常見的幾種射頻半導(dǎo)體工藝

半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。

2019-04-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵砷化鎵 1.3萬 0

氮化鎵(GaN)是什么

氮化鎵(GaN)是什么 氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在...

2023-02-17 標(biāo)簽：氮化鎵 1.2萬 0

氮化鎵助力，電源管理迎大變革

氮化鎵功率器件在性能、效率、能耗、尺寸等多方面比市場主流的硅功率器件均有顯著數(shù)量級的提升。例如，相比主流的硅基MOSFET、IGBT，氮化鎵功率器件的開...

2017-08-07 標(biāo)簽：電源管理氮化鎵氮化鎵電源 1.2萬 10

5G基站電源設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)及優(yōu)化策略

可是最近的一篇報(bào)道，引起了人們對5G基站能源消耗的關(guān)注。新聞的內(nèi)容是為了減少能耗，節(jié)約電費(fèi)，中國聯(lián)通在洛陽某地的5G基站在每天21點(diǎn)到次日9點(diǎn)就將關(guān)閉。...

2020-08-07 標(biāo)簽：電源氮化鎵功率密度 1.2萬 0

聚力成半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶重慶 將有望突破我國第三代半導(dǎo)體技術(shù)瓶頸

11月13日，聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司奠基儀式在重慶大足高新區(qū)舉行，該項(xiàng)目以研發(fā)、生產(chǎn)全球半導(dǎo)體領(lǐng)域前沿的氮化鎵外延片、芯片為主。這項(xiàng)擬投資50億元...

2018-11-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1.2萬 0

OPPO 65W SuperVOOC和 30W 無線VOOC閃充 技術(shù)亮點(diǎn)全揭曉！

2019年9月17日，OPPO正式發(fā)布最大充電功率為65W的SuperVOOC 2.0、VOOC 4.0以及最大充電功率為30W的無線VOOC閃充。據(jù)O...

2019-09-18 標(biāo)簽：適配器OPPO氮化鎵 1.2萬 1

氮化鎵推動(dòng)無線充電應(yīng)用

無線充電在技術(shù)行業(yè)中變得越來越普遍，提供了一種更方便的設(shè)備充電方式，而無需使用電纜或插頭。隨著技術(shù)的進(jìn)步，由于氮化鎵（GaN）功率器件的使用，無線充電變...

2023-07-28 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件氮化鎵 1.2萬 1

氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別

氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)...

2023-11-21 標(biāo)簽：氮化鎵漏電流硅芯片 1.2萬 1

德儀LMG5200 GaN半橋功率級

本報(bào)告對德州儀器LMG5200器件進(jìn)行詳細(xì)的逆向分析，包括器件設(shè)計(jì)、封裝技術(shù)、制造工藝、成本和價(jià)格預(yù)估等。這是我們第一發(fā)現(xiàn)帶有驅(qū)動(dòng)器的半橋氮化鎵場效應(yīng)晶...

2018-03-05 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵功率級 1.2萬 0

首發(fā)PD 3.1！140W快充終于逼蘋果用上氮化鎵

在10月19日凌晨的發(fā)布會(huì)上，蘋果公布了最新一代的Macbook Pro系列產(chǎn)品，更是在16英寸的型號(hào)中加入了140W的快充充電器。蘋果在會(huì)后證實(shí)，這款...

2021-10-21 標(biāo)簽：蘋果氮化鎵快充技術(shù) 1.2萬 0

欣憶電子第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項(xiàng)目落戶廣西桂林高新區(qū) 一期總投資達(dá)16億元

近日，廣西桂林高新區(qū)管委會(huì)與位于中國臺(tái)灣的欣憶電子股份有限公司通過視頻連線召開海峽兩岸項(xiàng)目推進(jìn)會(huì)，就第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項(xiàng)目推進(jìn)開展“云洽談”。

2020-04-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1.2萬 0

TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動(dòng)器，擴(kuò)展其GaN電源產(chǎn)品組合

德州儀器（TI）（NASDAQ： TXN） 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品...

2018-03-12 標(biāo)簽：dc/dc德州儀器氮化鎵 1.2萬 0

小米GaN氮化鎵充電器到底采用的哪家方案

小米10系列發(fā)布會(huì)上，雷軍宣布了小米旗下第一款采用GaN氮化鎵材料的充電器，最大功率65W。

2020-02-17 標(biāo)簽：充電器氮化鎵小米 1.1萬 0

為何現(xiàn)在進(jìn)入氮化鎵射頻市場機(jī)會(huì)已經(jīng)不大?

“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口，但只有三年?！蹦苡嵃雽?dǎo)體總經(jīng)理任勉表示

2019-04-26 標(biāo)簽：射頻氮化鎵 1.1萬 0

維易科（VEECO）和ALLOS展示行業(yè)領(lǐng)先的200MM硅基氮化鎵性能，推動(dòng)micro-LED的應(yīng)用

Veeco 公司今日宣布和ALLOS Semiconductors （ALLOS）達(dá)成了一項(xiàng)戰(zhàn)略舉措，展示了200mm硅基氮化鎵晶圓用于藍(lán)/綠光mic...

2018-02-26 標(biāo)簽：氮化鎵microled硅基氮化鎵 1.1萬 0

氮化鎵充電器Galio推出，支持最大充電器功率為120W

　　從倍思推特了解到，倍思推出了全球最小的120W氮化鎵充電器，現(xiàn)已在kickstarter眾籌。

2020-02-25 標(biāo)簽：充電器usb氮化鎵 1.1萬 0

拆解|QR架構(gòu)、功率密度0.91W/cm3的國產(chǎn)30W 氮化鎵快充

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠）隨著電子設(shè)備充電功率的不斷提高，具有耐高溫 、高壓、高開關(guān)頻率的氮化鎵，在消費(fèi)類快充領(lǐng)域進(jìn)入了發(fā)展的快車道。氮化鎵不僅能夠替...

2022-07-30 標(biāo)簽：氮化鎵快充技術(shù) 1.1萬 0

120W氮化鎵充電器拆解對比：看國產(chǎn)芯片如何征服大廠

因?yàn)檫@兩個(gè)充電器呢都是PFC+準(zhǔn)諧振反激式的電源架構(gòu)，因此我們可以對應(yīng)著相同功能部分來對比。先看一些被動(dòng)元器件，像保險(xiǎn)絲，NTC浪涌抑制電阻，安規(guī)電容，...

2022-12-14 標(biāo)簽：元器件充電器氮化鎵 1.1萬 0

未來的材料寵兒“碳化硅”和“氮化鎵”

在功率元器件的發(fā)展中，主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時(shí)將電壓也降低到1/k，力...

2012-11-21 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 1.1萬 0