑借其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計(jì)，正在成為高效電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的明星產(chǎn)品。
2025-08-28 13:52:113434 ?氮化鎵技術(shù)的芯片InnoSwitch?3-AQ。其設(shè)計(jì)靈感來(lái)自PI公司PowerPros?在線(xiàn)支持工程師與蘇黎世聯(lián)邦理
2025-08-28 10:36:591450 氮化鎵電源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。
2025-08-26 10:24:432670 
TDK-Lambda可編程直流電源以其出色的性能和靈活性，在電子測(cè)試與研發(fā)、工業(yè)自動(dòng)化、通信設(shè)備和LED照明等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。它采用高效能開(kāi)關(guān)模式設(shè)計(jì)，具備高精度、高效率的特點(diǎn)，能夠?yàn)橛脩?hù)提供穩(wěn)定、可靠的電源輸出。
2025-08-22 16:21:43768 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）：一個(gè)導(dǎo)通電阻為13mΩ的開(kāi)關(guān)FET和一個(gè)導(dǎo)通電阻為13mΩ的整流FET。此外，PL34051采用脈沖跳躍模式來(lái)提高輕載或空載情況下的效率。開(kāi)關(guān)頻率可根據(jù)FREQ引腳與接地引腳之間不同的電阻值設(shè)置為150kHz或300kHz。該器件還具備可編程軟啟動(dòng)功能，VADJ和IADJ引腳用于對(duì)輸出V
2025-08-21 17:45:40
0 隨著芯片尺寸的逐漸縮小，電場(chǎng)強(qiáng)度卻隨距離的減小而線(xiàn)性增加。若電源電壓保持不變，產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度將足以擊穿芯片，這無(wú)疑對(duì)電子系統(tǒng)的電源電壓提出了更為嚴(yán)苛的要求。銀聯(lián)寶氮化鎵電源ic U8726AHE集成高壓E-GaN、集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，減少外圍元件，適配快速充電器和適配器等電源設(shè)備。
2025-08-19 17:38:341597 
磁芯飽和會(huì)導(dǎo)致變壓器線(xiàn)圈感抗變小，回路電流大增，從而引起開(kāi)關(guān)管的損壞。想要避免這些后果，就必須確保開(kāi)關(guān)電源主變壓器在工作過(guò)程中不會(huì)進(jìn)入磁飽和狀態(tài)。氮化鎵電源ic U8732內(nèi)部集成有軟啟動(dòng)功能，在
2025-08-18 16:30:465763 
85V輸入電壓范圍#峰值電流模式控制#自適應(yīng)死區(qū)輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)控制#自由運(yùn)行或同步運(yùn)行時(shí)鐘頻率高達(dá)750KHz#可選二極管續(xù)流模式#可編程電流限制#可編程軟啟動(dòng)和跟蹤#欠壓鎖定功能#熱關(guān)斷應(yīng)用領(lǐng)域：#車(chē)用信息娛樂(lè)#工業(yè)DC-DC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器#汽車(chē)USB電源#電信服務(wù)器
2025-08-18 11:27:34
產(chǎn)品描述:(替代UCC28951)PC3951采用全橋高級(jí)控制，并對(duì)同步整流器輸出級(jí)進(jìn)行主動(dòng)控制。可編程的延遲確保了ZVS可在廣泛的工作條件下運(yùn)行，而負(fù)載電流可合理調(diào)節(jié)次級(jí)側(cè)同步整流器的開(kāi)關(guān)延遲
2025-08-18 11:23:23
Interfaces?宣布推出全新系列高壓可編程電阻模塊，采用緊湊的單插槽?PXI 和?PXIe 形式，型號(hào)分別為?40-230（PXI）和?42-230（PXIe），可輕松應(yīng)對(duì)高達(dá)?1.2kV
2025-08-15 10:24:4124893 
在汽車(chē)工業(yè)蓬勃發(fā)展的今天，汽車(chē)的智能化、自動(dòng)化程度越來(lái)越高，對(duì)汽車(chē)控制精度與可靠性的要求也日益嚴(yán)苛。MT6501 在線(xiàn)可編程角度編碼器憑借其獨(dú)特的可編程特性，在提升汽車(chē)控制精度與可靠性方面展現(xiàn)出了巨大的潛力。
2025-08-04 18:01:03696 個(gè)可編程輸出范圍的數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC)。八個(gè)柵極偏置輸出通過(guò)專(zhuān)用控制引腳進(jìn)行開(kāi)關(guān)。柵極偏置開(kāi)關(guān)專(zhuān)為快速響應(yīng)而設(shè)計(jì)，可為砷化鎵和氮化鎵等耗盡型晶體管提供正確的電源排序和保護(hù)。
2025-07-31 10:24:59484 
芯片的腳位是指芯片與電路板或其他芯片之間進(jìn)行連接的引腳。引腳可以傳輸數(shù)字信號(hào)和模擬信號(hào)，還用于為芯片提供電源和接地。今天重點(diǎn)介紹的是深圳銀聯(lián)寶氮化鎵電源ic U8731的腳位特征！
2025-07-29 14:07:594017 氮化鎵電源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8723AH
2025-07-28 11:38:063811 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
CoreS3-Lite是一款集成豐富外設(shè)的可編程物聯(lián)網(wǎng)控制器。采用ESP32-S3核心主控，搭載240MHzXtensa32位LX7雙核處理器，板載16MBFlash和8MBPSRAM內(nèi)存組合。設(shè)備
2025-07-18 17:52:471105 通常來(lái)講，充電器輸出功率的增加，充電器的體積也要相應(yīng)擴(kuò)大。因?yàn)閮?nèi)置GaN芯片的使用，快充充電器擁有小體積、高性能、協(xié)議多、節(jié)能高等特點(diǎn)，所以快充充電器比我們?cè)O(shè)想的要小、要薄。今天推薦的是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)氮化鎵快充ic U8733L，特別適應(yīng)于快速充電器和適配器上！
2025-07-15 15:26:062542 
設(shè)計(jì)的雙通道、單輸入、死區(qū)可編程的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，在高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用和高可靠性系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。
核心優(yōu)勢(shì)聚焦：
獨(dú)創(chuàng)死區(qū)可編程 (DT)： SiLM8254的核心亮點(diǎn)在于其可編程死區(qū)時(shí)間功能。通過(guò)外部簡(jiǎn)單配置
2025-07-14 09:34:01
霍爾IC是一種能夠進(jìn)行高/低電平數(shù)字信號(hào)輸出的傳感器，檢測(cè)磁場(chǎng)強(qiáng)度的霍爾IC被稱(chēng)為開(kāi)關(guān)式霍爾IC。本章將介紹開(kāi)關(guān)式霍爾IC的應(yīng)用實(shí)例。
2025-07-10 14:32:321001 
一、產(chǎn)品概述：高可靠性隔離驅(qū)動(dòng)的集成化突破
SLMi8233BDCG是 雙通道死區(qū)可編程隔離驅(qū)動(dòng)器 ，專(zhuān)為高功率、高噪聲環(huán)境設(shè)計(jì)。其核心采用雙電容隔離技術(shù)與 OOK傳輸技術(shù) ，實(shí)現(xiàn)5kVRMS隔離
2025-06-28 08:45:31
氮化鎵電源IC U872XAHE系列是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗
2025-06-20 17:26:561420 
氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)/低電壓晶體管至晶體管邏輯 (LVTTL) 兼容控制。這些開(kāi)關(guān)IC無(wú)需額外的驅(qū)動(dòng)器電路，因此非常適合用于替代基于氮化鎵 (GaN) 和PIN二極管的開(kāi)關(guān)。
2025-06-18 14:16:51662 
氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率，主要?dú)w功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。
2025-06-13 14:25:181362 
在當(dāng)今數(shù)字化快速發(fā)展的時(shí)代，語(yǔ)音芯片的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，而可編程SLIC（用戶(hù)線(xiàn)路接口電路）語(yǔ)音芯片更是憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，受到眾多行業(yè)的青睞。那么，面對(duì)眾多的選擇，哪家的可編程SLIC語(yǔ)音芯片更勝一籌
2025-06-12 13:55:01606 
摘要
本文闡釋了在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵(GaN)開(kāi)關(guān)所涉及的獨(dú)特考量因素和面臨的挑戰(zhàn)。文中提出了一種以專(zhuān)用GaN驅(qū)動(dòng)器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩(wěn)固可靠的設(shè)計(jì)。此外，本文還建議將
2025-06-11 10:07:24
/O 標(biāo)準(zhǔn)，如 LVTTL、LVCMOS、SSTL、HSTL、LVDS 等。l 提供高效的 I/O 配置，包括可編程的輸入/輸出延遲和驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。3. 高速度收發(fā)器：l 兼容高達(dá) 6.144 Gbps
2025-06-11 09:01:57
前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502385 
InnoSwitch3-EP和InnoSwitch4-QR氮化家反激式開(kāi)關(guān)IC專(zhuān)為服務(wù)器、個(gè)人電腦待機(jī)電源以及功率高達(dá)220W、電壓高達(dá)1250V的工業(yè)電源而設(shè)計(jì)。
2025-05-30 09:34:111164 損耗。氮化鎵快充電源ic U8765采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化！
2025-05-26 18:02:421062 Analog Devices LT8740可編程器件電源（DPS）具有高效率、高集成度和高性能。該DPS包含兩個(gè)開(kāi)關(guān)電源，在輸出電壓范圍為30V時(shí)，每個(gè)可提供高達(dá) ±2A的電流。該器件集成了電流檢測(cè)
2025-05-26 14:23:371156 
電源方案全電壓認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B方案來(lái)咯！主控氮化鎵電源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片
2025-05-22 15:41:26734 CS管腳通常用于采樣電感電流，實(shí)現(xiàn)峰值電流控制，并且可以限制最大輸入電流，從而實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)功能。?此外，CS管腳還可以用于設(shè)定系統(tǒng)的最高工作頻率。通過(guò)連接不同阻值的RSEL電阻，可以設(shè)定不同的系統(tǒng)工作頻率上限。氮化鎵電源ic U8724AH復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。
2025-05-22 11:33:48753 
格平科技推出1200W可編程開(kāi)關(guān)電源
輸出電壓12V83.3A;15V80A;24V50A;30V40A;36V33.3A;48V25A;60V20A;400V3A
2025-05-20 09:51:12
氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開(kāi)通速度減半（如配置為特定驅(qū)動(dòng)電流檔位時(shí)），減緩開(kāi)關(guān)動(dòng)作的瞬態(tài)變化，從而減小次級(jí)側(cè)SR器件的電壓尖峰，通過(guò)分壓電
2025-05-19 17:29:50736 
谷底鎖定模式是一種應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源如反激式拓?fù)洹?zhǔn)諧振電源中的關(guān)鍵技術(shù)，其核心在于通過(guò)精確控制開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通時(shí)機(jī)以降低損耗和提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。在深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的20W氮化鎵電源ic U8722SP
2025-05-17 09:13:57825 
關(guān)鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉(zhuǎn)換器的氮化鎵諧振柵極驅(qū)動(dòng)器。該方案不僅能實(shí)現(xiàn)高效率，還能在高開(kāi)關(guān)頻率下保持良好控制的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換特性。諧振柵極驅(qū)動(dòng)器原理轉(zhuǎn)換器
2025-05-08 11:08:401153 
恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過(guò)載保護(hù)等特性，適用于一些功率要求嚴(yán)格的應(yīng)用場(chǎng)景，如充電器、LED驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源IC U8723AHS，不僅可以提高電路的穩(wěn)定性和可靠性，同時(shí)也可以提高能源利用效率，使優(yōu)勢(shì)發(fā)揮到最大！
2025-05-07 17:58:32673 TPS4141-Q1 是一款高電壓、精密匹配的電阻分壓器，集成了可編程增益放大器。TPS4141-Q1 還集成了一個(gè)高壓開(kāi)關(guān)，允許連接或斷開(kāi)高壓感應(yīng)引腳，并在斷開(kāi)連接時(shí)提供單向電流阻斷。該設(shè)備專(zhuān)為需要精確高壓測(cè)量的汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
2025-05-06 11:01:16786 
氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢(shì)，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02943 系統(tǒng)電源。D-CAP2? 和 DCS-Control 高頻穩(wěn)壓器使用小型無(wú)源器件來(lái)實(shí)現(xiàn)小尺寸解決方案。D-CAP2 和 DCS-Control 拓?fù)渚哂谐錾乃矐B(tài)響應(yīng)性能，非常適合具有快速負(fù)載切換的處理器內(nèi)核和系統(tǒng)內(nèi)存軌。該器件具有兩組一次性可編程 （OTP） 存儲(chǔ)器。
2025-04-25 13:51:43766 
TPS6521815 是一款單芯片電源管理 IC （PMIC），用戶(hù)可編程，可為各種 SoC 和 FPGA 供電。該器件的額定溫度范圍為 –40°C 至 +105°C，適用于各種工業(yè)應(yīng)用。
2025-04-24 17:27:41708 
25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AHYLB芯片內(nèi)置Boost電路將功率開(kāi)關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動(dòng)電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳
2025-04-24 16:20:38593 在當(dāng)今科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代，可編程交流電源作為一種關(guān)鍵的電力設(shè)備，在工業(yè)生產(chǎn)、科研實(shí)驗(yàn)等諸多領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，為各行業(yè)的發(fā)展提供了強(qiáng)有力的動(dòng)力支持。 可編程交流電源具有許多顯著的特點(diǎn)。 首先
2025-04-21 17:18:56500 
圣邦微電子推出車(chē)規(guī)級(jí)多路開(kāi)關(guān)檢測(cè)接口（MSDI）芯片 SGMCD1020Q，為車(chē)身控制模塊帶來(lái)全新解決方案。該芯片具備卓越的多通道檢測(cè)能力，可精確監(jiān)測(cè)多達(dá) 22 個(gè)通道的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，涵蓋 14 路接地開(kāi)關(guān)和 8 路可編程開(kāi)關(guān)（可靈活配置為接地開(kāi)關(guān)或電池開(kāi)關(guān)）。
2025-04-10 10:22:022247 
單片雙向開(kāi)關(guān)(BDS)被業(yè)界視為電力電子性能實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展的關(guān)鍵推動(dòng)者?；跈M向氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的技術(shù)具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可有效應(yīng)用于BDS器件開(kāi)發(fā)。本文將概述BDS的應(yīng)用場(chǎng)
2025-04-09 10:57:40896 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過(guò)EMC,原裝現(xiàn)貨
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關(guān)器件
2025-03-31 14:26:10
30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅(qū)動(dòng)電流分檔功能，通過(guò)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機(jī)功耗。具體來(lái)了解一下！
2025-03-28 13:36:48797 
可編程電子負(fù)載是電源測(cè)試領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，能夠模擬真實(shí)負(fù)載條件并動(dòng)態(tài)調(diào)整參數(shù)，為電源、電池、新能源設(shè)備等提供性能驗(yàn)證。源儀電子基于20年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，開(kāi)發(fā)了可編程直流電子負(fù)載系列，涵蓋高精度測(cè)試、動(dòng)態(tài)響應(yīng)及多通道控制功能，滿(mǎn)足從研發(fā)到量產(chǎn)的全流程測(cè)試需求。
2025-03-15 10:38:281569 
氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054785 
日前，京東方華燦的氮化鎵研發(fā)總監(jiān)馬歡應(yīng)半導(dǎo)體在線(xiàn)邀請(qǐng)，分享了關(guān)于氮化鎵器件的最新進(jìn)展，引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注。隨著全球半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ω咝阅堋?b class="flag-6" style="color: red">高效率器件的需求不斷加大，氮化鎵（GaN）技術(shù)逐漸成為新一代電子器件的熱點(diǎn)，其優(yōu)越的性能使其在電源轉(zhuǎn)換和射頻應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261527 介紹了氮化鎵（GaN）功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用，對(duì)比傳統(tǒng)硅基解決方案，闡述了其優(yōu)勢(shì)、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計(jì)考量及結(jié)論。 *附件
2025-03-12 18:47:172084 
之選，為各類(lèi)設(shè)備的高效運(yùn)行與創(chuàng)新發(fā)展注入強(qiáng)大動(dòng)力。一、SG-8200CJ可編程晶振的特性1、寬頻率范圍：SG-8200CJ支持1.2MHz至170MHz的可編程頻
2025-03-10 15:24:27638 
在醫(yī)療設(shè)備領(lǐng)域，時(shí)鐘信號(hào)的精度與穩(wěn)定性直接關(guān)乎診斷的準(zhǔn)確性和患者的安全。愛(ài)普生推出的SG-8101CG可編程晶振，憑借其靈活的可編程性、低損耗設(shè)計(jì)及高可靠性，成為醫(yī)療設(shè)備中不可或缺的核心時(shí)鐘源。其技術(shù)特性與醫(yī)療場(chǎng)景的深度適配，為便攜式監(jiān)測(cè)、影像診斷等設(shè)備提供了高效穩(wěn)定的性能保障。
2025-03-07 16:33:161177 
交付和定制化生產(chǎn)，顯著縮短研發(fā)周期和交付時(shí)間。SG-8101CE可編程晶振憑借其寬頻率范圍、低功耗和小型化設(shè)計(jì)，成為高集成度電子系統(tǒng)的理想時(shí)鐘源。SG-8101CE主要
2025-03-07 13:37:31757 
處理模塊等提供穩(wěn)定的時(shí)鐘源，確?；灸軌?b class="flag-6" style="color: red">高效、穩(wěn)定地與移動(dòng)終端進(jìn)行通信。例如，在5G基站中，其高頻率穩(wěn)定性和可編程性能夠滿(mǎn)足基站對(duì)不同頻率信號(hào)的處理需求，助力實(shí)現(xiàn)高
2025-03-05 14:32:47579 
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場(chǎng)景 ?：并聯(lián)開(kāi)關(guān)管廣泛應(yīng)用于大功率場(chǎng)合，如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
2025-02-27 18:26:311103 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534 
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:491183 過(guò)去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時(shí)，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣(mài)盤(pán)，這引發(fā)大家對(duì)垂直氮化鎵未來(lái)的擔(dān)憂(yōu)。為此，在本文中，我們先對(duì)氮化鎵未來(lái)的發(fā)展進(jìn)行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開(kāi)發(fā)的最新進(jìn)展以及相關(guān)的可靠性挑戰(zhàn)。
2025-02-17 14:27:362014 
電源，具有 ZVS 和 5-20 V 可編程輸出.pdf *附件：60 W 可編程電源_gerber.zip InnoSwitch4-Pro 數(shù)字可控零電壓開(kāi)關(guān)反激式開(kāi)關(guān) IC 750 V
2025-01-23 15:22:481109 
在工業(yè)自動(dòng)化的宏大舞臺(tái)上，每一個(gè)精確的動(dòng)作、每一次高效的生產(chǎn)流程背后，都離不開(kāi)精準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的支持。愛(ài)普生SG-8101CE可編程晶振，以其卓越的性能和靈活的特性，為工業(yè)生產(chǎn)的智能化、高效化發(fā)展注入
2025-01-20 16:42:33849 
相信最近關(guān)心手機(jī)行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個(gè)名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化鎵”這一名詞就開(kāi)始廣泛出現(xiàn)在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統(tǒng)中猶如一對(duì)默契的搭檔，通過(guò)緊密配合，顯著提升電源效率。在開(kāi)關(guān)電源的工作過(guò)程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開(kāi)關(guān)速度和高頻率的開(kāi)關(guān)能力，能夠迅速地切換電路狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)
2025-01-15 16:08:501733 PI公司誠(chéng)邀您報(bào)名參加電子研習(xí)社主辦的線(xiàn)上直播。我們的技術(shù)專(zhuān)家將為您帶來(lái)專(zhuān)題演講，介紹新的氮化鎵耐壓基準(zhǔn)。
2025-01-15 15:41:09899 可編程交流負(fù)載標(biāo)準(zhǔn)是電力電子測(cè)試領(lǐng)域的重要組成部分，它為交流電源、變頻器、逆變器等設(shè)備的測(cè)試提供了標(biāo)準(zhǔn)化的負(fù)載條件。這種可編程性使得測(cè)試更加靈活和精確，能夠滿(mǎn)足不同設(shè)備和應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
核心在于其
2025-01-15 13:53:47
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-153：ADSP-2191可編程PLL.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-14 14:57:430 常規(guī)可編程晶振主要用來(lái)替換一般用途的中低頻四腳有源晶振，可以滿(mǎn)足大多數(shù)用途有源晶振的快速交付。愛(ài)普生（Epson）作為全球領(lǐng)先的晶體產(chǎn)品供應(yīng)商，提供了一系列可編程晶振,可以與基波正常振蕩器相同
2025-01-13 15:24:261088 
（Phase-LockedLoop，PLL）技術(shù)在可編程晶振中扮演著關(guān)鍵角色，以下是對(duì)可編程晶振中鎖相環(huán)技術(shù)的詳細(xì)講解：一、鎖相環(huán)技術(shù)的基本原理1、鎖相環(huán)是一種利用相位同步產(chǎn)生
2025-01-08 17:39:411053 
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