濟(jì)寧高新區(qū)舉辦2019年第一批重大項(xiàng)目集中開(kāi)工儀式

山大氮化鎵單晶襯底項(xiàng)目由山東加睿晶欣新材料股份有限公司與山東大學(xué)進(jìn)行產(chǎn)學(xué)研合作，將氮化鎵單晶襯底實(shí)驗(yàn)室成果實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的重點(diǎn)項(xiàng)目。項(xiàng)目總投資15億元，總建...

2019-03-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈 1.1萬(wàn) 0

耐威科技第三代半導(dǎo)體材料制造項(xiàng)目正式投產(chǎn) 將打造世界級(jí)氮化鎵材料公司

9月10日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“耐威科技”）發(fā)布公告稱，公司控股子公司聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱“聚能晶源”）投資建設(shè)...

2019-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵耐威科技 1.0萬(wàn) 0

納微GaNFast推動(dòng)世界上最薄的旅行適配器

納微（Navitas）宣布GaNFast?功率IC應(yīng)用在前所未有的14mm超薄外形通用型45W電源適配器Mu One。這個(gè)用于全球范圍的超薄適配器可輕松...

2018-03-06 標(biāo)簽：適配器氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.0萬(wàn) 0

氮化鎵是什么半導(dǎo)體材料 氮化鎵充電器的優(yōu)缺點(diǎn)

氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料，相對(duì)硅而言，氮化鎵間隙更寬，導(dǎo)電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。

2023-02-14 標(biāo)簽：充電器半導(dǎo)體材料氮化鎵 1.0萬(wàn) 0

安世半導(dǎo)體2020年首發(fā)氮化鎵新品，透露了哪些信息？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）最近，聞泰科技發(fā)布公告稱將進(jìn)一步收購(gòu)安世剩余股權(quán)，并將增資為安世半導(dǎo)體進(jìn)行工藝升級(jí)等項(xiàng)目。而在年初，安世半導(dǎo)體也任命了張學(xué)...

2020-06-17 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵安世半導(dǎo)體 1.0萬(wàn) 0

氮化鎵新動(dòng)態(tài)：傳感器融入芯片、導(dǎo)通電阻大幅下降

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文、李誠(chéng)）氮化鎵和碳化硅一樣，不斷地挑戰(zhàn)著硅基材料的物理極限，多用于電力電子、微波射頻領(lǐng)域，在電力電子的應(yīng)用中，氮化鎵的禁帶寬度是硅基...

2021-11-16 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵納微半導(dǎo)體 9.9k 0

5G時(shí)代氮化鎵的優(yōu)勢(shì)到底有多明顯

氮化鎵（GaN）被譽(yù)為繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，具有帶隙寬、原子鍵強(qiáng)、導(dǎo)熱率高、化學(xué)性...

2020-03-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵5G 9.6k 0

英飛凌新推氮化鎵開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)芯片

隨著市場(chǎng)對(duì)高功率高電壓材料的需求增長(zhǎng)，全球第三代半導(dǎo)體材料開(kāi)始備受關(guān)注。第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和...

2018-12-06 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵 9.3k 0

納微半導(dǎo)體 GaN功率IC實(shí)現(xiàn) 世界上最小的65W USB-PD 手提電腦電源適配器

納微 （Navitas） 半導(dǎo)體宣布推出世界上最小的65W USB-PD （Type-C） 電源適配器參考設(shè)計(jì)，以跟上過(guò)去十年來(lái)筆記型電腦在更小尺寸和更...

2017-09-15 標(biāo)簽：電源適配器氮化鎵GaN 9.3k 0

射頻氮化鎵領(lǐng)域的知識(shí)產(chǎn)權(quán)現(xiàn)狀

目前，有30多家廠商申請(qǐng)了與GaN MMIC相關(guān)的專利，其中，東芝和科銳擁有最重要的專利組合。科銳在該領(lǐng)域擁有最強(qiáng)大的專利布局，但作為后來(lái)者的東芝是Ga...

2019-04-11 標(biāo)簽：射頻氮化鎵半導(dǎo)體器件 8.9k 0

氮化鎵(GaN)襯底晶片實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn) 蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一

氮化鎵單晶材料生長(zhǎng)難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實(shí)現(xiàn)了“中國(guó)造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非?？?，同樣也是氮化物半導(dǎo)體...

2018-01-30 標(biāo)簽：氮化鎵晶片 8.8k 0

安世半導(dǎo)體Nexperia 2024年財(cái)報(bào)：營(yíng)收20.6億美元，市場(chǎng)份額從2023年的8.9%提升至9.7%

安世半導(dǎo)體近日公布了2024財(cái)年財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。在宏觀經(jīng)濟(jì)持續(xù)不確定和市場(chǎng)周期性疲軟的背景下，公司展現(xiàn)出強(qiáng)大的抗風(fēng)險(xiǎn)能力，通過(guò)強(qiáng)化執(zhí)行力和堅(jiān)持創(chuàng)新投入，實(shí)現(xiàn)了...

2025-05-16 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅Nexperia 8.8k 0

總投資10億元 百識(shí)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶南京浦口

近日，南京百識(shí)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“百識(shí)”）第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目正式落戶南京浦口經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)（以下簡(jiǎn)稱“浦口經(jīng)開(kāi)區(qū)”）。

2019-06-21 標(biāo)簽：新能源半導(dǎo)體氮化鎵 8.7k 0

GaN下游：功率、射頻市場(chǎng)格局；國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專欄，目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)架構(gòu)，理清上、中、下游的各個(gè)環(huán)節(jié)，同時(shí)迅速了解各大細(xì)分環(huán)節(jié)中...

2022-08-07 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 8.7k 0

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成 達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值20億元

據(jù)新華社報(bào)道，近日，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成。

2019-05-21 標(biāo)簽：芯片氮化鎵能訊 8.6k 0

從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口只有三年

“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口，但只有三年?！蹦苡嵃雽?dǎo)體總經(jīng)理任勉表示，在氮化鎵領(lǐng)域耕耘十二年，能訊半導(dǎo)體迎來(lái)關(guān)鍵時(shí)間節(jié)點(diǎn)，抓住5G基站建...

2018-10-19 標(biāo)簽：氮化鎵LDMOS 8.6k 0

一文讀懂半導(dǎo)體大硅片

單晶硅錠經(jīng)過(guò)切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保...

2022-11-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵硅片 8.5k 0

意法半導(dǎo)體王巧娣：集成驅(qū)動(dòng)器的MasterGaN系列產(chǎn)品讓GaN產(chǎn)品開(kāi)發(fā)更簡(jiǎn)單

目前GaN產(chǎn)品主要應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品當(dāng)中，但在未來(lái)五年中，基于第三代半導(dǎo)體材料的電子器件將在激光雷達(dá)、5G通信、新能源汽車、特殊行業(yè)、人工智能、數(shù)據(jù)中心以...

2021-04-22 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體電力電子氮化鎵 8.5k 0