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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

馬斯克的攪局 碳化硅陷入“失寵”的輿論漩渦

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從去年至今,我國(guó)氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)已經(jīng)屢獲突破。從去年的2英寸襯底到6英寸襯底,再到最新的8英寸外延片,我國(guó)氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)越來(lái)越成熟。

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氮化鎵充電器如何變得更快更強(qiáng)

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2023-10-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體充電器氮化鎵 1.8k 0

硅基氮化鎵成為射頻功率最優(yōu)選擇

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射頻功率放大器是無(wú)線通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件,其性能直接影響到無(wú)線設(shè)備的整體性能。傳統(tǒng)的射頻功率放大器主要采用三五族化合物半導(dǎo)體材料,如GaAs、InP等。...

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GaN氮化鎵加速無(wú)線充電應(yīng)用:更快、更方便

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氮化鎵推動(dòng)電源解決方案

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2023-10-20 標(biāo)簽:電源氮化鎵GaN 1.3k 0

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2023-10-18 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵人工智能 1.3k 0

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2023-10-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 2k 0

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電子材料氮化鎵芯片有多大的優(yōu)勢(shì)

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第三代半導(dǎo)體氮化鎵成為電子領(lǐng)域的焦點(diǎn)

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2023-10-10 標(biāo)簽:射頻氮化鎵GaN 1.5k 0

進(jìn)入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,開(kāi)啟電子技術(shù)的新紀(jì)元

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第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比,第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢(shì),這些優(yōu)勢(shì)源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。

2023-10-10 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體氮化鎵 1.5k 0

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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
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